磁控溅射镀膜系统技术方案

本发明专利技术涉及一种磁控溅射镀膜系统，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，第一直流溅射室与第一过渡室连接，第四直流溅射室与第二过渡室连接，第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶。使用该磁控溅射镀膜系统进行镀膜，能够有效降低破片率并有利于镀制方阻较低的薄膜，满足on-cell镀膜工艺要求，提高生产良率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种磁控溅射镀膜系统，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，第一直流溅射室与第一过渡室连接，第四直流溅射室与第二过渡室连接，第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶。使用该磁控溅射镀膜系统进行镀膜，能够有效降低破片率并有利于镀制方阻较低的薄膜，满足on-cell镀膜工艺要求，提高生产良率。【专利说明】磁控溅射镀膜系统
本专利技术涉及磁控溅射镀膜
，特别是涉及一种磁控溅射镀膜系统。
技术介绍
磁控溅射镀膜是目前常采用的一种镀膜方法。磁控溅射需要在一定的高温和一定的真空度下进行，使得使用目前的磁控溅射镀膜系统进行磁控溅射镀膜存在破片率高的问题；并且，所制备得到的膜层的方阻较大，难以满足On-cell触摸屏的使用需求。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够提高生产良率、制备方阻较低的薄膜的磁控溅射镀月吴系统。一种磁控溅射镀膜系统，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，所述溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，所述第一直流溅射室与所述第一过渡室连接，所述第四直流溅射室与所述第二过渡室连接，所述第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，所述第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，所述第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，所述第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶。在其中一个实施例中，还包括十个加热装置，所述十个加热装置分别设置于进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二缓冲室、第二过渡室和出片室内部。在其中一个实施例`中，每个所述加热装置包括三段式加热器及热反射板，所述三段式加热器包括第一加热段、第二加热段和第三加热段，所述第一加热段、第二加热段和第三加热段均设置于所述热反射板上，且所述热反射板竖直设置，所述第一加热段、第二加热段和第三加热段依次自上而下排列。在其中一个实施例中，还包括设置于所述第二直流溅射室和第三直流溅射室之间的隔尚室。在其中一个实施例中，所述第一直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第一通孔，并设置有密封所述两个第一通孔的两个第一室门，所述两个第一阴极祀分别设置于所述两个第一室门的内壁上；所述第二直流派射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第二通孔，并设置有密封所述两个第二通孔的两个第二室门，所述两个第二阴极靶分别设置于所述两个第二室门的内壁上；所述第三直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第三通孔，并设置有密封所述两个第三通孔的两个第三室门，所述两个第三阴极靶分别设置于所述两个第三室门的内壁上；所述第四直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第四通孔，并设置有密封所述两个第四通孔的两个第四室门，所述两个第四阴极靶分别设置于所述两个第四室门的内壁上。在其中一个实施例中，还包括导向装置，所述导向装置包括导向件、第一磁铁、第二磁铁和摩擦导轮组，所述导向件上开设有条形槽，所述第一磁铁和第二磁铁分别设置于所述条形槽的相对的两个槽壁上，所述导向件、第一磁铁和第二磁铁贯穿所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，所述摩擦导轮组包括多个摩擦导轮，所述多个摩擦导轮与所述导向件相对、间隔设置。在其中一个实施例中，所述导向装置还包括多个同步轮，每个所述同步轮与每个所述摩擦导轮连接并带动所述摩擦导轮转动。在其中一个实施例中，还包括抽真空装置、第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道，所述抽真空装置包括机械泵、罗茨泵和分子泵，所述第一抽气管道连通所述机械泵、进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室；所述第二抽气管道连通所述罗茨泵、进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室；所述第三抽气管道连通所述分子泵、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室。在其中一个实施例中，所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室及所述第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道的材质均为不锈钢，所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室及所述第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道的内表面均经过抛光处理，外表面均经过喷丸处理，且所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室及所述第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道内部均采用连续氩弧无缝焊接。在其中一个实施例中，所述出片室中设置有延时慢放气装置。上述磁控溅射镀膜系统，基片经过进片室、第一缓冲室和第一过渡室的温度和真空度的多级缓冲和过渡后，再进入温度和真空度与常温和常压下差别较大的溅射镀膜室中进行直流溅射；镀好膜的基片依次经过第二过渡室、第二缓冲室和出片室的多级温度和真空度的缓冲和过渡后，再进入常温和常压的环境，能够有效避免基片经历温度和气压骤变而导致破片的问题，降低破片率、提高生产良率。并且，采用两个第一阴极靶、两个第二阴极靶、两个第三阴极靶和两个第四阴极靶依次进行直流溅射，有利于镀制方阻较低的薄膜，满足on-cell镀膜工艺要求，进一步提高生产良率。【专利附图】【附图说明】图1为一实施方式的磁控溅射镀膜系统的立体示意图；图2为图1所示的磁控溅射镀膜系统的结构示意图；图3为图1所示的磁控溅射镀膜系统的加热装置的结构示意图；图4为图3所示的加热装置的第一加热段的立体结构示意图；图5为图1所示的磁控溅射镀膜系统的固定柱的结构示意图；图6为图1所示的磁控溅射镀膜系统的第四直流溅射腔室内部的结构示意图；图7为图1所示的磁控溅射镀膜系统的导向件、第一磁铁和第二磁铁的结构示意图。【具体实施方式】为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。请参阅图1，一实施方式的磁控溅射镀膜系统200，包括成直线式排列的进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、溅射镀膜室40、第二过渡室50、第二缓冲室60和出片室70。进片室10和第一缓冲室20之间设置有第一门阀(图未示)。通过第一门阀控制进片室10和第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射镀膜系统，其特征在于，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，所述溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，所述第一直流溅射室与所述第一过渡室连接，所述第四直流溅射室与所述第二过渡室连接，所述第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，所述第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，所述第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，所述第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张迅，阳威，欧阳小园，易伟华，
申请(专利权)人：江西沃格光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：