【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺，特别涉及一种mini led玻璃基板的通孔工艺。
技术介绍
1、mini led即芯片尺寸介于50～200μm之间的led器件。由mini led像素阵列、驱动电路组成且像素中心间距为0.3-1.5mm的单元。mini led基板目前市场上通用的有pcb基板和玻璃基板。相比于pcb基板，玻璃基板具有散热性好、平整度高等优势，逐渐成为市场的新热点。
2、与pcb基板一样，mini led玻璃基板需要在玻璃基板上形成圆孔通孔效果(其目的是为了便于在里面填充导电物质如导电银浆，使其基板正反两面形成电路导通效果)。
3、当前，一般采用激光打孔与蚀刻技术相结合的方式来实现玻璃基板通孔的效果。激光打孔即利用激光发射器在玻璃基板表面形成圆形微裂纹(即圆形斑点(激光发生器打出来的形状)围成的圆形)，现有技术中一般采用分别对玻璃基板正反两面进行打孔的方式。蚀刻技术即利用氢氟酸蚀刻液对玻璃基板进行蚀刻，从而达到通孔效果。但是，上述现有技术还存在以下问题：1、正反两面都需要激光打孔，效率低，且激光打孔时对对位要求高，使得制备工艺难度高、成本高；2、通孔率低，且通孔均匀性差，不适用于大尺寸产品。3、通孔效果差，内径与外径比值低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种mini led玻璃基板的通孔工艺。本专利技术提供的通孔工艺能够提高通孔率、通孔均匀性和通孔效率。
2、本专利技术提供了一种mini led玻璃基板的通孔工艺，包括以下步
3、a)开料和清洗：
4、对玻璃基板开料成目标尺寸，然后进行清洗；
5、b)打孔：
6、对步骤a)所得玻璃基板进行单面打孔，使玻璃基板的一个表面上形成通孔外形；
7、c)超声波清洗：
8、对步骤b)所得玻璃基板进行超声波清洗，使所述通孔外形完全裸露；
9、d)分回合蚀刻：
10、对步骤c)所得玻璃基板进行多回合蚀刻工序，每一回合蚀刻工序均包含蚀刻处理和酸洗处理，每一回合蚀刻工序完成后，对玻璃基板进行翻篮处理，然后再进行下一回合蚀刻工序；
11、其中，所述蚀刻处理包括：
12、将玻璃基板浸泡于蚀刻液中并开启鼓泡，进行蚀刻处理；
13、以质量份计，所述蚀刻液的配制原料包括：
14、
15、所述氢氟酸的质量百分浓度为1％～55％；
16、所述硫酸液的质量百分浓度为1％～98％；
17、所述酸洗处理包括：
18、将蚀刻处理后的玻璃基板浸泡于酸液中并开启鼓泡，进行酸洗处理；
19、其中，所述酸液为硫酸液和氢氟酸的混合液；
20、玻璃基板厚度h、所述多回合蚀刻工序中的回合数n以及每一回合中蚀刻处理中的蚀刻时间t的关系如下：
21、n＝8～12h；且n取正整数；
22、t＝5～15min；
23、其中，h的单位为mm，t的单位为min；
24、e)清洗：
25、对步骤d)所得玻璃基板进行清洗，得到玻璃基板产品。
26、优选的，步骤c)中，所述超声波清洗的条件如下：超声功率1～5kw，超声时间1～10min。
27、优选的，步骤d)中，所述蚀刻处理的温度为20～40℃。
28、优选的，步骤d)中，所述蚀刻处理中的鼓泡流量为10～1000l/min。
29、优选的，步骤d)中，所述酸液中，硫酸液的质量百分浓度为1％～98％，氢氟酸的质量百分浓度为1％～55％，硫酸液与氢氟酸的体积比为20∶1。
30、优选的，步骤d)中，所述酸洗处理的温度为30～35℃。
31、优选的，步骤d)中，所述酸洗处理的时间为1～3min。
32、优选的，步骤d)中，所述酸洗处理中的鼓泡流量为300～350l/min。
33、优选的，步骤d)中，所述蚀刻处理中的蚀刻速率在3μm/min以下。
34、优选的，所述玻璃基板为钙钠玻璃基板。
35、本专利技术提供的mini led玻璃基板的通孔工艺，先进行开料和清洗，然后进行单面打孔来形成通孔外形，之后进行超声波清洗使通孔外形完全裸露，然后，进行多回合蚀刻工艺，在该环节控制蚀刻液为一定配方，并根据基板厚度控制一定的蚀刻回合次数与蚀刻时间，最后再进行清洗处理。其中，在打孔之后进行超声波清洗，使圆形孔区域裂纹完全裸露出来，进而使其在后续蚀刻过程中完全暴露于蚀刻液中，提高蚀刻通孔效率，此外，还能去除玻璃基板表面油性脏污等，预防后续蚀刻过程中产生蚀刻不均等风险，改善通孔效果。在多回合蚀刻工艺中，控制蚀刻液为特定组成，能够提升通孔效果(具体原理参见前文)；而且控制基板厚度与回合次数及每回合中蚀刻时间的关系，以及在每回合之前进行翻篮处理，有利于改善蚀刻通孔的均匀性。另外，上述工艺由于后续环节的控制，在前面的打孔环节无需双面打孔，仅进行单面打孔即可，能够提高打孔效率，以及避免双面打孔时的严苛复杂的对位操作，能够提高整个工艺的效率。因此，本专利技术的工艺能够同时提高通孔效率和通孔效果，有助于玻璃基板在mini led中的应用。
36、试验结果表明，本专利技术的通孔工艺，通孔率达到99.9％以上，且能够使通孔内径与外径比值接近0.5，深宽比(玻璃基板通孔/厚度外径之比)达到大1∶7左右，通孔本身均匀且通孔更加接近圆柱形，表现出优异的通孔率、通孔均匀性及通孔效果。
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1.一种Mini LED玻璃基板的通孔工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，步骤C)中，所述超声波清洗的条件如下：超声功率1～5KW，超声时间1～10min。
3.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，步骤D)中，所述蚀刻处理的温度为20～40℃。
4.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，步骤D)中，所述蚀刻处理中的鼓泡流量为10～1000L/min。
5.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，步骤D)中，所述酸液中，硫酸液的质量百分浓度为1％～98％，氢氟酸的质量百分浓度为1％～55％，硫酸液与氢氟酸的体积比为20∶1。
6.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，步骤D)中，所述酸洗处理的温度为30～35℃。
7.根据权利要求1或6所述的通孔工艺，其特征在于，步骤D)中，所述酸洗处理的时间为1～3min。
8.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，步骤D)中，所述酸洗处理中的鼓泡流量为300～350L/min。
9.根据
10.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，所述玻璃基板为钙钠玻璃基板。
...【技术特征摘要】
1.一种mini led玻璃基板的通孔工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，步骤c)中，所述超声波清洗的条件如下：超声功率1～5kw，超声时间1～10min。
3.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，步骤d)中，所述蚀刻处理的温度为20～40℃。
4.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，步骤d)中，所述蚀刻处理中的鼓泡流量为10～1000l/min。
5.根据权利要求1所述的通孔工艺，其特征在于，步骤d)中，所述酸液中，硫酸液的质量百分浓度为1％～98％，氢氟酸的质量百分浓度为1％～...
【专利技术属性】
技术研发人员：张迅，易伟华，杨会良，
申请(专利权)人：江西沃格光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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