陶瓷电子部件制造技术

本发明专利技术提供Cu的离子迁移难以发生的陶瓷电子部件。陶瓷电子部件（1）具备：陶瓷基体（10）、第1以及第2外部电极（13、14）。陶瓷基体（10）具有：第1以及第2主面（10a、10b）、第1以及第2侧面（10c、10d）、以及第1以及第2端面（10e、10f）。第1以及第2外部电极（13、14）在陶瓷基体（10）上被设置为前端部彼此对置。第1以及第2外部电极（13、14）具有包含Cu的最外层。第1以及第2外部电极（13、14）相互对置的前端部的最外层（18）的氧化高于第1以及第2外部电极（13、14）的其他部分的最外层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷电子部件。
技术介绍
近年，对电子设备的小型化的要求高企，随之提出了通过在布线基板内嵌入陶瓷电子部件来使电子设备小型化（例如参照专利文献1）。先行技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010－129737号公报专利技术要解决的课题嵌入到布线基板内的陶瓷电子部件与布线的电连接一般是经由导通孔电极来进行的。用于形成该导通孔电极的导通孔通过朝布线基板内的陶瓷电子部件的外部电极照射激光而形成。故而，基板嵌入型的陶瓷电子部件谋求在外部电极的耐激光性上卓越。鉴于此，提出了具有通过由Cu（铜）或Cu合金构成的Cu层来构成了最外层的外部电极的陶瓷电子部件。然而，Cu与Ag同样，被熟知为离子迁移易发生的金属。因此，在外部电极的最外层由Cu层构成的情况下，Cu的离子迁移容易发生。若Cu的离子迁移发生从而外部电极间被电连接，则短路故障会发生。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，提供Cu的离子迁移难以发生的陶瓷电子部件。用于解决课题的手段本专利技术所涉及的陶瓷电子部件具备：陶瓷基体、第1外部电极以及第2外部电极。陶瓷基体具有第1主面以及第2主面、第1侧面以及第2侧面、第1端面以及第2端面。第1外部电极以及第2外部电极在陶瓷基体上被设置为前端部彼此对置。第1外部电极以及第2外部电极具有包含Cu的最外层。第1外部电极以及第2外部电极的相互对置的前端部的最r>外层的氧化程度高于第1外部电极以及第2外部电极的其他部分的最外层。在本专利技术所涉及的陶瓷电子部件的某特定的局面下，第1外部电极被设置为从第1端面上起延至第1主面以及第2主面和第1侧面以及第2侧面上。第2外部电极被设置为从第2端面上起延至第1主面以及第2主面和第1侧面以及第2侧面上。在第1主面以及第2主面和第1侧面以及第2侧面当中的至少第1侧面以及第2侧面上，第1外部电极以及第2外部电极的相互对置的前端部的最外层的氧化程度高于第1外部电极以及第2外部电极的其他部分的最外层。在本专利技术所涉及的陶瓷电子部件的另一特定的局面下，第1外部电极以及第2外部电极的相互对置的前端部的最外层由氧化铜或氧化铜合金构成。专利技术效果根据本专利技术，能提供Cu的离子迁移难以发生的陶瓷电子部件。附图说明图1是本专利技术的一实施方式所涉及的陶瓷电子部件的简化的立体图。图2是本专利技术的一实施方式所涉及的陶瓷电子部件的简化的侧视图。图3是本专利技术的一实施方式所涉及的陶瓷电子部件的简化的俯视图。图4是图1的线IV－IV处的简化的截面图。图5是表征本专利技术的一实施方式所涉及的陶瓷电子部件的电力线的示意性的俯视图。符号说明1...陶瓷电子部件10...陶瓷基体10a...第1主面10b...第2主面10c...第1侧面10d...第2侧面10e...第1端面10f...第2端面10g...陶瓷部11...第1内部电极12...第2内部电极13...第1外部电极14...第2外部电极13a、14a...第1部分13b、14b...第2部分13c、14c...第3部分13d、14d...第4部分13e、14e...第5部分15...基底电极层16...Cu镀层18...第1以及第2外部电极的相互对置的前端部的最外层具体实施方式以下，说明本专利技术的优选实施方式的一例。但下述的实施方式只是例示。本专利技术不受下述的实施方式任何限定。另外，在实施方式等中参照的各附图中，设以同一符号来参照实质上具有同一功能的构件。另外，在实施方式等参照的附图是示意地记载的图，附图中所描画的物体的尺寸的比率等有时与现实的物体的尺寸的比率等不同。在附图相互间，物体的尺寸比率等有时不同。具体的物体的尺寸比率等应参酌以下的说明来判断。图1是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的简化的立体图。图2是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的简化的侧视图。图3是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的简化的俯视图。图4是表示图1的线IV－IV处的简化的截面图。如图1～图4所示，陶瓷电子部件1具备陶瓷基体10。陶瓷基体10由与陶瓷电子部件1的功能相应的适宜的陶瓷材料构成。具体而言，在陶瓷电子部件1是电容器的情况下，能由电介质陶瓷材料形成陶瓷基体10。作为电介质陶瓷材料的具体例，例如列举BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等。此外，在陶瓷基体10中，可以根据期望的陶瓷电子部件1的特性，以上述陶瓷材料为主成分，例如适当添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类化合物等的副成分。在陶瓷电子部件1是陶瓷压电元件的情况下，能由压电陶瓷材料形成陶瓷基体10。作为压电陶瓷材料的具体例，例如列举PZT（锆钛酸铅）系陶瓷材料等。在陶瓷电子部件1是热敏电阻元件的情况下，能由半导体陶瓷材料形成陶瓷基体10。作为半导体陶瓷材料的具体例，例如列举尖晶石系陶瓷材料等。在陶瓷电子部件1是电感器元件的情况下，能由磁性体陶瓷材料形成陶瓷基体10。作为磁性体陶瓷材料的具体例，例如列举铁素体陶瓷材料等。陶瓷基体10是长方体状。陶瓷基体10具有：第1以及第2主面10a、10b、第1以及第2侧面10c、10d、第1以及第2端面10e、10f（参照图4）。如图1～图3所示，第1以及第2主面10a、10b沿长度方向L以及宽度方向W延伸。第1以及第2主面10a、10b在厚度方向T上相互对置。第1以及第2侧面10c、10d沿厚度方向T以及长度方向L延伸。第1以及第2侧面10c、10d在宽度方向W上相互对置。如图4所示，第1以及第2端面10e、10f沿厚度方向T以及宽度方向W延伸。第1以及第2端面10e、10f在长度方向L上相互对置。此外，在本说明书中，设“长方体状”包含对角部或棱线部进行了倒角或磨圆的长方体。即，“长方体状”的构件是指，具有第1以及第2主面、第1以及第2侧面和第1以及第2端面的整个构件。另外，可以在主面、侧面、端面的一部分或全部形成凹凸等。即，主面、侧面以及端面不必每个都平坦。尽管对陶瓷基体10的尺寸不作特别限定，但在将陶瓷基体10的厚度尺寸设为T，长度尺寸设为L，宽度尺寸设为W时，优选陶瓷基体10是满足T≤W＜L，1／5W≤T≤1／2W，T≤0.3mm的薄型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷电子部件，具备：陶瓷基体，其具有第1主面以及第2主面、第1侧面以及第2侧面、第1端面以及第2端面；和第1外部电极以及第2外部电极，其在所述陶瓷基体上被设置为前端部彼此对置，且具有包含铜的最外层，所述第1外部电极以及第2外部电极的相互对置的前端部的最外层的氧化高于所述第1外部电极以及第2外部电极的其他部分的最外层。

【技术特征摘要】
2012.11.07 JP 2012-2451591.一种陶瓷电子部件，具备：
陶瓷基体，其具有第1主面以及第2主面、第1侧面以及第2侧面、
第1端面以及第2端面；和
第1外部电极以及第2外部电极，其在所述陶瓷基体上被设置为前端
部彼此对置，且具有包含铜的最外层，
所述第1外部电极以及第2外部电极的相互对置的前端部的最外层的
氧化高于所述第1外部电极以及第2外部电极的其他部分的最外层。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，
所述第1外部电极被设置为从所述第1端面上起延...

【专利技术属性】
技术研发人员：石塚明，西坂康弘，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：