【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
实施例的一个方面涉及一种波长转换发光二极管芯片，更具体而言，涉及一种在实现均匀发光特性的同时降低了基于辐射角的色温偏差的波长转换发光二极管芯片，以及其制造方法。
技术介绍
发光二极管（LED）是将电能转化为光能的半导体器件，并且由基于能带带隙而发出特定波长的光的化合物半导体所构成。其在显示设备领域已被广泛采用，例如光学通讯与移动显示、计算机显示器等、照明设备的背光单元（BLU）。特别地，在用于照明设备的LED的发展中，与根据现有技术的LED相比，需要相对高水平的电流、大量的光以及均匀的发光特性。因此，需要开发新型设计与工艺。根据现有技术，已经通过已公开的诸如分配法等方法在LED芯片的附近涂覆磷光体与透明树脂的混合物来制造了发白光的器件封装件。在此情况下，位于LED芯片上表面和侧表面的磷光体的量彼此不同，使得从芯片上表面发射的白光与从芯片侧表面发射的白光之间在诸如色温之类的颜色特性方面会出现差异。此外，安装LED芯片的区域形成为具有杯状的结构，并且当杯状结构填满树脂时，由磷光体引起的光散射会导致光路径增加，并且使发光效率劣化。另一方面，即使直接在晶片级别上形成磷光体层的情况下，在相同条件下，也难以保证均匀的发光特性。详细而言，即使半导体外延层在相同条件下生长于单个晶片上时，取决于各自不同的芯片区域也会出现不同的发光特性。因此，在涂覆相同的磷光体层时，由于由此获得的白光...
【技术保护点】
一种制作波长转换LED芯片的方法，包括步骤：将多个LED芯片附接至临时支撑板的上表面的芯片排列区域，使得形成了至少一个电极的LED芯片的表面指向向上的方向；在各个LED芯片的电极上形成导电凸块；在所述芯片排列区域内形成含磷光体树脂密封部件，以覆盖所述导电凸块；抛光所述含磷光体树脂密封部件；通过切割在各LED芯片之间提供的含磷光体树脂密封部件来形成所述波长转换LED芯片，所述波长转换LED芯片包括波长转换层，所述波长转换层由所述含磷光体树脂密封部件获得并且形成在所述波长转换LED芯片的侧表面和上表面上；以及从所述波长转换LED芯片去除所述临时支撑板。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制作波长转换LED芯片的方法，包括步骤：
将多个LED芯片附接至临时支撑板的上表面的芯片排列区域，
使得形成了至少一个电极的LED芯片的表面指向向上的方向；
在各个LED芯片的电极上形成导电凸块；
在所述芯片排列区域内形成含磷光体树脂密封部件，以覆盖所
述导电凸块；
抛光所述含磷光体树脂密封部件；
通过切割在各LED芯片之间提供的含磷光体树脂密封部件来形
成所述波长转换LED芯片，所述波长转换LED芯片包括波长转换层，
所述波长转换层由所述含磷光体树脂密封部件获得并且形成在所述
波长转换LED芯片的侧表面和上表面上；以及
从所述波长转换LED芯片去除所述临时支撑板。
2.如权利要求1所述的方法，其中，从至少一片晶片获得所述
多个LED芯片，并且通过特定的发射光特性的标准来选择所述多个
LED芯片。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述发射光特性为发射光
的峰值波长和光输出中的至少之一。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述临时支撑板包括围绕
所述芯片排列区域的堤堰结构。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述堤堰结构的高度至少
高于包括形成在芯片中的导电凸块在内的芯片的高度。
6.如权利要求1所述的方法，其中，附接至所述临时支撑板的
LED芯片之间的距离大于位于所述LED芯片的侧表面上的光波长转换
\t层部分的厚度的两倍。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述临时支撑板为UV可
固化PET膜。
8.如权利要求1所述的方法，其中，通过从以下方法选择的工
艺来执行形成所述含磷光体树脂密封部件的步骤：分配法、丝网印刷
法、旋涂法、喷涂法和传递模塑法。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个LED芯片包括：
绝缘衬底；半导体外延层，其包括顺序形成在所述绝缘衬底上的第一
导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及分别形成在所述第
一导电半导体层和所述第二导电半导体层上的第一电极和第二电极。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个LED芯片包括：
导电衬底；半导体外延层，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金龙泰，井上登美男，金制远，筒井毅，李锺昊，蔡昇完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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