准纳米线晶体管及其制造方法技术

技术编号:10022489 阅读:122 留言:0更新日期:2014-05-09 05:03
本发明专利技术提供一种准纳米线晶体管及其制造方法,该方法包括:提供SOI衬底,该SOI衬底包括基底层(100),BOX层(120)和SOI层(130);在SOI层上形成鳍片基体,所述鳍片基体包括至少一组硅/硅锗叠层;在鳍片基体的两侧形成源漏区(110);由鳍片基体以及其下的SOI层形成准纳米线鳍片;横跨所述准纳米线鳍片形成栅堆叠。该方法可以有效地控制栅长特性。本发明专利技术还提供了根据上述方法形成的半导体结构。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:朱慧珑梁擎擎尹海洲骆志炯
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:

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