【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供，涉及半导体
。本专利技术实施例的半导体器件的制造方法，仅需要进行一次金属填充和CMP工艺就可以实现局域互连，简化了制造工艺。并且，通过改变接触通孔刻蚀顺序以及引入蚀刻停止层和起平坦作用的第三介质层，优化了接触通孔刻蚀工艺，提高了形成接触通孔时的对准精度，提高了产品良率。【专利说明】
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及。
技术介绍
在半导体
中，随着半导体制造工艺的迅速发展，半导体器件(芯片)的面积越来越小，同时，在一个半导体芯片上的半导体器件的数量也越来越多。在半导体电路中，半导体器件之间的信号传输需要高密度的金属互连线，在进行金属互连时需要进行接触孔的刻蚀。然而，由于在半导体器件中，栅极(比如金属栅极)与源/漏极之间一般存在高度差，这给接触通孔刻蚀工艺带来了极大的挑战。在半导体器件的工艺制程中，双大马士革工艺是在局域互连时的一种常用技术手段。所谓双大马士革工艺，就是在介质层上刻蚀出接触通孔并进行金属等材料填充的一种常用技术。目前，半导体业界内在半导体器件的制造过程中常用的一种双大马士革制造工艺是...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一和第二栅极、源极和漏极，以及位于所述源极和漏极的上方并位于所述栅极之间的第一层间介电层；步骤S102：在所述半导体衬底上依次形成覆盖所述半导体衬底的蚀刻停止层、第二层间介电层和硬掩膜层；步骤S103：对所述硬掩膜层进行刻蚀，在所述硬掩膜层上对应要形成第一接触沟槽和第二接触沟槽的位置分别形成开口，其中，所述第一接触沟槽位于所述源极或漏极的上方，所述第二接触沟槽位于所述漏极或源极以及所述栅极的上方；步骤S104：在所述半导体衬底上形成覆盖所述半导体衬底的第三介电层；步骤S...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卜伟海，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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