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本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明实施例的半导体器件的制造方法，仅需要进行一次金属填充和CMP工艺就可以实现局域互连，简化了制造工艺。并且，通过改变接触通孔刻蚀顺序以及引入蚀刻停止层和起平坦作用的第三介质层，优化...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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