一种混合集成功率模块散热封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种混合集成功率模块散热封装结构，包括底座、盖板、引线，底座和盖板盖合后形成一容纳基板的封装外壳；底座上开有可容纳引线穿过的引线槽；引线穿过引线槽进入封装外壳内与基板连接；基板的两面组装有一个或多个功率器件；底座和/或盖板的内表面、朝向基板上组装的功率器件顶面的位置设置有凸台，通过导热胶使凸台与功率器件顶面相接触。本发明专利技术的散热封装结构采用的材料成本低廉，加工工艺简单；可以在基板上双面组装功率器件，功率器件通过导热胶与凸台接触进行散热，集成效率高、散热效果好；结构牢固、强度高、抗机械冲击能力强。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种混合集成功率模块散热封装结构，包括底座、盖板、引线，底座和盖板盖合后形成一容纳基板的封装外壳；底座上开有可容纳引线穿过的引线槽；引线穿过引线槽进入封装外壳内与基板连接；基板的两面组装有一个或多个功率器件；底座和/或盖板的内表面、朝向基板上组装的功率器件顶面的位置设置有凸台，通过导热胶使凸台与功率器件顶面相接触。本专利技术的散热封装结构采用的材料成本低廉，加工工艺简单；可以在基板上双面组装功率器件，功率器件通过导热胶与凸台接触进行散热，集成效率高、散热效果好；结构牢固、强度高、抗机械冲击能力强。【专利说明】一种混合集成功率模块散热封装结构
本专利技术涉及一种功率器件的散热封装结构，属于半导体封装
。
技术介绍
5W >额定功率> Iff时的半导体封装器件统称“功率器件”，额定功率> 5W时半导体封装器件统称“大功率器件”，如:DSP、FPGA、电源电路、CMOS大功率器件以及其它。通常混合集成功率模块散热设计是:1)将功率器件组装到氮化铝或氧化铍基板上；2)采用焊接方式将基板固定到散热外壳上。这种设计局限性在于:1)功本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合集成功率模块散热封装结构，其特征是，包括底座、盖板、引线，底座和盖板盖合后形成一容纳基板的封装外壳；底座上开有可容纳引线穿过的引线槽；引线穿过引线槽进入封装外壳内与基板连接；基板的两面组装有一个或多个功率器件；底座和/或盖板的内表面、朝向基板上组装的功率器件顶面的位置设置有凸台，通过导热胶使凸台与功率器件顶面相接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周冬莲，张君利，展丙章，薛峻，车勤，
申请(专利权)人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心，
类型：发明
国别省市：江苏;32