提供一种具有外延生长层的肖特基势垒二极管，该外延生长层形成在衬底上并且具有台面部分，肖特基电极形成在台面部分上。肖特基电极的边缘和台面部分的顶表面边缘之间的距离为２μｍ或者更小。因为距离（ｘ）是２μｍ或者更小，因此提供了具有显著地降低的...

本发明提供一种用于非水类电解质蓄电装置的引线部件及其制造方法、非水类电解质蓄电装置，该引线部件的弯曲性良好，可以防止水分的侵入。引线部件（２１ａ、２１ｂ）用于非水类电解质蓄电装置，该非水类电解质蓄电装置在由包含金属箔层（８）的多层薄膜（...

问题为了能够将部件安装在待与ＦＰＣ相连的ＰＣＢ上的连接部分的背部的后表面上。用于解决所述问题的手段设置连接部分，由各向异性导电粘合剂连接第一电路板的导体配线和第二电路板的导体配线，该各向异性导电粘合剂由包括在厚度方向即粘结方向上定向的针...

本发明提供了一种用于氮化物晶体表面研磨的浆料。所述研磨浆料包括氧化物磨粒，选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂，以及氧化剂。所述研磨浆料具有小于７的ｐＨ值。所述浆料有效地研磨氮化物晶体的表面。

本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：形成基于ＧａＮ的半导体层的步骤（Ｓ１０）；在所述基于ＧａＮ的半导体层上形成Ａｌ膜的步骤（Ｓ２０）；形成掩模层的步骤（Ｓ３０、Ｓ４０），所述掩模层由腐蚀速度比所述Ａｌ膜的构成材料小...

本发明提供一种电缆束、装有连接器的电缆束以及电缆束的连接构造，该电缆束中包含极细同轴电缆，可以满足信号用电缆和电源用电缆的性能要求，可以容易且准确地将末端部分向连接器端子等进行连接。电缆束（１０）中并列配置有：多根同轴电缆（１１），其具...

本发明提供一种超导线圈，所述线圈具有通过缠绕超导导体形成的扁平形状。所述超导导体由彼此并联电连接的带状（Ｂｉ，Ｐｂ）２２２３基超导导线和带状薄膜ＲＥ１２３基超导导线构成。所述线圈在稳定工作状态仅产生低电压，即使在外部干扰由于某些原因而出...

本发明提供了一种极细同轴线束，该极细同轴线束在保持操作的可靠性和迅速性的同时实现在狭小的空间中无连接器连接到基板上。通过将多根极细同轴线（１１）以并排阵列排列从而形成多芯极细同轴线（１０）。每根极细同轴线（１１）具有末端部分是露出的中心...

一种借助压缩工艺生产一个光纤预制件的方法，它能够形成一个光纤，其中由于ＯＨ团吸收引起的传输损失的增加能够减少，以及使用此方法生产的一种光纤预制件和一种光纤。此方法包括减少玻璃管内含氢原子物质的数量，密封玻璃管的一端，以及压缩玻璃管以获得...

本发明提供一种屏蔽扁平电缆，其可以以低成本防止由于在将屏蔽薄膜接地连接的接地部上产生晶须而引起的障碍。该屏蔽扁平电缆构成为将多根扁平状导体（１３）平行地排列，并利用绝缘薄膜（１４）包覆，至少在一侧的端部使扁平状导体（１３）的一个面露出而...

本发明公开了一种具有容易制造的插芯组件的光学模块以及制造该光学模块的方法。具有管状形状的插芯设置有第一内孔至第三内孔。第一内孔接纳带有护套的光纤，第二内孔仅仅接纳光纤的通过去除护套而获得的玻璃芯，而第三内孔的直径基本上与光纤的玻璃芯的外...

本发明提供一种耐磨性和阻燃性优异、并且作为连接车内用各系统之间的布线的、具有高度可靠性的阻燃电缆。该阻燃电缆具有绝缘芯体、包覆该绝缘芯体的外周的内护套、以及包覆所述内护套的外周的外护套，其中，所述内护套由第一树脂组合物构成，所述第一树脂...

本发明公开一种牙齿诊断ＯＣＴ系统，其能够对存在于牙齿邻接面上的龋齿作出诊断，并且包括光源、分束器、反射镜、光电探测器、透镜、光纤和探测部。填料的折射率大于空气的折射率并且小于诊断对象的折射率，该填料将被填充到牙齿（即诊断对象）的邻接面与...

本发明涉及一种色散补偿模块，其具有即使在施加冲击或振动时，也可以有效地抑制光的偏振状态的高速变化的构造。在该色散补偿模块中，将色散补偿光纤以卷绕在线轴的轴体部周围的状态进行固定，线轴经由用于吸收冲击或振动的缓冲材料而固定在框体的内部。线...

本发明一实施形式的金属加热装置具有光输出部，该光输出部输出中心波长处于波长范围２００ｎｍ～６００ｎｍ内的光。

一种无定形碳膜，其密度为２．８－３．３ｇ／ｃｍ↑［３］。优选地，所述膜具有１×１０↑［１８］－１×１０↑［２１］自旋／ｃｍ↑［３］的自旋密度、按原子百分数表示为至少９９．５％的碳浓度、按原子百分数表示为不超过０．５％的氢浓度、按原子百分...

本发明涉及半导体元件的制造方法。具体而言，提供一种以降低的制造成本来制造良好特性的半导体元件的方法。半导体元件的制造方法包括：含ＧａＮ的半导体层的形成步骤；电极层形成步骤；在含ＧａＮ的半导体层上形成Ａｌ膜的步骤；形成由如下材料构成的掩模...

本发明提供氮化镓基外延晶片及外延晶片的制作方法。在氮化镓基外延晶片中，轴Ａｘ上的三个点Ｐ１、Ｐ２和Ｐ３的斜角分别为θ１＝０．２度，θ２＝０．４度，θ３＝０．６度。另外，点Ｐ１附近的ＩｎＧａＮ阱层的铟含量大于点Ｐ３附近的ＩｎＧａＮ阱层的铟...

本发明提供一种可以连续地施加扭转的构造简单且小型化的光纤的制造装置及制造方法。制造装置包括：导辊，其使光纤转动；辊支撑部件，其对导辊进行保持，使导辊成为相对于轴心Ｘ可自由旋转的状态；以及驱动装置，其通过使辊支撑部件以相对于轴心Ｘ倾斜的轴...

本实用新型提供一种引线部和玻璃之间的密合性优良的冷阴极荧光灯用电极部件。电极部件（１０）具有电极部（１１）、引线部（１２）以及玻璃部（１３）。引线部（１２）的至少表面侧由含铁的金属构成，在该引线部（１２）的表面中被玻璃部（１３）覆盖的位...