住友电气工业株式会社专利技术

住友电气工业株式会社共有5332项专利

  • 一种印刷布线板(1)提供有金属基板(2)、在金属基板(2)的表面上布置的绝缘层(3)以及在绝缘层(3)的表面上布置并且电连接到金属基板(2)的导电层(4)。在绝缘层(3)和导电层(4)上,形成有底通孔或贯通孔(6),有底通孔在金属基板(...
  • 本发明提供了可改善DC偏压特性的软磁性材料、压粉磁芯、制造软磁性材料的方法以及制造压粉磁芯的方法。所述软磁性材料包含多个金属磁性颗粒10,该金属磁性颗粒10的粒径变动系数Cv(σ/μ)为小于或等于0.40,并且所述金属磁性颗粒10的圆形...
  • 提供一种具有提高了的成品率的GaN外延衬底、使用GaN外延衬底的半导体器件以及用于制造该GaN外延衬底和半导体器件的方法。GaN外延衬底制造方法具有:第一GaN层形成步骤,在基础衬底上外延生长第一GaN层;凹陷部形成步骤,在第一GaN层...
  • 一种肖特基势垒二极管(1),包括:GaN自支撑衬底(2),其具有表面(2a);GaN外延层(3),其形成在表面(2a)上;以及绝缘层(4),其形成在GaN外延层(3)的表面(3a)上,并且在其上形成开口。肖特基势垒二极管(1)还提供有电...
  • 本发明提供一种引线部和玻璃之间的密合性优良的冷阴极荧光灯用电极部件及其制造方法。电极部件(10)具有电极部(11)、引线部(12)以及玻璃部(13)。引线部(12)的至少表面侧由含铁的金属构成,在该引线部(12)的表面中被玻璃部(13)...
  • 本发明提供了一种能够保持高容许张力和低接合电阻的超导带以及制造所述超导带的方法。所述超导带(1c)包括主体部分(7)和补强部分(9)。所述主体部分(7)具有超导体(3),并且形成为带状。所述补强部分(9)形成在所述主体部分(7)的至少一...
  • 本发明提供一种氧化物超导体原料粉末的制造方法,所述方法包括:其中对含构成氧化物超导体的元素的溶液进行处理以除去溶剂并制造干燥粉末的步骤;以及其中将所述干燥粉末分散到高温炉中以制造构成氧化物超导体的元素的氧化物的步骤。所述方法能够使得构成...
  • 设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。有源层(17)包括由六方晶系In↓[X]Ga↓[...
  • 本发明公开一种制造具有目标外径的拉伸玻璃体的方法,该方法借助可在纵向上移动的加热源来拉伸柱状或筒状的玻璃体。该方法包括:(1)第一拉伸步骤,用于获得中间拉伸体,其中,通过加热使玻璃体软化并拉伸玻璃体的同时测量被软化部分的外径,使得测量值...
  • 本发明提供了一种扁平状的超导线圈,其中超导线材被缠绕。在该超导体中,带状(Bi,Pb)2223超导线材和带状薄膜RE123超导线材串联电连接。该超导体被缠绕,使得带状(Bi,Pb)2223超导线材排列在外圆周而带状薄膜RE123超导线材...
  • 提供有源层(17)以使得发射具有440nm至550nm范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域(13)、有源层(17)和第二导电类型氮化镓半导体区域(15)沿着预定轴Ax的方向设置。有源层(17)包括由六方晶系的In↓[x]Ga...
  • 一种化合物半导体单晶制造装置(1),具有:激光源(6),所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华;具有激光入口(5)的反应容器(2),从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述反应容器的内...
  • 本发明提供能够满足阻燃性、高温下的拉伸特性、耐热变形性的无卤阻燃管、热收缩管。将阻燃性树脂组合物成形为管状后,经电子束照射而形成的阻燃管,以及将该阻燃管在加热下扩径后,冷却固定而形成的热收缩管,所述阻燃性树脂组合物中,每100质量份原料...
  • 本发明提供了一种细径同轴电缆束及连接结构,其可使收容在可移动地连接在一起的防水壳体中的电路基板实现良好的防水连接。所述细径同轴电缆束具有将细径同轴电缆捆束在一起的成束部分以及水密地固定到所述成束部分和相邻两壳体上的两个防水部分。所述成束...
  • 本发明提供一种无卤素阻燃绝缘电线,其能够减少高频高压下的泄漏电流,并满足阻燃性和挠性所要求的特性,并且可用于减轻环境负荷。上述电线是一种无卤素阻燃绝缘电线,其特征在于包括导体、覆盖所述导体的第一绝缘层和覆盖所述第一绝缘层的第二绝缘层,其...
  • 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt%~10wt%的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体,并在基材(1)已经设置在真空室内的状态...
  • 本发明提供了一种Ⅲ族氮化物半导体激光器,该Ⅲ族氮化物半导体激光器具有良好的光学限制特性,并且包括具有良好晶体质量的InGaN阱层。在第一光引导层(21)与第二光引导层(23)之间设置有源层(19)。有源层(19)可以包括阱层(27a)、...
  • 本发明的目的在于提供一种能用于多种用途的多晶金刚石,以及包含该多晶金刚石的水射流喷嘴、凹版印刷用刻针工具、刻图仪工具、金刚石切削工具和划线轮。本发明的这一目的是通过这样一种多晶金刚石来实现的,该多晶金刚石是在不需要加入烧结助剂或催化剂的...
  • 提供一种在集成电路中将输入电流信号转换为两个以上的输出电压信号的系统及装置。在一个方面,集成电路具有包括第1级联放大器的第1互阻抗放大器、和包括第2级联放大器的第2互阻抗放大器。第2级联放大器和第1级联放大器共用输入晶体管元件。第1级联...
  • 本发明提供一种光纤,该光纤具有小弯曲损耗,可以防止在进行安装或其它操作时因意外弯曲而断裂,并且符合G.652标准。该光纤(1)包括:纤芯(11)、第一包层(12)、第二包层(13)、以及第三包层(14)。纤芯(11)的相对折射率差Δ↓[...