本发明公开了一种保持器、熔接机和熔接方法。该保持器能够保持光缆而不会破损或损伤该光缆，该保持器包括保持器主体、光纤保持部和光缆保持部。该保持器主体具有用于容纳在光缆的端部从光缆护套中暴露出的光纤的光纤容纳槽，以及用于容纳光缆护套的端部的...

本发明公开了一种使用较少零件的光组合器，其包括光学部件和塑料体。该光学部件包括：第一滤光器，其用于反射具有第一波长的第一光，并透过具有第二波长的第二光和具有第三波长的第三光；第二滤光器，其用于反射第二光，并透过第三光；以及基板，其透过第...

本发明公开了一种光组合器及使用该光组合器的图像投影装置。该光组合器由树脂制成，并且其使用的部件的数目可以减少。该光组合器包括第一表面、衍射光栅和第二表面。第一表面是提供第一透镜、第二透镜和第三透镜的表面。衍射光栅将入射在第一透镜上的具有...

本发明提供一种熔融盐浴，其含有钨且具有１００ｐｐｍ以下的含水量和５００ｐｐｍ以下的含铁量。本发明还提供制备所述熔融盐浴的方法和钨膜，由所述熔融盐浴能够稳定地沉积高品质的钨。

一种截止波长测量方法以及光通信系统，该方法包括：第一步骤，将多模光纤连接到作为样本的光纤的第一端，允许光从多模光纤传播到样本，从样本的第二端测量光强度，并且确定第一功率谱；第二步骤，将多模光纤连接到参考光纤的第一端，该参考光纤具有比样本...

本发明提供了连接印刷线路板的结构与方法以及具有各向异性电导率的粘合剂，该板连接结构为电极提供细间距，并可结合绝缘特性和连接可靠性。连接多个印刷线路板（１０，２０）的结构通过包含导电颗粒（３１）且具有各向异性电导率的粘合剂（３０）把在第一...

本发明提供金刚石线锯及该金刚石线锯的制造方法，所述金刚石线锯中，由镀层覆盖分散保持有金刚石磨粒的金属制芯线的整个外表面，通过采用含有钨的镍合金作为镀层而具有充分的硬度，因此使用时锐利度良好，并且不易断线。另外，本发明提供金刚石线锯及该金...

一种氮化镓类半导体光元件及其制造方法、外延晶片。所述氮化镓类半导体光元件包括显示较低的压电效应和良好的结晶质量的含铟氮化镓类半导体层。氮化镓类半导体光元件具有ＧａＮ支撑体、ＧａＮ类半导体区域和阱层。主面从与沿着ＧａＮ的ｍ轴和ａ轴中一个晶...

本发明提供一种同轴电缆及其制造方法，该细径的同轴电缆可以确保与现有技术相同程度的电气特性和机械特性，并且不会使成本升高，该同轴电缆包含：中心导体，其由绞合的３根裸线组成，截面积小于或等于０．００５ｍｍ２；绝缘体，其由覆盖中心导体的氟类树...

本发明公开了一种氮化镓晶体衬底，该氮化镓晶体衬底包括：第一晶体区，该第一晶体区具有晶体缺陷聚集区（Ｈ），以及第二晶体区，该第二晶体区具有低晶体缺陷区部分（Ｚ）和Ｃ面生长区部分（Ｙ）。Ｃ面生长区部分（Ｙ）的碳浓度与晶体缺陷聚集区（Ｈ）的碳...

本发明涉及活动图像数据的编码方法、终端装置以及双向对话型系统。该活动图像数据的编码方法，是将构成活动图像数据的图像帧分别沿着时间轴依次压缩的活动图像数据的编码方法，设定由多个分割区域构成的虚拟图像帧以作为应编码的图像帧，将从构成上述活动...

本发明提供了一种ＩＩＩ族氮化物晶体基材，所述基材包括：厚度为５０ｎｍ以下的受影响层；和厚度为３ｎｍ以下的表面氧化层。本发明还提供了一种半导体设备，所述半导体设备包括上述的ＩＩＩ族氮化物晶体基材。本发明提供的另一种ＩＩＩ族氮化物晶体基材除...

一种制作氮化物类半导体发光元件的方法，能够改善阱层的膜厚方向上的铟组分不均匀，并且能够降低阱层内的缺陷密度。在阱层生长的第１期间（Ｐ１），向生长炉（１０）中供给作为ＩＩＩ族原料的镓原料和铟原料，生长ＩｎＧａＮ薄层。在第２期间（Ｐ２），在...

本发明提供一种可以高生产率地制造极细的Ｃｕ－Ａｇ合金线的Ｃｕ－Ａｇ合金线制造方法以及极细的Ｃｕ－Ａｇ合金线，该制造方法对含有０．５～１５．０质量％的Ａｇ的坯料进行拉丝，制造最终线径小于或等于０．０５ｍｍ的极细线。对于处于达到最终线径前的...

本发明公开了一种具有ＣＡＮ封装的光学装置，其中，将罩电阻焊接到基座上而不会引起由于焊接产生的碎片飞入所述封装内而导致的故障。本发明的所述罩具有焊接到所述基座上的凸缘部分。除了用于焊接的环状突起以外，所述凸缘部分还设置有环状凹槽。由于焊接...

本发明提供一种高频用同轴电缆及其制造方法，其可以维持良好的传输特性，同时生产上的限制更少。高频用同轴电缆（１１）的制造方法为进行下述工序，即：绝缘纤芯排列工序，其拉出多根在中心导体（１２）的外周形成绝缘层（１３）的绝缘纤芯（２２），使其...

本发明提供一种制造Ⅲ族氮化物结晶、Ⅲ族氮化物结晶衬底以及半导体器件的方法。提供具有主表面的Ⅲ族氮化物结晶，其中所述主表面的相对于除了｛０００１｝形式之外选择的｛ｈｋｉｌ｝面的晶面取向的变化是最小的。一种制造Ⅲ族氮化物结晶的方法是以下步骤...

本发明涉及一种在冷阴极荧光灯中使用的电极，该电极由纯镍或镍合金构成，所述镍合金含有含量为大于或等于０．００１质量％并且小于或等于２．０质量％的Ｙ，并且该镍合金的余量为镍和杂质。所述电极的形状为带有底部的圆筒状，并且当所述电极内表面中的晶...

本发明提供一种包含在组成中具有Ｉｎ的Ⅲ族氮化物半导体的量子阱结构的制造方法，在通过该方法制造的量子阱结构中，可以抑制结晶结构的分解并实现与Ｉｎ组成对应的发光特性。上述方法包括：阱层生长工序，将蓝宝石基板（１５）的温度保持为第一温度，并且...

本发明提供一种可以降低空穴从活性层的溢出而提高量子效率的Ⅲ族氮化物类半导体发光元件以及用于该Ⅲ族氮化物类半导体发光元件的外延晶圆。活性层（１９）位于ｐ型ＧａＮ类半导体区域（１５）和空穴阻挡层（１７）之间，因此空穴（Ｈ）从ｐ型ＧａＮ类半导...