在该氮化物半导体基板的加工方法中，首先，准备圆盘状的氮化物半导体基板（２０），其具备多个条纹区域（１２），该多个条纹区域（１２）由晶体缺陷密度高于周围的单晶体区域（１４）的缺陷集中区域构成。接着，以条纹区域（１２）延伸的方向（ＳＴ）为基...

本发明公开了Ⅲ族氮化物晶体及其表面处理方法，以及Ⅲ族氮化物的叠层体和半导体器件及其制造方法。所述Ⅲ族氮化物晶体的表面处理方法包括如下步骤：使用莫氏硬度高于７的硬磨粒对Ⅲ族氮化物晶体的表面进行研磨；以及使用不含磨粒的抛光液对所述Ⅲ族氮化物...

本发明提供一种光纤连接器用固定部件及光纤连接器的安装方法，以可以简单地将光纤连接器安装到光缆上。光纤连接器用固定部件（１）在将光纤连接器（Ｃ）安装到在光纤芯线（Ｄａ）和光缆外皮（Ｄｂ）之间设有芳香族聚酰胺纤维（Ｄｃ）的光缆（Ｄ）上时使用...

本发明提供一种氮化物半导体激光器及其制造方法、外延晶圆的制造方法。在工序Ｓ１１０中向生长炉供给ＴＭＧ、ＴＭＩｎ及ＮＨ↓［３］，在温度Ｔ１下进行膜厚Ｄ↓［Ｗ１］（Ｄ↓［Ｗ１］＜Ｄ↓［Ｗ０］）的ＩｎＧａＮ薄膜的堆积。该薄膜厚度为１ｎｍ。在工...

本发明公开了一种其平均位错密度不超过５×１０↑［５］ｃｍ↑［－２］且抗断裂的Ⅲ族氮化物单晶自立式衬底，以及一种利用这类Ⅲ族氮化物单晶自立式衬底制造半导体装置的方法。所述Ⅲ族氮化物单晶自立式衬底包括一个以上的高位错密度区域（２０ｈ），以及...

本发明提供了形成量子阱结构的方法以及制造半导体发光元件的方法，所述量子阱结构能够降低Ｉｎ组成在阱层厚度方向上的变化。在通过在ＧａＮ衬底主面上交替生长阻挡层和阱层而形成量子阱结构（有源层）的步骤中，通过生长ＩｎＧａＮ而形成各个阱层，在第一...

本发明涉及在冷阴极荧光灯的电极中使用的电极材料，该电极材料由镍或镍合金构成，其中所述电极材料的平均晶粒尺寸为５０μｍ或更小，并且所述电极材料的表面粗糙度Ｓｍ为５０μｍ或更小。具有微细凹凸表面和微细晶粒结构的所述电极材料的逸出功小于４．７...

本发明提供了一种用于防止化合物半导体衬底表面氧化的化合物半导体衬底包装方法。所述化合物半导体衬底的包装方法包括第一步骤：将化合物半导体衬底（１０）插到可透气的刚性容器（２０）内，将所述刚性容器（２０）放到具有１～１００ｍｌ.ｍ↑［－２］...

本发明提供一种屏蔽扁平电缆，其在电缆整个长度上进行屏蔽，并且电缆末端部的阻抗变化较小。将绝缘树脂薄膜（１４）的一侧去除而使扁平导体（１３）露出，在另一侧的绝缘树脂薄膜的外表面上粘贴加强带（１６），从而形成电缆末端部（１２），利用屏蔽薄膜...

本发明涉及制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片。单面平面处理的Ⅲ族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于１０μｍ厚度的热塑性蜡将多个Ⅲ族氮化物生长状态的晶片粘...

本发明提供一种屏蔽扁平电缆及其制造方法，该屏蔽扁平电缆可以可靠地进行屏蔽导体的接地连接，并且防止因去除屏蔽导体导致的阻抗不匹配，抑制屏蔽效果降低。该屏蔽扁平电缆构成为，在将多个导体（２ａ）平行地排列为一列并由绝缘体（３）一体包覆而成的扁...

提供一种能够容易地进行激光腔的方向确定的、使用非极性或半极性晶片制造氮化物半导体激光器的方法。在准备好具有由六方晶系氮化镓半导体构成的晶体（２）及标志构造物（３）的基板体（１）后，沿着与标志构造物（３）交叉的平面切断基板体（１），形成具...

本发明提供了一种生长Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法以及制造发光器件和电子器件的方法，其中降低了危险并能够在低温下有效地供应氮。所述生长Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法包括下列步骤。首先，准备含选自一甲胺和一乙胺中的至少一种物质的气体以作为氮原料。...

本发明提供III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发 光器件的方法。在氮化镓基半导体区域的基面上生长具有量子阱结构 的有源层。该量子阱结构以具有410nm以上的发射峰值波长的方式形 成。阱层的厚度为4nm以上10nm以下。该阱...

提供一种制造Ⅲ族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种Ⅲ族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底（１）和Ⅲ族氮化物源材料衬底（２）之间形成２００μｍ以下厚度的液体层（３），以及在衬底（１）的液体层侧面上的表面（１ｓ）上...

本发明提供了III族氮化物晶体的制造方法，借此方法，当除去III 族氮化物衬底时，III族氮化物晶体中的破裂发生率保持最小。III族氮 化物晶体制造方法包括：在III族氮化物衬底(10)的一个主面(10m)上生 长III族氮化物晶体(2...

本发明改善ＡｌＧａＮ单晶基材的断裂韧度，并且降低该基材的吸收系数。氮化物半导体单晶基材具有由通式Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ（０≤ｘ≤１）表示的组成，其特征在于断裂韧度为（１．２－０．７ｘ）ＭＰａ.ｍ↑［１／２］或更大以及表面积为２０...

本发明涉及一种氮化镓晶圆（１１），其具有实质上的圆形。氮化镓晶圆（１１）包含：多个条纹区域（１３）、多个单晶区域（１５）和可目视确认的标记（１７）。各条纹区域（１３），表示＜１１－２０＞轴的方向且在规定轴方向上延伸。各条纹区域（１３）夹...

本发明提供一种细径同轴电缆束，其即使反复变形也不会使中心导体断裂，且能够维持使弯曲性良好地捆束而成的状态。该细径同轴电缆束（２０），在设备内进行弯曲、转动或滑动的部位使用，其由多根细径同轴电缆（２４）捆束而成，其末端与连接器（２５）连接...

本发明涉及一种镁基合金线，以质量％计，含有０．１－１２．０％Ａｌ和０．１－１．０％Ｍｎ，并具有直径ｄ为０．１ｍｍ－１０．０ｍｍ；长度Ｌ为１０００ｄ或更多；抗拉强度为２５０ＭＰａ或更高；断面收缩率为１５％或更高；和伸长率为６％或更高。以及...