本发明提供一种制造软磁性材料的方法。该方法可有效地制造其中各个软磁性金属颗粒均涂覆有多个绝缘层的软磁性材料。通过下述步骤制造用作压粉铁心材料的软磁性材料：制备具有复合磁性颗粒的材料粉末的步骤，其中所述复合磁性颗粒是通过在各软磁性金属颗粒...

本发明公开一种同轴线配线体以及使用该同轴线配线体的电子设备，其确保了壳体的插入部分的防水性，减小了铰链和铰链周边的尺寸，简化了该同轴线配线体的构造，并减少了部件数量。所述同轴线配线体包括多根同轴线（１１）以及形成为与所述多根同轴线（１１...

本发明提供一种利用具有足够低的电阻值的ＣＮＴ等碳纤维形成的碳线，以及使用这种碳线的线组件。碳线（１）包括组件部分（３）和石墨层（４）。所述组件部分（３）由多根碳纤维构成，这些碳纤维是由相互接触的碳纳米管（２）形成的。所述石墨层（４）设置...

本发明提供了一种可以可靠和容易地实现光学连接的光学连接器组装夹具和光学连接器组装方法。光学连接器组装夹具（１０）包括：基座（１１），其在纵向方向上提供有用于容纳光纤（９０）的容纳槽（１２），以及具有用于对容纳在容纳槽（１２）中的光纤（９...

本发明提供了ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（０≤ｘ≤１）衬底、红外ＬＥＤ用外延晶片、红外ＬＥＤ、制造ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底的方法、制造红外ＬＥＤ用外延晶片的方法、以及制造红外ＬＥＤ的方法。所述ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ衬底能保持高水平的透...

本发明提供了含有导电金属粉末、氨基甲酸酯改性的聚酯树脂和封端异氰酸酯的导电糊，其中氨基甲酸酯改性的聚酯树脂通过使酸成分、醇成分和含有芳香族异氰酸酯的异氰酸酯成分反应而制得，并且所述酸成分、醇成分和异氰酸酯成分中含有的芳香族成分的总量为所...

本发明的目的在于，对于具有宽频带的包络线的高频信号也能够维持高效率。该包络线跟踪电源电路（５），生成与高频信号的包络线对应的输出电压，具备：电压跟随电路（７），输入包络线信号，输出与该包络线信号（ＳＥ）对应的电压；两个并联电阻（Ｒｓｅｎ...

本发明提供一种ＩＩＩ族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系ＩＩＩ族氮化物的ｃ轴向ｍ轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面（２７）、（２９）与ｍ－ｎ面交叉。ＩＩＩ族氮化物半导...

本发明提供一种具有优异塑性加工性能和刚性的镁合金板材、以及一种具有优异刚性的镁合金成形体。所述板材具有形成含有硬质粒子的基体的镁合金。将所述板材的从表面起到离所述表面的距离等于所述板材厚度４０％的位置为止的区域定义为表面区域，并将剩余区...

本发明公开了用于生长ＩＩＩ族氮化物晶体的方法，其包括如下步骤：准备衬底（１０），所述衬底包括构成其一个主面（１０ｍ）的ＩＩＩ族氮化物晶种（１０ａ）；通过气相腐蚀在所述衬底（１０）的所述主面（１０ｍ）上形成多个小平面（１０ｍｓ、１０ｍｔ、...

本发明提供一种能够通过以下方法制得的分离膜元件，在所述方法中，首先将中空纤维状多孔分离膜的端部浸渍在树脂液中，然后将该树脂固化，从而形成膜密封部分，所述分离膜元件的特征在于：膜密封部分由铸塑树脂形成，并且在膜与膜密封部分接触的部分，中空...

本发明提供一种晶片保持体及搭载该晶片保持体的半导体制造装置，所述晶片保持体具有不产生异常过热或微粒的可靠性高的高频电极电路。本发明提供晶片保持体（１０），设置于腔室内，具有埋设有高频电极电路（５）的晶片保持部（１）、从晶片保持部（１）的...

在ＧａＮ基半导体光器件（１１ａ）中，衬底（１３）的主面（１３ａ）自与沿着第一ＧａＮ基半导体的ｃ轴延伸的基准轴（Ｃｘ）正交的面起，以６３度以上且小于８０度的范围的倾斜角向该第一ＧａＮ基半导体的ｍ轴方向倾斜。ＧａＮ基半导体外延区域（１５）设...

本发明提供了一种适于用作切削工具的构成材料的金属陶瓷，以及被覆金属陶瓷工具，其中这种切削工具具有优异的抗破裂性，并且使切削工具能够切削被加工件，从而在被加工件上形成高质量的加工面。这种金属陶瓷包含由化合物构成硬质相、以及主要由铁族元素构...

本发明提供一种在确保优良的耐磨损性的同时细径化的电线及其制造方法。在以同轴状顺序层叠中心导体（２）、绝缘体（４）、外部导体（６）以及外皮（７）而得到的电线（１）中，中心导体（２）通过将含有大于或等于１重量％而小于或等于３重量％的银且线径...

本发明提供一种半导体晶片的加工方法，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削（倒角）、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有０～４０重量％的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结...

氮化物类半导体光元件（ＬＥ１）中，内含应变的阱层（２１）沿着相对于与ｃ轴方向上延伸的基准轴正交的面以倾斜角（α）倾斜的基准平面（ＳＲ１）延伸。倾斜角（α）在大于５９度且小于８０度的范围及大于１５０度且小于１８０度的范围。与具有负压电电场...

本发明提供无需进行活化退火就可以提供包含ｐ型掺杂剂的氮化镓基半导体的、ｐ型氮化镓基半导体的制作方法。在生长炉（１０）中在支撑体（１３）上形成包含ｐ型掺杂剂的ＧａＮ基半导体区域（１７）。向生长炉（１０）中供给有机金属原料及氨，在ＧａＮ基半...

本发明的表面被涂敷的切削工具包含基材和在该基材上形成的涂层，所述涂层是厚度大于或等于１０μｍ的物理气相沉积层。从所述涂层的表面起算的厚度为１μｍ的表面区域具有其中累积残余应力为压应力的第一区域和其中累积残余应力为拉应力的第二区域，并且在...

本发明提供包含具有良好表面形态的氮化镓基半导体膜的ＩＩＩ族氮化物半导体器件。ＩＩＩ族氮化物半导体光器件（１１ａ）具备：ＩＩＩ族氮化物半导体支撑体（１３）、ＧａＮ基半导体区域（１５）、有源层（１７）和ＧａＮ基半导体区域（１９）。ＩＩＩ族氮...