【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，更具体地，涉及制造包括基于氮化镓的半导体层的半导体器件的方法。技术背景已知具有脊结构的半导体器件，所述脊结构在基于氮化镓 的半导体层中形成。对于在半导体器件中形成这样的脊结构的方法， 已经提出了多种方法。例如，专利3604278号(下文中称为"专利文献1")公开了 通过使用第一保护膜或光致抗蚀剂膜作为掩模进行干法腐蚀而在基于 氮化镓的半导体层中形成脊结构，其中所述第一保护膜由氧化硅构成。 在干法腐蚀之后，形成由不同于第一保护膜的材料构成的第二保护膜 以覆盖所形成的脊部(条形波导)，利用氢氟酸将用作形成脊部的掩模的 第一保护膜除去以暴露所述脊部的上表面，所述上表面将与电极接触。 第二保护膜覆盖所述脊部的侧面，且作为其构成材料，提出了Ti、 V、 Zr、 Nb、 Hf和Ta的氧化物，BN， SiC， A1N等。专利3723434号(下文中称为"专利文献2")公开了第二保 护膜具有多层膜结构，所述多层膜结构包括作为与脊部接触的层的氮 化物膜和作为最远离所述脊部的层的氧化物膜。专利文献2还公开了 一种仅在脊部的上表面上形成电极的结构。作为形成脊部和覆...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 准备基于氮化镓的半导体层的步骤，所述基于氮化镓的半导体层构成半导体器件； 在所述基于氮化镓的半导体层上形成第一膜的步骤； 形成第二膜的步骤，其中所述第二膜由用碱性腐蚀剂腐蚀时的腐蚀 速度比第一膜的构成材料小的材料构成，且具有图案； 通过使用所述第二膜作为掩模进行腐蚀而部分除去所述第一膜和所述基于氮化镓的半导体层，以在所述第二膜下面的区域中的所述基于氮化镓的半导体层中形成脊部的步骤； 通过利用所述碱性腐蚀剂进 行腐蚀而将所述第一膜的位于所述脊部上的端部除去，以使所述第一膜的端部位...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：北林弘之，片山浩二，荒川聪，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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