本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，在相对于基板相对地移动的狭缝喷嘴的前方侧配置有喷嘴防护件的基板处理装置中，能够不残留液体成分且有效去除附着于喷嘴防护件的异物，实现稳定且高品质的生产。本发明中，一边在使狭缝喷嘴的喷出口接近基板的...

本发明提供一种可在基板的主面上更均一地使药液开始作用的技术。本发明的基板处理方法包含步骤(S1)(保持工序)、步骤(S3)(预湿工序)、及步骤(S4)(药液处理工序)。在步骤(S1)中，保持在主面具有复数个裸片的基板。在步骤(S3)中，...

本发明提供一种解析方法以及评价方法，在基板处理装置中定量地解析基板上的液膜的状态。解析方法在基板处理装置中，对供给至旋转的基板的液体在所述基板上的液膜的状态进行解析，具有以下工序：根据拍摄基板的表面而得的影像的预定区域的各像素的亮度值计...

本发明涉及一种描绘装置。评价值获取部(803)针对由校准照相机(53)获取到的上述复数个检测图像中包含的两个以上的规定数量的检测图像的集合即检测图像组，求出各检测图像中的校准图案的位置即图案位置，求出变动评价值。该变动评价值表示检测图像...

半导体元件形成方法包括：步骤(S10)，形成第1被覆膜(Ps1)，上述第1被覆膜(Ps1)被覆设置于由基材(S)支撑的层叠构造L的凹槽(R)；步骤(S20)，形成第2被覆膜(Ps2)，上述第2被覆膜(Ps2)自第1被覆膜(Ps1)上选择...

基板处理装置(100)将基板(W)浸渍于作为贮存于内槽(112)的处理液(L)的贮存处理液(L1)进行基板(W)的处理。基板处理装置(100)具备气泡供给部(130)和循环部(160)。气泡供给部(130)向贮存处理液(L1)供给气泡(...

本发明的基板处理方法在不生成四氧化钌的情况下适当地蚀刻含钌层。基板处理方法具备以下工序：准备在表面设置有含钌层(93)的基板(9)；使含有氯及水且不包含氧化剂的蚀刻液(71)与基板(9)上的含钌层(93)接触；以及对蚀刻液(71)所接触...

本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。本发明的衬底处理方法包括：外侧蚀刻工序，通过将蚀刻液供给到包含端面、内表面及蚀刻对象的衬底，而对外侧部进行蚀刻，所述内表面形成宽度小于深度且在端面开口的间隙，所述蚀刻对象包含配置在间隙之外的外侧...

本发明提供一种基板处理系统，其具备第一处理装置、第二处理装置和综合控制装置。第一处理装置基于作业对基板执行第一处理。第二处理装置基于作业对基板执行第二处理。综合控制装置基于从外部控制装置接收到的综合作业的制作命令来生成第一虚拟作业和第二...

本发明提供一种减压干燥装置，能使减压干燥时间隙在基板面内均匀化而抑制涂布膜的干燥不均的产生。减压干燥装置包括：顶板部，具有与由基板支撑部支撑的基板的上表面相向的相向面；顶板升降部，在处理空间内，使顶板部在相向面接近由基板支撑部支撑的基板...

本发明提供一种减压干燥装置，能使减压干燥时间隙在基板面内均匀化而抑制涂布膜的干燥不均的产生。在减压干燥装置中，多个按压销从罩部的顶棚面朝向基板经由顶板部的贯通孔而悬吊。而且，通过罩部的下降，罩部的下表面与基座部的上表面密接而形成处理空间...

本发明提供能够防止拒水化剂对基板造成的不良影响的基板处理装置。根据本发明的基板处理装置1，在对基板W实施拒水处理时，朝向位于腔室3内的处理槽11供给的拒水化剂蒸气在处理槽11上部的开口部12a被收集，并经由排气口被排出至腔室3外。若这样...

在基板处理装置(1)中，与沿上下方向排列的多个处理部(31)相比在上方配置有多个集合管(61a～61c)。多个集合管(61a～61c)与多个流体类别分别对应。另外，设有从多个处理部(31)趋向上方、并且供来自多个处理部(31)的排气分别...

本发明提供一种基板处理方法及装置，该基板处理方法包括：处理液供给工序，将具有溶质以及溶剂的处理液朝向基板的表面供给，处理膜形成工序，使供给至所述基板的表面的所述处理液固化或硬化，在所述基板的表面形成保持存在于所述基板的表面的去除对象物的...

本发明提供一种检查装置及检查方法，容易确认检查阈值的调整是否适当。检查数据集表示基板上的复数个检查区域的位置信息，并表示针对各检查区域的检查的种类及检查阈值。检查数据存储部存储针对复数个基板类型的复数个检查数据集。严重缺陷图像存储部存储...

在基板处理装置(1)中，与沿上下方向排列的多个处理部(31)相比在上方配置有多个集合管(61a～61c)。多个集合管(61a～61c)与多个流体类别分别对应。另外，设有从多个处理部(31)趋向上方、并且供来自多个处理部(31)的排气分别...

本发明的基板处理方法基于预先取得的基板的周缘部相对于中央部的倾斜，而根据倾斜来调整按压力和移动速度的参数(步骤S17)。因此，由于根据每一基板的倾斜来调整参数，因此能够可靠地使基板的径向上的清洗程度变得均匀。由于在调整刷的按压力的基础上...

本发明的基板处理装置(100)具备腔室(201)、送风机构(3)、基板保持部(4)、基板旋转部(5)、第1混合液喷出部(6)及第1过热水蒸气吹出部(31)。在腔室(201)中进行基板处理。送风机构(3)对腔室(201)内送出空气。基板保...

本发明(用以进行去除覆盖于基板的覆盖膜的处理的基板处理装置)的控制部在开放第一控制阀(55)且关闭第二控制阀(69)的状态下对腔室(32)内供给臭氧气体并处理基板(W)后，关闭第一控制阀且开放第二控制阀，在对腔室内供给非活性气体时使吸引...

基板处理装置(100)具备腔室(201)、基板保持部(3)、处理空间形成部(70)、基板旋转部(4)、处理液供给部(600)及过热水蒸气吹出部(8)。腔室(201)收容基板(W)。基板保持部(3)在腔室(201)内保持基板(W)。处理空...