株式会社迪斯科专利技术

株式会社迪斯科共有125项专利

  • 一种切割装置,包括带有盒台的盒放置机构,使盒中可放置通过胶粘带支撑于环形支撑框架的工件,盒放置机构包括设置在盒台下面的紫外线辐射单元,可放置通过胶粘带支撑于支撑框架的工件,用紫外线辐射胶粘带;和升降机构,可将放置在盒台上的盒定位于第一工...
  • 一种加工设备,该装置包括一个可旋转安装的转轴,一个用于可旋转地驱动所述转轴的旋转驱动源,一个可拆卸式地安装在所述转轴上的旋转刀具,以及至少一个螺纹连接到所述转轴上用于将所述旋转刀具安装在所述转轴上的螺纹件。该加工设备还设有选择性旋转止动...
  • 分割半导体晶片的方法包括:用于管芯键合的键合膜粘附于半导体晶片背面的键合膜粘附步骤;粘贴可延伸保护性粘附带至背面粘附有键合膜的半导体晶片键合膜一侧上的保护性粘附带粘贴步骤;沿间隔通过施加激光束把粘贴了保护性粘附带的半导体晶片分割成单个半...
  • 一种倒装芯片贴合机包括基片保持装置,以及用于将具有多个从其前表面突出的电极的半导体芯片贴合到要被执行的且保持在该基片保持装置上的基片上的芯片贴合机,其中,该倒装芯片贴合机包括:用于保持半导体芯片的夹持台,其可以移动到半导体芯片接入区域、...
  • 一种激光加工机床包括一个用于保持工件的卡盘工作台和一个用于施加激光到被保持在卡盘工作台的工件的激光施加装置,其中机床还包括在激光加工之前在工件的待加工表面上形成保护膜的保护膜形成装置。
  • 由半导体基板形成的背面层、在该背面层的上面叠层的绝缘层、在该绝缘层的上面叠层半导体薄膜层、在该半导体薄膜层的表面上形成的回路构成的SOI基板的加工方法中,包括:磨削该背面层、残留规定的厚度的磨削工序,以及将利用该磨削工序形成规定厚度的该...
  • 一种通过把具有以网格状形式形成在正面的多个道的半导体晶片分割成单个半导体芯片以及把用于管芯接合的粘结薄膜附着到单个半导体芯片的背面而制造半导体芯片的方法,它包括分割槽形成步骤,用于从半导体晶片的正面沿着道形成具有预定的深度的分割槽;保护...
  • 一种激光束处理方法,包括:在吸盘台上保持盘状工件,所述盘状工件具有形成在其正面上的呈格状图案的分割线;以及沿着所述分割线施加能够穿透所述盘状工件的激光束给保持在所述吸盘台上的所述盘状工件,从而沿着所述分割线在所述盘状工件内形成损坏层,其...
  • 一种利用激光束的加工设备,该加工设备能够沿着切割线有效地形成所需厚度的损蚀区域。来自激光束发生装置的激光束聚焦为不是一个单个的聚焦光斑,而是聚焦为在光轴方向上移置的至少两个聚焦光斑。
  • 本发明提供了一种用于沿着分割线分割盘状工件的装置,所述盘状工件被放置在附在环状框架上的保护带的顶面上,盘状工件具有沿着分割线的降低的强度,所述装置包括:框架保持装置,用于保持所述环状框架;带展开装置,用于扩展附着在保持在所述框架保持装置...
  • 一种通过使用激光束沿切割道充分精确地分割半导体晶片的方法,同时完全避免或抑制在半导体晶片正面上的矩形区域中形成的电路变脏,而不使正面上的矩形区域产生缺口。从半导体基底的背面和正面的其中之一的旁边应用激光束,并将激光束聚焦于半导体基底的背...
  • 一种用于半导体晶片的激光束处理方法,该半导体晶片具有形成在半导体基底前表面上的低电介质绝缘膜,被网格道分划的多个电路,和部分形成在每个网格道上的测试金属图案,该方法包括:激光束处理步骤用于在不同处理环境下,把激光束射到金属图案所在区域和...
  • 一种加工晶片的方法,该晶片在由正面上的以格状图案设置的切割道分开的多个区域中具有器件,以在其背面上形成金属薄膜,其中用于沿在晶片上形成的切割道应用能穿过晶片的激光束以形成弱化层的激光束应用步骤在用于在晶片背面上形成金属薄膜的金属薄膜形成...
  • 一种晶片加工方法,用于沿着分割线分割该晶片,该晶片具有形成在由分割线截取的多个区域中的光学器件,分割线在前表面上以晶格图案形成,该方法包括:激光光束施加步骤,将激光光束沿着分割线从晶片的后表面的一侧施加到晶片上,从而在后表面上形成具有预...
  • 一激光加工机床,包括一个用于夹持工件的工件夹持装置和一个激光束施加装置,该激光束施加装置包括一个聚光器和一个聚焦点定位调整装置,聚光器用于向夹持在工件夹持装置上的工件施加激光束,聚焦点定位调整装置用于调整聚光器施加激光束的聚焦点位置,其...
  • 一种分割具有第一表面及平行于第一表面成形的第二表面的非金属基片的方法,包括:变质层形成步骤,通过从第一表面侧施加能够穿过非金属基片的激光束,而令其会聚点在基片内部,沿分割线在非金属基片内部形成变质层;以及变质层暴露步骤,通过研磨具有形成...
  • 本发明提供了一种沿着预定分割线分割晶片的方法,包括以下步骤:损坏层形成步骤,用于沿着所述分割线施加能够穿过晶片的脉冲激光束,以沿着所述分割线在所述晶片的内部形成损坏层;可扩展的保护带附着步骤,用于在所述损坏层形成步骤之前或之后将可扩展的...
  • 一种用于储存多个半导体片的盒子,该半导体片之间在垂直方向上具有一间隔,所述盒子具有多个支撑板,该支撑板在垂直方向上彼此间隔开。一接纳切口形成在每块支撑板的前半部分中,该接纳切口的形状对应于一吸附器的形状,该吸附器用于吸附保持半导体片。该...
  • 一种用于通过施加激光光束到预定区域而加工晶片的激光光束加工方法,包括如下步骤:在晶片将要进行加工的表面上形成吸收激光光束的树脂膜;通过树脂膜施加激光光束到晶片将要进行加工的表面上;以及在激光光束施加步骤之后去掉树脂膜。
  • 一种利用激光束的处理装置,其包括保持工件的保持装置;和激光束施加装置,利用能够通过工件的脉冲激光束照射由保持装置保持的工件,由此损蚀工件。激光束施加装置包括脉冲激光束振荡装置、和发送与聚焦由脉冲激光束振荡装置振荡产生的脉冲激光束的发送/...