【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种激光束处理方法,包括在吸盘台上保持盘状工件,该盘状工件具有在正面以格状图案形成的分割线;以及沿着分割线向保持在吸盘台上的盘状工件施加能够穿透该盘状工件的激光束,从而沿着分割线在该盘状工件的内侧形成损坏层。本专利技术还涉及一种激光束处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中,通过在大致为盘状半导体晶片中以格状图案形成的切割道(分割线)分为多个区域,在每个分开的区域中形成诸如IC或LSI电路(大规模集成电路)。沿着分割线分割半导体晶片,将其分割为电路形成区域,从而制造单个的半导体芯片。同样沿着分割线切割具有层叠在蓝宝石基板上的氮化镓复合半导体层或类似物的光学器件晶片,将其分割成单个光学器件,例如广泛用于电气设备中的发光二极管、激光二极管等。通常通过称作“切块机”的切割机器沿着分割线切割上述半导体晶片或光学器件晶片。这种切割机器包括吸盘台,用于保持诸如半导体晶片或光学器件晶片的工件;切割装置,用于切割保持在吸盘台上的工件;以及移动装置,用于使吸盘台和切割装置彼此相对移动。切割装置包括一高速旋转旋转轴和装配到该轴上的切割片。该切割片包括盘状基体和 ...
【技术保护点】
一种激光束处理方法,包括:在吸盘台上保持盘状工件,所述盘状工件具有在其正面上以格状图案形成的分割线;以及沿着所述分割线向保持在所述吸盘台上的所述盘状工件施加能够穿透所述盘状工件的激光束,从而沿着所述分割线在所述盘状工件内形成损坏层,其中,还包括以下步骤:高度位置探测步骤,用于沿着所述分割线探测保持在吸盘台上的所述盘状工件的被施加所述激光束的一侧的表面的高度位置;以及激光束施加步骤,用于沿着所述分割线向所述盘状工件施加激光束,同时控制对应于在所述高度位置探测步骤 中探测到的高度位置的所述激光束的焦点位置的位置。
【技术特征摘要】
JP 2003-7-9 272483/031.一种激光束处理方法,包括在吸盘台上保持盘状工件,所述盘状工件具有在其正面上以格状图案形成的分割线;以及沿着所述分割线向保持在所述吸盘台上的所述盘状工件施加能够穿透所述盘状工件的激光束,从而沿着所述分割线在所述盘状工件内形成损坏层,其中,还包括以下步骤高度位置探测步骤,用于沿着所述分割线探测保持在吸盘台上的所述盘状工件的被施加所述激光束的一侧的表面的高度位置;以及激光束施加步骤,用于沿着所述分割线向所述盘状工件施加激光束,同时控制对应于在所述高度位置探测步骤中探测到的高度位置的所述激光束的焦点位置的位置。2.一种激光束处理装置,用于沿着分割线向保持在吸盘台上的所述盘状工件施加能够穿透盘状工件的激光束,从而沿着所述分割线在所述盘状工件内形成损坏层,所述分割线以格状图案形成在所述盘状工件的正面,所述装置包括吸盘台,用于保持所述盘状工件;激光束施加装置,用于将激光束施加到保持在所述吸盘台上...
【专利技术属性】
技术研发人员:重松孝一,永井祐介,
申请(专利权)人:株式会社迪斯科,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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