半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包括熔片布线（３）、在该熔片布线（３）上介于绝缘膜（８Ｂ）的熔断部（１）、连接熔断部（１）和熔片布线（３）的插塞（７）。这里，位于熔断部（１）上的绝缘膜（８）的厚度（Ｔ１）小于位于熔片布线（３）上的绝缘膜（８）的厚度（Ｔ２）。位于熔片布线（３）上的绝缘膜（８）具有熔片布线（３）不因激光照射而熔断的充分的厚度（Ｔ２）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，尤其涉及具有熔片部的半导体装置。
技术介绍
作为具有熔片构造的以往的半导体装置，可例举出特开平7-273200号公报(现有例1)中记载的内容等。在现有例1中披露的方法是，作为修正半导体存储器的电路图案缺陷的修复技术，在芯片内设置预备存储单元(冗长电路)，当出货前确认出原来的存储单元缺陷时，通过用激光束切断规定的熔片，来从线上分离发生缺陷的存储单元，并使预备的存储单元成为有效状态。进一步在现有例1中披露的半导体装置是，使该方法所用的熔片本身微细化，使熔片配置的间隔变窄，此时使熔片切断区域以外的绝缘膜等的损伤达到最小限度，并且防止相邻的熔片切断，为此具有并列配置的多个熔片，在这种半导体装置中，用可反射熔片切断用束的铝等组成的反射板覆盖多个熔片，在该反射板中与上述各熔片对应开口多个束照射窗，并且在熔片的长度方向错开配置这些多个束照射窗的相邻的2个束照射窗。但是，在上述的半导体装置中，存在以下问题。在熔片切断时，通过基于激光束的瞬间加热，该熔片与氧化膜(绝缘膜)一起爆发式地被切断。在此，由于上述的爆发冲击，存在对切断部分以外的熔片布线及绝缘膜造成损害的悬念。这里本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：熔片布线；在所述熔片布线的上方介于绝缘膜形成的熔片部；连接所述熔片布线和所述熔片部的连接部，所述熔片部和所述熔片布线同材质形成，在与所述熔片布线的延长方向垂直方向的断面中 的所述熔片部的断面积小于在与所述熔片布线的延长方向垂直方向的断面中的该熔片布线的断面积。

【技术特征摘要】
JP 2003-7-10 195021/031.一种半导体装置，包括熔片布线；在所述熔片布线的上方介于绝缘膜形成的熔片部；连接所述熔片布线和所述熔片部的连接部，所述熔片部和所述熔片布线同材质形成，在与所述熔片布线的延长方向垂直方向的断面中的所述熔片部的断面积小于在与所述熔片布线的延长方向垂直方向的断面中的该熔片布线的断面积。2.一种半导体装置，包括熔片布线；在所述熔片布线的上方介于绝缘膜形成的熔片部；连接所述熔片布线和所述熔片部的连接部，所述绝缘膜包含由高密度等离子体(Hige Density Plasma)形成的氧化膜。3.一种半导体装置，包括熔片布线；在所述熔片布线的上方介于绝缘膜形成的熔片部；连接所述熔片布线和所述熔片部的连接部，在所述熔片布线上设置吸收激光的能量吸收层。4.一种半导体装置，包括熔片布线；在所述熔片布线的上方介于绝缘膜形成的熔片部；连接所述熔片布线和所述熔片部的连接部，在所述熔片布线上设置反射激光的激光反射层。5.一种半导体装置，包括熔片布线；在所述熔片布线的上方介于绝缘膜形成的熔片部；连接所述熔片布线和所述熔片部的连接部，所述熔片布线的...

【专利技术属性】
技术研发人员：半治彦士，松井康浩，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]