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半导体装置包括熔片布线（３）、在该熔片布线（３）上介于绝缘膜（８Ｂ）的熔断部（１）、连接熔断部（１）和熔片布线（３）的插塞（７）。这里，位于熔断部（１）上的绝缘膜（８）的厚度（Ｔ１）小于位于熔片布线（３）上的绝缘膜（８）的厚度（Ｔ２）。位于...
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