本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：绝缘基板；第一器件结构和第一保护层，所述第一器件结构形成于所述绝缘基板的第一表面，所述第一保护层覆盖所述第一器件结构；第二器件结构和第二保护层，所述第二器件结构形成于所述绝缘基板...

本发明提供一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成外延层；在外延层上形成栅极介电层，在栅极介电层上形成间隔设置的伪栅极结构；执行第一离子注入，以在外延层中形成第一导电类型阱区；在伪栅极结构的侧壁形成侧墙，执行第二...

本发明涉及一种结型场效应晶体管制备方法及结型场效应晶体管。所述方法包括：在第一半导体材料层内形成三个依次排列的掺杂区，包括中间的第一类型掺杂区和所述第一类型掺杂区两侧的第二类型掺杂区；三个所述掺杂区的导电类型均与所述第一半导体材料层的导...

本申请实施例涉及一种避免解键合印记的方法及功率器件的制备方法，通过提供键合晶圆对，键合晶圆对包括彼此键合的第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有朝向第二晶圆的键合面和远离第二晶圆的背面，第一晶圆的背面上形成有第一金属层；执行氧化工艺，以使第一...

本发明涉及一种垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器。所述方法包括：提供依次层叠的第一导电半导体层和有源层；在有源层上外延生长第一半导体材料，并降低第一半导体材料的电导率以形成电流注入阻隔层；在电流注入阻隔层上刻蚀出具有预设尺...

本发明提供一种半导体测试电路，半导体测试电路包括：第一电路，所述第一电路包括第一二极管和被测器件，所述第一二极管的正极与所述被测器件的源极电连接；第二电路，所述第二电路包括第二二极管和陪测器件，所述第二二极管的负极与所述陪测器件的漏极电...

本发明提供一种多通道沟槽型MOS器件及其制作方法，所述多通道沟槽型MOS器件包括：衬底；外延层，设置于所述衬底上，所述外延层中形成有多个第一器件单元和多个第二器件单元，所述第一器件单元和所述第二器件单元交替排列，其中：每个所述第一器件单...

本申请实施例涉及一种芯片失效分析方法，包括：对芯片的背面进行开封；在芯片的背面做失效定位并在定位到的失效位置处形成背面标记；对芯片的正面进行开封；利用光透过开封后的芯片，使背面标记在芯片的正面显现，并在芯片的正面形成与背面标记位置重合的...

本实用新型提供一种测量夹具及测量系统，用于测量器件的阈值电压，测量夹具包括线路板，以及安装在线路板上的单稳态电路和开关电路，线路板用于电连接待测试器件的栅极、源极和漏极；单稳态电路经由开关电路连接待测试器件的栅极和源极，单稳态电路用于当...

本发明公开了一种异质结双极型晶体管及其制作方法，所述异质结双极型晶体管包括由下至上依次设置的衬底、亚集电区、隧穿结构、集电区、基区、发射区、发射区盖层和欧姆接触层；其中，所述隧穿结构包括交替设置的第一导电类型离子掺杂层和第二导电类型离子...

本发明提供了一种沟槽型MOS器件的制造方法，采用碳膜层和氮氧化硅层作为硬掩膜层，所述碳膜层和所述氮氧化硅层具有很高的刻蚀选择比，由此，可以采用较薄的氮氧化硅层，以形成小尺寸的开口用以执行离子注入工艺并且还易于控制所形成的开口的形貌，从而...

本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，沟槽型栅极结构的第二侧的晶面迁移率高于沟槽型栅极结构的第一侧的晶面迁移率，与此相对应的，第二阱区的深度较第一阱区的深度深和/或第二阱区的掺杂浓度较第一阱区的掺杂浓度浓，所述第二阱区位于所述沟...

本申请实施例涉及一种硅基砷化镓外延结构的制备方法、硅基砷化镓外延结构、激光器的制备方法以及激光器，其中，方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上外延生长成核层，成核层的材料包括第一半导体材料；在成核层上外延生长第一过渡层，第一过渡层的材料包括第...

本发明提供一种功率放大器，其偏置电路与其功率放大核心电路通过同一接地导电结构共地，从而可以利用接地导电结构的寄生参数使得功率放大核心电路中的功率管的发射极端的直流电压随着输入功率的增加而升高，由此可以在输入功率增加时，提升偏置电路中相应...

本发明公开了欧姆接触结构及其制作方法、碳化硅器件及制作方法，通过使用功函数不同的两种金属作为欧姆接触材料分别在不同导电类型的掺杂区上形成不同的欧姆接触，同时有效降低P型和N型的比接触电阻，从而提高了器件的防电压电流突变造成器件反向击穿的...

本申请实施例涉及一种常闭型晶体管及其制备方法，其中，常闭型晶体管包括：半导体外延叠层，半导体外延叠层的至少部分区域用于形成二维电子气通道；源极，与二维电子气通道直接接触，源极与二维电子气通道之间形成具有肖特基势垒的阻挡型接触界面；漏极，...

本发明提供一种MOSFET器件及其制造方法，先利用图形化掩膜进行第一离子的注入来形成不易扩散的阱区，再利用图形化掩膜及其侧壁上的侧墙，与源区自对准地进行第二离子的注入，进而利用第二离子相对第一离子更易扩散的特性，形成位于阱区底部且与阱区...

本申请实施例涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底，包括在厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面；漏极沟槽，从衬底的第一表面延伸至衬底的内部；氮化镓基外延叠层，在衬底的第一表面上以及漏极沟槽的内表面上延伸，氮化镓基外...

本申请实施例涉及一种外延结构的制备方法、外延结构、半导体器件的制备方法以及半导体器件，通过在衬底上外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长第一高阻半导体层；去除部分第一高阻半导体层，形成至少两个从第一高阻半导体层的上表面延伸至第一高阻半导体层...

本发明实施例涉及一种沟槽栅晶体管及其制备方法，沟槽栅晶体管包括：半导体材料层、栅极沟槽、栅极、栅介质层、第一电场屏蔽结构和第二电场屏蔽结构；第一电场屏蔽结构和栅介质层在栅极沟槽的侧壁所在的平面上的投影至少部分重合；第二电场屏蔽结构和栅介...