碳化硅MOS器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，沟槽型栅极结构的第二侧的晶面迁移率高于沟槽型栅极结构的第一侧的晶面迁移率，与此相对应的，第二阱区的深度较第一阱区的深度深和/或第二阱区的掺杂浓度较第一阱区的掺杂浓度浓，所述第二阱区位于所述沟槽型栅极结构的第二侧的所述碳化硅外延层中，所述第一阱区位于所述沟槽型栅极结构的第一侧的所述碳化硅外延层中。由此，能够平衡所述沟槽型栅极结构两侧的晶面迁移率差异引起的栅极开启的一致性差异，从而提高了栅极开启的一致性，进而提高了碳化硅MOS器件的性能与可靠性。高了碳化硅MOS器件的性能与可靠性。高了碳化硅MOS器件的性能与可靠性。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅MOS器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种碳化硅MOS器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]碳化硅是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，与其他半导体材料相比，碳化硅具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、低介电常数和高热导率等优点。因此，碳化硅在高温、高频率、高功率的应用场合是极为理想的材料。在同样的耐压和电流条件下，碳化硅器件的漂移区电阻要比硅低200倍，即使高耐压的碳化硅MOS器件的导通压降，也比单极型、双极型硅器件低得多。而且，碳化硅器件的开关时间可达10ns级。
[0003]目前通用的碳化硅MOS器件存在栅极开启的一致性较差的问题，如何进一步提高碳化硅MOS器件的性能，成了本领域技术人员研发和努力的方向。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种碳化硅MOS器件及其制造方法，以解决现有技术中的碳化硅MOS器件存在栅极开启的一致性较差的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种碳化硅MOS器件，所述碳化硅MOS器件包括：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅MOS器件，其特征在于，所述碳化硅MOS器件包括：碳化硅衬底以及形成于所述碳化硅衬底上的碳化硅外延层，所述碳化硅衬底和所述碳化硅外延层均为第一导电类型；沟槽型栅极结构，所述沟槽型栅极结构位于所述碳化硅外延层中，所述沟槽型栅极结构的第二侧的晶面迁移率高于所述沟槽型栅极结构的第一侧的晶面迁移率；第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区均为第二导电类型，所述第二阱区的深度较所述第一阱区的深度深和/或所述第二阱区的掺杂浓度较所述第一阱区的掺杂浓度浓，所述第一阱区位于所述沟槽型栅极结构的第一侧的所述碳化硅外延层中，所述第二阱区位于所述沟槽型栅极结构的第二侧的所述碳化硅外延层中；以及，源区，所述源区为第一导电类型，所述源区位于所述第一阱区和所述第二阱区中。2.如权利要求1所述的碳化硅MOS器件，其特征在于，所述第二侧的晶面为&lt;11
‑
20&gt;晶面，所述第一侧的晶面为非&lt;11
‑
20&gt;晶面。3.如权利要求1或2所述的碳化硅MOS器件，其特征在于，所述碳化硅MOS器件还包括：柱区，所述柱区为第二导电类型，所述柱区位于所述第一阱区和所述第二阱区侧的所述碳化硅外延层中。4.如权利要求3所述的碳化硅MOS器件，其特征在于，所述柱区的深度较所述第一阱区和所述第二阱区的深度深。5.如权利要求4所述的碳化硅MOS器件，其特征在于，所述栅极结构的深度较所述述第一阱区和所述第二阱区的深度深，并且所述栅极结构的深度较所述柱区的深度浅。6.如权利要求3所述的碳化硅MOS器件，其特征在于，所述碳化硅MOS器件还包括：与所述栅极结构电性连接的金属栅电极；与所述源区电性连接的金属源电...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐承福，王云飞，罗顶，韩玉亮，
申请(专利权)人：中芯越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：