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本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，沟槽型栅极结构的第二侧的晶面迁移率高于沟槽型栅极结构的第一侧的晶面迁移率，与此相对应的，第二阱区的深度较第一阱区的深度深和/或第二阱区的掺杂浓度较第一阱区的掺杂浓度浓，所述第二阱区位于所述沟槽型...
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