半导体测试电路制造技术

本发明专利技术提供一种半导体测试电路，半导体测试电路包括：第一电路，所述第一电路包括第一二极管和被测器件，所述第一二极管的正极与所述被测器件的源极电连接；第二电路，所述第二电路包括第二二极管和陪测器件，所述第二二极管的负极与所述陪测器件的漏极电连接；电感，跨接于所述第一电路和所述第二电路；其中，所述第一电路和所述第二电路并联连接，且所述第一二极管的负极接入供电电路，所述第二二极管的正极接地；控制模块，连接所述被测器件和所述陪测器件，用于控制所述被测器件和所述陪测器件，以对所述被测器件进行测试。本申请的半导体测试电路可以长时间工作，测试时的可靠性、稳定性高。稳定性高。稳定性高。

【技术实现步骤摘要】
半导体测试电路


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体测试电路。

技术介绍

[0002]第三代半导体例如碳化硅(SiC)等具有众多自身优势和技术优势，其所制成的器件在生活中运用十分广泛。与硅器件相比，碳化硅器件具有更大数量的杂质缺陷，因此碳化硅通过具有比硅器件更高的早期失效概率。
[0003]为了提高碳化硅器件的可靠性，需要通过电气终端测试例如2021年新AQG324标准中的DRB(动态反向偏置)测试、DGS(动态栅极压力)等对碳化硅器件进行筛查，以识别并剔除可能有缺陷的碳化硅器件。
[0004]相关技术中，通常采取常规的双脉冲电路对碳化硅器件进行测试，但是常规的双脉冲电路无法长时间工作，测试时的可靠性、稳定性差。
[0005]鉴于上述技术问题的存在，本专利技术提供一种新的半导体测试电路，以至少部分地解决上述问题。

技术实现思路

[0006]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0007]针对目前存在的问题，本专利技术一方面提供一种半导体测试电路，包括：第一电路，所述第一电路包括第一二极管和被测器件，所述第一二极管的正极与所述被测器件的源极电连接；第二电路，所述第二电路包括第二二极管和陪测器件，所述第二二极管的负极与所述陪测器件的漏极电连接；电感，跨接于所述第一电路和所述第二电路；其中，所述第一电路和所述第二电路并联连接，且所述第一二极管的负极接入供电电路，所述第二二极管的正极接地；控制模块，连接所述被测器件和所述陪测器件，用于控制所述被测器件和所述陪测器件，以对所述被测器件进行测试。
[0008]在本申请的一个实施例中，所述控制模块包括：驱动单元，与所述被测器件和所述陪测器件电连接；处理器，与所述电感单元和所述驱动单元电连接；所述控制模块用于获取流经所述电感的电流，并基于所述电流控制所述驱动单元，以调节所述电流。
[0009]在本申请的一个实施例中，所述控制模块还包括与所述处理器电连接的电流传感器和信号放大器，其中，所述电流传感器用于采集流经所述电感的电流，所述信号放大器用于对所述电流传感器采集的电流进行放大并向所述处理器发送，所述处理器用于基于所述信号放大器发送的电流控制所述驱动单元。
[0010]在本申请的一个实施例中，所述控制模块执行多个测试周期以对所述被测器件进行测试，每个所述测试周期包括：在第一阶段，打开所述陪测器件，关闭所述被测器件；在第二阶段，打开所述被测器件，并保持所述陪测器件打开；在第三阶段，关闭所述被测器件，并
保持所述陪测器件打开；在第四阶段，关闭所述陪测器件，并保持所述被测器件关闭。
[0011]在本申请的一个实施例中，所述控制模块还用于根据所述电流控制所述第二阶段和所述第四阶段的时长，其中在所述电流满足设定电流值以前，所述第二阶段的时长大于所述第四阶段的时长；在所述电流满足所述设定电流值后，调整所述第二阶段的时长和所述第四阶段的时长相等。
[0012]在本申请的一个实施例中，所述控制模块还用于根据所述电流控制所述第二阶段的持续时间，其中，所述控制模块持续所述第二阶段，直到所述电流满足设定电流值；
[0013]在所述电流满足所述设定电流值后，调整所述第二阶段的时长和所述第四阶段的时长相等。
[0014]在本申请的一个实施例中，在调整所述第二阶段的时长和所述第四阶段的时长相等之前，所述被测器件中的漏源电压变化率为45～55v/nS，所述被测器件中的栅极电压变化率为0.5～1.5v/nS。
[0015]在本申请的一个实施例中，对所述被测器件进行测试的测试项目包括动态反向偏置和动态栅极压力测试。
[0016]在本申请的一个实施例中，所述被测器件包括氮化硅MOSFET器件。
[0017]本专利技术的半导体测试电路，通过增加包括第二二极管和陪测器件的第二电路，在半导体测试电路关断期间电感通过第一二极管和第二二极管形成的回路进行放电，从而避免了电感的电流发生饱和，半导体测试电路可以长时间工作，测试时的可靠性、稳定性高。
附图说明
[0018]本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。
[0019]附图中：
[0020]图1示出了常规的双脉冲电路的电路结构图；
[0021]图2示出了本专利技术一个具体实施方式的半导体测试电路的电路结构图；
[0022]图3示出了本专利技术一个具体实施方式的测试周期的流程框图；
[0023]图4示出了本专利技术一个具体实施方式的半导体测试电路中电流流向的示意图；
[0024]图5示出了本专利技术一个具体实施方式的半导体测试电路中电流随时间变化的示意图。
具体实施方式
[0025]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0026]应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0027]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0028]空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体测试电路，其特征在于，包括：第一电路，所述第一电路包括第一二极管和被测器件，所述第一二极管的正极与所述被测器件的源极电连接；第二电路，所述第二电路包括第二二极管和陪测器件，所述第二二极管的负极与所述陪测器件的漏极电连接；电感，跨接于所述第一电路和所述第二电路；其中，所述第一电路和所述第二电路并联连接，且所述第一二极管的负极接入供电电路，所述第二二极管的正极接地；控制模块，连接所述被测器件和所述陪测器件，用于控制所述被测器件和所述陪测器件，以对所述被测器件进行测试。2.如权利要求1所述的半导体测试电路，其特征在于，所述控制模块包括：驱动单元，与所述被测器件和所述陪测器件电连接；处理器，与所述电感单元和所述驱动单元电连接；所述控制模块用于获取流经所述电感的电流，并基于所述电流控制所述驱动单元，以调节所述电流。3.如权利要求2所述的半导体测试电路，其特征在于，所述控制模块还包括与所述处理器电连接的电流传感器和信号放大器，其中，所述电流传感器用于采集流经所述电感的电流，所述信号放大器用于对所述电流传感器采集的电流进行放大并向所述处理器发送，所述处理器用于基于所述信号放大器发送的电流控制所述驱动单元。4.如权利要求2或3所述的半导体测试电路，其特征在于，所述控制模块执行至少一个测试周期以对所述被测器件进行测试，每个所述测试周期包括：在第一阶段，打开所述陪测器...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹志豪，郑科科，
申请(专利权)人：中芯越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：