一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路制造技术

本发明专利技术公开了一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路，属于半导体技术领域，包括一级控制IGBT和待测器件，所述待测器件的一端连接一级控制IGBT，一级控制IGBT的另一端连接负载电流源I

【技术实现步骤摘要】
一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体是一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路。

技术介绍

[0002]针对半导体功率器件功率循环试验，以MOSFET的正向加热反向测结温为例，现有的测试电路如图1所示，其中I
L
为负载电流源，I
sense
为测量电流源。MOSFET可根据测试需要更换为IGBT等功率器件模块，对应的测量电流源流向、栅极控制信号等也随之改变。
[0003]现有的测试电路中，待测器件下桥臂的三个器件或三颗芯片共源极以形成电流回路，而待测器件上桥臂的三个器件或三颗芯片没有共漏极。针对共漏极的MOSFET或共集电极的IGBT模块，该测试电路无法满足要求。原因是上桥臂共漏极时，此测试电路在反向测结温时，测量电流源会由于其他支路的导通而从负载电流回路流通，无法流经待测支路MOSFET的反向二极管，故无法进行结温测量。如第一条支路的测量电流也会流过第二、三条支路，导致第一条支路待测器件流过电流下降，其结温测量发生偏差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路，包括一级控制IGBT和待测器件，所述待测器件的一端连接一级控制IGBT，一级控制IGBT的另一端连接负载电流源I
L
，还包括二级控制IGBT，二级控制IGBT的一端连接待测器件的另一端，二级控制IGBT的另一端连接负载电流源I
L
的另一端。
[0007]作为本专利技术的进一步技术方案：所述一级控制IGBT包含三个并联连接的IGBT，待测器件上桥臂的三个器件分别连接一级控制IGBT中三个IGBT的源极。
[0008]作为本专利技术的进一步技术方案：所述二级控制IGBT包含三个并联连接的IGBT，待测器件下桥臂的三个器件分别连接二级控制IGBT中三个IGBT的漏极。
[0009]作为本专利技术的进一步技术方案：每条支路的一级控制IGBT和二级控制IGBT共用栅极信号。
[0010]作为本专利技术的进一步技术方案：每条支路上的待测器件上、下桥臂的两个器件共用栅极信号。
[0011]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术的针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路适用性强、能满足特殊器件类型的测试要求、可靠性高。
附图说明
[0012]图1为现有的功率循环测试电路图。
[0013]图2为本专利技术的功率循环测试电路图。
[0014]图3为以支路1和支路2换相为例控制时序图。
具体实施方式
[0015]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0016]请参阅图2，一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路，包括一级控制IGBT和待测器件，所述待测器件的一端连接一级控制IGBT，一级控制IGBT的另一端连接负载电流源I
L
，还包括二级控制IGBT，二级控制IGBT的一端连接待测器件的另一端，二级控制IGBT的另一端连接负载电流源I
L
的另一端。
[0017]一级控制IGBT包含三个并联连接的IGBT，待测器件上桥臂的三个器件分别连接一级控制IGBT中三个IGBT的源极。二级控制IGBT包含三个并联连接的IGBT，待测器件下桥臂的三个器件分别连接二级控制IGBT中三个IGBT的漏极。因此组成三条测试支路，三条测试支路从左向右依次命名为支路1、支路2、支路3，对各支路控制时序的说明如下。以一个周期，支路1和支路2换相时的控制时序为例进行说明，如图3。其中，每条支路的一级控制IGBT和二级控制IGBT共用栅极信号，每条支路的两个待测器件共用栅极信号。所提出的测试电路在此时序控制下能够实现共漏极MOSFET或共集电极IGBT的功率循环测试。
[0018]对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0019]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路，包括一级控制IGBT和待测器件，所述待测器件的一端连接一级控制IGBT，一级控制IGBT的另一端连接负载电流源I
L
，其特征在于，还包括二级控制IGBT，二级控制IGBT的一端连接待测器件的另一端，二级控制IGBT的另一端连接负载电流源I
L
的另一端。2.根据权利要求1所述的一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路，其特征在于，所述一级控制IGBT包含三个并联连接的IGBT，待测器件上桥臂的三个器件分别连接一级控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓二平，潘茂杨，赵辉，赵雨山，黄永章，
申请(专利权)人：华电烟台功率半导体技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：