MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备技术

本公开提供一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备。该测试方法中，在老化阶段，向所述MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加驱动信号，所述驱动信号为矩形波，所述矩形波的上升沿斜率可调，且可调范围在50V/μs至1200V/μs的范围内，所述矩形波的下降沿斜率可调，且可调范围在100V/μs至1200V/μs的范围内。1200V/μs的范围内。1200V/μs的范围内。

【技术实现步骤摘要】
MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备


[0001]本公开属于半导体器件测试
，具体涉及一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法和测试设备。

技术介绍

[0002]本部分旨在为权利要求书中陈述的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
[0003]MOS型半导体器件例如是金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。MOS型半导体器件的阈值电压稳定性相对较差。故需要对MOS型半导体器件的阈值电压稳定性进行测试。

技术实现思路

[0004]本公开提供一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备。
[0005]本公开采用如下技术方案：一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法，包括：
[0006]在老化阶段，向所述MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加驱动信号，所述驱动信号为矩形波，所述矩形波的上升沿斜率可调，且可调范围在50V/μs至1200V/μs的范围内，所述矩形波的下降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法，其特征在于，包括：在老化阶段，向所述MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加驱动信号，所述驱动信号为矩形波，所述方波的上升沿斜率可调，且可调范围在50V/μs至1200V/μs的范围内，所述矩形波的下降沿斜率可调，且可调范围在100V/μs至1200V/μs的范围内。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述MOS型半导体器件为N型，所述驱动信号的高电平稳定电压大于或等于所述MOS型半导体器件的阈值电压，且小于或等于30V，所述驱动信号的低电平稳定电压小于或等于0V，且大于或等于
‑
20V；或者，所述MOS型半导体器件为P型，所述驱动信号的低电平稳定电压小于或等于所述MOS型半导体器件的阈值电压，且大于或等于
‑
30V，所述驱动信号的高电平稳定电压大于或等于0V，且小于或等于20V。3.一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法，其特征在于，包括：在老化阶段，向所述MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加驱动信号，所述驱动信号可表示为矩形波与至少一个震荡衰减信号的叠加；单个所述震荡衰减信号使得所述驱动信号的上升沿的最高电压高于所述矩形波的高电平稳定电压，所述驱动信号从所述最高电压的时刻起经震荡衰减后稳定为所述矩形波的高电平稳定电压；和/或，单个所述震荡衰减信号使得所述驱动信号的下降沿的最低电压低于所述矩形波的低电平稳定电压，所述驱动信号从所述最低电压时刻起经震荡衰减后稳定为所述矩形波的低电平稳定电压。4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述驱动信号的最高电压与其高电平稳定电压的差记为ΔV
GSon
，满足：0.5V≤ΔV
GSon
≤10V；和/或，所述驱动信号的低电平稳定电压与其最低电压的差记为ΔV
GSoff
，满足：0.5V≤ΔV
GSoff
≤10V。5.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述驱动信号的上升沿斜率和下降沿斜率均大于或等于100V/μs，且均小于或等于1500V/μs。6.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述震荡衰减信号的衰减率大于或等于0.1，且小于或等于0.9。7.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述MOS型半导体器件为N型，所述矩形波的高电平稳定电压大于或等于所述MOS型半导体器件的阈值电压，且小于或等于30V，所述矩形波的低电平稳定电压小于或等于0V，且大于或等于
‑
20V；或者，所述MOS型半导体器件为P型，所述矩形波的低电平稳定电压小于或等于所述MOS型半导体器件的阈值电压，且大于或等于
‑
30V，所述矩形波的高电平稳定电压大于或等于0V，且小于或等于20V。8.一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法，其特征在于，包括：在老化阶段，向所述MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加驱动信号；所述驱动信号可表示为：在矩形波的上升沿顶点时刻起叠加一个正脉冲信号，随后所述驱动信号保持为所述矩形波的高电平稳定电压；和/或，在所述矩形波的下降沿最低点时刻起叠加一个负脉冲信号，随后所述驱动信号保持为所述矩形波的低电平稳定电压。9.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述驱动信号的最高电压与其高电平稳定电压的差记为ΔV
GSon
，满足：0V＜ΔV
GSon
≤10V；和/或，所述驱动信号的低电平稳定电压与其最低电压的差记为ΔV
GSoff
，满足：0V＜ΔV
GSoff
≤10V。
10.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述驱动信号的上升沿斜率和下降沿斜率均大于或等于100V/μs，且均小于或等于1500V/μs。11.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述MOS型半导体器件为N型，所述矩形波的高电平稳定电压大于或等于所述MOS型半导体器件的阈值电压，且小于或等于30V，所述矩形波的低电平稳定电压小于或等于0V，且大于或等于
‑
20V；或者，所述MOS型半导体器件为P型，所述矩形波的低电平稳定电压小于或等于所述MOS型半导体器件的阈值电压，且大于或等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋华平，廖瑞金，戚晓伟，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：