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本公开提供一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法、测试设备。该测试方法中，在老化阶段，向所述MOS型半导体器件的栅极和第一极之间施加驱动信号，所述驱动信号为矩形波，所述矩形波的上升沿斜率可调，且可调范围在50V/μs至1200V/μ...
该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

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