一种专用微电流可控硅模拟装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种专用微电流可控硅模拟装置，属于电气开关技术领域。该装置包括三极管T1、三极管T2、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R3和电阻R4；三极管T1的E极与A极相连；三极管T1的B极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与三极管T2的C极相连；三极管T2的E极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端与K极相连；G极与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极与三极管T2的B极相连；三极管T1的C极分别与二极管D2的正极、电阻R4的一端相连；电阻R4的另一端与K极相连；二极管D2的负极与三极管T2的B极相连。本装置结构新颖，使用方便，只需要几微安的电流就能够实现保持，易于推广应用。易于推广应用。易于推广应用。

【技术实现步骤摘要】
一种专用微电流可控硅模拟装置


[0001]本技术属于电气开关
，具体涉及一种专用微电流可控硅模拟装置。

技术介绍

[0002]可控硅(Silicon Controlled Rectifier)简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
[0003]在目前的电子电路中，有许多元器件所需电流只有几微安，例如高亮度的发光二极管，同时，有许多元器件需要保持一直工作的状态，然而可控硅的最小保持电流都在十多毫安，没有一种几微安的电流就可以实现保持的可控硅，因此如何克服现有技术的不足是目前电气开关
亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了解决现有技术的不足，提供一种专用微电流可控硅模拟装置。
[0005]为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：
[0006]一种专用微电流可控硅模拟装置，其特征在于，三极管T1、三极管T2、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R3和电阻R4；
[0007]三极管T1的E极与A极相连；
[0008]三极管T1的B极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与三极管T2的C极相连；三极管T2的E极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端与K极相连；
[0009]G极与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极与三极管T2的B极相连；
[0010]三极管T1的C极分别与二极管D2的正极、电阻R4的一端相连；电阻R4的另一端与K极相连；
[0011]二极管D2的负极与三极管T2的B极相连。
[0012]进一步，优选的是，还包括电阻R1，电阻R1的一端与二极管D1的负极，另一端与K极相连。
[0013]进一步，优选的是，三极管T1为PNP型，三极管T2为NPN型。
[0014]本技术与现有技术相比，其有益效果为：
[0015]本技术提供一种专用微电流可控硅模拟装置，该装置结构新颖，使用方便，采用三极管T1和三极管T2等元器件联合实现可控硅的功能，且只需要几微安的电流就能够实现保持，大大提高电能的利用率，适用于高亮度的发光二极管等元器件，易于推广应用。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例
或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为本技术专用微电流可控硅模拟装置的结构示意图。
具体实施方式
[0018]下面结合实施例对本技术作进一步的详细描述。
[0019]本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本技术，而不应视为限定本技术的范围。实施例中未注明具体技术、连接关系或条件者，按照本领域内的文献所描述的技术、连接关系、条件或者按照产品说明书进行。所用材料、仪器或设备未注明生产厂商者，均为可以通过购买获得的常规产品。
[0020]本
技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”到另一元件时，它可以直接连接到其他元件，或者也可以存在中间元件。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的任一单元和全部组合。
[0021]在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。术语“内”、“上”、“下”等指示的方位或状态关系为基于附图所示的方位或状态关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0022]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“设有”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0023]本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。
[0024]如图1所示，一种专用微电流可控硅模拟装置，其特征在于，三极管T1、三极管T2、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R3和电阻R4；
[0025]三极管T1的E极与A极相连；
[0026]三极管T1的B极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与三极管T2的C极相连；三极管T2的E极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端与K极相连；
[0027]G极与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极与三极管T2的B极相连；
[0028]三极管T1的C极分别与二极管D2的正极、电阻R4的一端相连；电阻R4的另一端与K极相连；
[0029]二极管D2的负极与三极管T2的B极相连。
[0030]优选，还包括电阻R1，电阻R1的一端与二极管D1的负极，另一端与K极相连。
[0031]优选，三极管T1为PNP型，三极管T2为NPN型。
[0032]其中，A极为本装置的阳极，K极为本装置的阴极，G极为本装置的控制极。A极、K极、G极的作用对应为现有的可控硅的A极、K极、G极。
[0033]本技术采用三极管T1和三极管T2联合实现可控硅。例如高亮度的发光二极管，几微安的电流就可以保持亮度，用本技术可控硅模拟装置可以实现省电功能，一个很小的电池就可以用上数年。
[0034]本装置使用时，G极加电压，则电流流经二极管D1，然后分两路，一路经三极管T2、电阻R3到K极，另一路经电阻R1到K极。同时，A极导通，电流从A极经过三极管T1分两路，一路通过电阻R2、三极管T2、电阻R3到K极；第二路又被分成两路，其一电流经过二极管D2进入电阻R1和三极管T2，经过电阻R1的电流进入到K极，经过三极管T2的电流通过电阻R3到K极，其二，电流经过R4到K极。G极关断后，A极不会被关断，仍是导通状态，
[0035]电阻R1的阻值较大，当外界存在较大干扰时，三极管T2容易被导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种专用微电流可控硅模拟装置，其特征在于，包括：三极管T1、三极管T2、二极管D1、二极管D2、电阻R2、电阻R3和电阻R4；三极管T1的E极与A极相连；三极管T1的B极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与三极管T2的C极相连；三极管T2的E极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端与K极相连；G极与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极与三极管T2的B极相连；三极...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨家凯，杨杰，杨伟，刘晶晶，罗翔，毕海洋，吕燕，张航，李春利，陈有忠，林恩彬，杜直珊，郭皓钰，陈继师，普朝建，刘华，周园，李荣山，范宇，段枨麒，汤晗，
申请(专利权)人：云南电网有限责任公司楚雄供电局，
类型：新型
国别省市：