HTOL测试电路、设备及方法技术

本发明专利技术提供一种HTOL测试电路、设备及方法，由于将环形振荡器应用至HTOL测试的电路中形成简单的测试电路，该简单的测试电路在进行HTOL测试时，仅需搭配一个普通的测试炉和便宜的直流电压源就可完成测试，替代了传统的复杂的测试系统，进而降低了HTOL测试设备的成本。进而降低了HTOL测试设备的成本。进而降低了HTOL测试设备的成本。

【技术实现步骤摘要】
HTOL测试电路、设备及方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及HTOL测试电路、设备及方法。

技术介绍

[0002]E
‑
fuse(可编程存储器)是一种非易失性的存储器，其具有即使断电存储数据也不会丢失而能够长期保存的特点。故近年来闪存的发展十分迅速，并且具有高集成度、高存储速度和高可靠性的闪存存储器被广泛应用于包括电脑、手机、服务器等电子产品及设备中。
[0003]在半导体
中，HTOL(HighTemperatureOperatingLifetest，高温操作生命期试验)用于评估半导体器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力。
[0004]传统E
‑
fuse(可编程存储器)HTOL测试方法为：将E
‑
fuse(可编程存储器)单元接入HTOL机台，HTOL机台在高温下通过程序不断的对所有E
‑
fuse(可编程存储器)单元进行读(read)的动作，大约1000hrs小时后再去测试机台验证E
‑
fuse(可编程存储器)的功能。
[0005]传统E
‑
fuse(可编程存储器)HTOL测试所使用的HTOL机台，需要搭配复杂的测试系统才能够提供多样的测试信号，这将导致HTOL机台价格昂贵。因此如何解决现有技术中E
‑
fuse(可编程存储器)HTOL测试时使用的HTOL机台价格昂贵的问题是本领域技术人员长期研究的课题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种HTOL测试电路、设备及方法，以解决现有技术中E
‑
fuse(可编程存储器)HTOL测试时使用的HTOL机台价格昂贵的问题的问题。
[0007]为解决上述问题，本专利技术提供一种HTOL测试电路，用于待测试半导体结构的HTOL测试，包括：
[0008]环形震荡器，所述环形震荡器具有第一输入端、第二输入端和输出端；
[0009]多个晶体管，所有所述晶体管的栅极与所述输出端电连接，所有所述晶体管的源极与位线电连接，每个所述晶体管的漏极用于与一待测试半导体结构的一端电连接，以及所有所述待测试半导体结构的另一端接地。
[0010]可选的，所述第一输入端输入第一Vdd电压，所述第二输入端输入第二Vdd电压或接地。
[0011]可选的，所述HTOL测试电路还包括：接地线，所述接地线与所有所述待测试半导体结构的所述另一端电连接。
[0012]可选的，所述HTOL测试电路还包括：字线，所述字线电连接所述输出端和所有所述晶体管的栅极。
[0013]可选的，所述环形震荡器包括一与非门和多个相互串联的反相器，其中，所述与非门的第一电压输入端与所述输出端电连接，所述第二输入端复用为所述与非门的第二电压输入端。
[0014]可选的，所述环形震荡器还包括缓冲寄存器，所述缓冲寄存器电连接在所有所述
反向器和所述输出端之间，所述第一电压输入端与所述缓冲寄存器的输入端电连接。
[0015]可选的，所述反向器的数量为偶数个。
[0016]为解决上述问题，本专利技术还提供一种HTOL测试设备，用于待测试半导体结构的HTOL测试，包括：
[0017]测试炉，所述测试炉具有容纳腔；
[0018]环形震荡器，所述环形震荡器具有输出端；
[0019]位于所述容纳腔内的所述测试板，所述测试板包括多个晶体管、位线以及接地端，所有所述晶体管的栅极与所述输出端电连接，所有所述晶体管的源极与位线电连接，每个所述晶体管的漏极用于与一待测试半导体结构的一端电连接，以及所有所述待测试半导体结构的另一端与接地端电连接。
[0020]可选的，所述测试炉温度恒定。
[0021]为解决上述问题，本专利技术还提供一种HTOL测试方法，包括：
[0022]提供如上述任意一项所述的HTOL测试设备及多个待测试半导体结构；
[0023]将每个所述待测试半导体结构电连接至一所述晶体管的漏极，并电连接至接地端；
[0024]依次给位线施加读取电压、给第一输入端施加第一Vdd电压，并给第二输入端施加第二Vdd电压，以同时打开所有所述待测试半导体结构并持续预定时间；
[0025]待打开所有所述待测试半导体结构持续时间大于等于预定时间后，给所述第二输入端施加0V电压，以同时关闭所有所述待测试半导体结构，并对所有所述待测试半导体结构进行功能测试。
[0026]本专利技术的一种HTOL测试电路、设备及方法中，将环形振荡器应用至HTOL测试的电路中形成简单的测试电路，该简单的测试电路在进行HTOL测试时，仅需搭配一个普通的测试炉和便宜的直流电压源就可完成测试，替代了传统的复杂的测试系统，进而降低了HTOL测试设备的成本。
附图说明
[0027]图1是本专利技术一实施例中HTOL测试电路的电路图；
[0028]图2是本专利技术一实施例中HTOL测试电路中振荡器的电路图；
[0029]图3是本专利技术一实施例中的HTOL测试设备。
[0030]其中，附图标记如下：
[0031]1‑
待测试半导体结构；
[0032]2‑
测试炉；
[0033]3‑
HTOL测试电路；
[0034]WL
‑
字线；
[0035]BL
‑
位线；
[0036]EL
‑
接地线；
[0037]VT
‑
晶体管；
[0038]V1
‑
第一输入端；
[0039]V2
‑
第二输入端；
[0040]V3
‑
输出端。
具体实施方式
[0041]以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的HTOL测试电路、设备及方法作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。本专利技术的宗旨在于：由于传统E
‑
fuse(可编程存储器)HTOL测试所使用的HTOL机台，需要搭配复杂的测试系统才能够提供多样的测试信号，这将导致HTOL机台价格昂贵。因此，将环形振荡器应用至HTOL测试的电路中形成简单的测试电路，该简单的测试电路在进行HTOL测试时，仅需搭配一个普通的测试炉和便宜的直流电压源就可完成测试，替代了传统的复杂的测试系统，进而降低了HTOL测试设备的成本。
[0042]图1是本专利技术一实施例中HTOL测试电路的电路图。如图1所示，本专利技术提供一种HTOL测试电路，用于待测试半导体结构1的HTOL测试，所述HTOL测试电路包括环形震荡器R0和多个晶体管VT。其中，所述环形震荡器R0具有第一输入端V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种HTOL测试电路，用于待测试半导体结构的HTOL测试，其特征在于，包括：环形震荡器，所述环形震荡器具有第一输入端、第二输入端和输出端；多个晶体管，所有所述晶体管的栅极与所述输出端电连接，所有所述晶体管的源极与位线电连接，每个所述晶体管的漏极用于与一待测试半导体结构的一端电连接，以及所有所述待测试半导体结构的另一端接地。2.如权利要求1所述的HTOL测试电路，其特征在于，所述第一输入端输入第一Vdd电压，所述第二输入端输入第二Vdd电压或接地。3.如权利要求1所述的HTOL测试电路，其特征在于，所述HTOL测试电路还包括：接地线，所述接地线与所有所述待测试半导体结构的所述另一端电连接。4.如权利要求1所述的HTOL测试电路，其特征在于，所述HTOL测试电路还包括：字线，所述字线电连接所述输出端和所有所述晶体管的栅极。5.如权利要求1所述的HTOL测试电路，其特征在于，所述环形震荡器包括一与非门和多个相互串联的反相器，其中，所述与非门的第一电压输入端与所述输出端电连接，所述第二输入端复用为所述与非门的第二电压输入端。6.如权利要求5所述的HTOL测试电路，其特征在于，所述环形震荡器还包括缓冲寄存器，所述缓冲寄存器电连接在所有所述反向器和所述输出端之间，所述第一电压输入端与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋昊，曹魏，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：