光刻胶扩散效应的计算方法技术

本发明专利技术提供一种光刻胶扩散效应的计算方法，根据光刻系统的光学系统的照明源确定光刻系统的光学系统的透射交叉系数；光学系统的透射交叉系数为与光罩形状无关的四维函数，其用于表征从照明源到像平面在内的整个光学系统的作用；执行光罩中布局图案的光学邻近校正操作，其中光学邻近校正操作使用光学系统的透射交叉系数来确定晶圆上的光罩的布局图案的第一空间光强图像；利用第一空间光强图像与一个高斯滤波器进行卷积获取第二空间光强图像。本发明专利技术的修正方法得到的图形修正的轮廓更为接近实际晶圆曝光结果，精度更高，运行时间更短。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种光刻胶扩散效应的计算方法。

技术介绍

1、随着集成电路的快速发展和晶圆代工企业规模的扩大，摩尔定律已达到实际应用极限。特别是55nm的技术节点以后，晶圆代工对光刻工艺的要求越来越高，如何有效抑制版图上的图形在光刻工艺以后产生的变形和数据偏差，减少光学临近效应(opticalproximity effect,ope)带来的负面影响，成为提高芯片良率，加速晶圆代工的核心因素。

2、目前用于仿真光刻胶扩散效应计算方法是基于霍普金斯方程的光强计算方法，该方法首先将整张光罩做二维傅里叶变换后转换成频域信号，而后进行霍普金斯积分，再通过傅里叶逆变换回到空间域，从而获得光刻胶的扩散效应这一方法，但现在集成电路的规模接近千兆级,往往一层版图的数据量就会达到千兆字节,这种情况要求实用型的光刻成像模拟系统必须是快速高效的，但霍普金斯方法的主要缺点是收敛速度慢，运行时间较久。

3、为解决上述问题，需要提出一种新型的光刻胶扩散效应的计算方法。

技术实现思路

<p>1、鉴于以上所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻胶扩散效应的计算方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的光刻胶扩散效应的计算方法，其特征在于：步骤一中的所述照明源为激光源。

3.根据权利要求1所述的光刻胶扩散效应的计算方法，其特征在于：步骤一中的所述光学系统包括照明系统和成像系统。

4.根据权利要求1所述的光刻胶扩散效应的计算方法，其特征在于：步骤二中的所述光学系统的透射交叉系数在所述光学邻近校正操作中以二维矩形的方式表达。

5.根据权利要求1所述的光刻胶扩散效应的计算方法，其特征在于：步骤二中的所述光学系统的透射交叉系数为T(f′,g′；f″,g″)。

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【技术特征摘要】

1.一种光刻胶扩散效应的计算方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的光刻胶扩散效应的计算方法，其特征在于：步骤一中的所述照明源为激光源。

3.根据权利要求1所述的光刻胶扩散效应的计算方法，其特征在于：步骤一中的所述光学系统包括照明系统和成像系统。

4.根据权利要求1所述的光刻胶扩散效应的计算方法，其特征在于：步骤二中的所述光学系统的透射交叉系数在所述光学邻近校正操作中以二维矩形的方式表达。

5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯顺魁，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：