一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置，所述方法包括：在MOS器件的源极和漏极之间施加测试电压，在测试过程中，逐渐增加测试电压；量测所述漏极与源极之间的电压作为测量电压；量测所述源极与接地极之间的电流作为测量电流；当所述测量电流达到预设值时,测量电压作为当前测量电流下的源漏击穿电压。根据本发明专利技术提供的MOS器件的源漏击穿电压的测试方法和装置，通过在源漏极之间施加测试电压的同时，测量源极与接地极之间的电流以及漏极与源极之间的电压，并将测量电流达到预设值时的测量电压作为源漏击穿电压，减少了测试电压的施加时间，避免高低电位形成尖端放电产生测试打火。产生测试打火。产生测试打火。

【技术实现步骤摘要】
一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是一种具有出色的物理、化学和电性能特性的半导体材料，在功率半导体器件领域，特别是大功率、高电压条件下，具有很好的应用前景。与传统的硅器件相比，碳化硅器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。
[0003]然而由于化合物产品设计电压较高，碳化硅(SiC)器件在进行源漏击穿电压(BVDSS)测试时，高低电位易形成尖端放电，发生从划片道至金属层的打火及烧伤。
[0004]因此，有必要提出一种新的MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置，以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法，其特征在于，包括：在MOS器件的源极和漏极之间施加测试电压，在测试过程中，逐渐增加测试电压；量测所述漏极与源极之间的电压作为测量电压；量测所述源极与接地极之间的电流作为测量电流；当所述测量电流达到预设值时，测量电压作为当前测量电流下的源漏击穿电压。2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，当所述测量电流达到预设值时，立即停止施加测试电压。3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，量测所述漏极与源极之间的电压作为测量电压与量测所述源极与接地极之间的电流作为测量电流是同步进行的。4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测量电流的预设值为10uA～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：何燕，孟宪伟，刘亚辉，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：