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本发明公开了一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置，所述方法包括：在MOS器件的源极和漏极之间施加测试电压，在测试过程中，逐渐增加测试电压；量测所述漏极与源极之间的电压作为测量电压；量测所述源极与接地极之间的电流作为测量电流；当所述测...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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