用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法技术

本发明专利技术提供一种用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，确定金属层目标版图中的热点图形和热点区域，热点区域包括多个金属层图形：根据设计规则，获取线宽和间距同时满足金属层最小设计规则的图形为热点图形，以热点图形为中心确定热点区域；定义热点区域中的图形之间间距大于目标值的区域为孤立区域；根据孤立区域移动热点区域中的金属层图形：在每组热点图形中，若其最外侧两边均存在孤立区域，则将金属层图形分别向两侧临近的孤立区域方向移动；在每组热点图形中，若其最外侧一边均存在孤立区域，则将金属层图形向该侧的孤立区域方向移动。本发明专利技术能够保证通孔层和上下层金属有最大接触面积的同时避免与相邻金属线之间发生短路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法。

技术介绍

1、在半导体的后段制程中，为了形成金属互连线，需要在相邻两层金属线之间形成通孔(via)以实现上下层金属互连。随着技术节点的推进，尤其是进入到14nm技术节点的工艺以下，后段金属层图形设计复杂，制造工艺难度越来越大，已经接近duv机台的工艺极限，尤其是一些极限pitch(周期)和cd(关键尺寸)下的复杂图形，成为缺陷的主要来源。

2、极限pitch和cd的图形是指在设计规则下，cd和space(间距)同时达到最小设计规则，该类图形已接近机台的衍射极限，工艺窗口、线宽粗糙度(lwr)和尺寸均匀度(cdu)都会变的更差，且没有空间通过调整目标层的尺寸来增大工艺窗口，容易出现通孔层(via)无法联通上下两层金属线、线路短路、断路、没有良率的问题。

3、为解决上述问题，需要提出一种新型的用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，其特征在于：步骤一中以所述热点图形为中心，r为半径的方法，确定所述热点区域。

3.根据权利要求1所述的用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，其特征在于：步骤二中的所述目标值为100nm。

4.根据权利要求1所述的用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，其特征在于：步骤三中的将所述金属层图形分别向两侧临近的所述孤立区域方向移动的方法包括：所述金属层图形的数量为m，向每侧移动的所述...

【技术特征摘要】

1.一种用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，其特征在于：步骤一中以所述热点图形为中心，r为半径的方法，确定所述热点区域。

3.根据权利要求1所述的用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，其特征在于：步骤二中的所述目标值为100nm。

4.根据权利要求1所述的用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，其特征在于：步骤三中的将所述金属层图形分别向两侧临近的所述孤立区域方向移动的方法包括：所述金属层图形的数量为m，向每侧移动的所述金属层图形的个数是n＝floor(m/2)，n向下取整，n<10。

5.根据权利要求1所述的用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，其特征在于：步骤三中的将所述金属层图形向该侧的所述孤立区域方向移动的方法包括：所述金属层图形的数量为m，向该侧移动的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘娜，孙晓雁，于世瑞，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：