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本发明提供一种用于提高后段工艺窗口的金属层与通孔层联合位移方法，确定金属层目标版图中的热点图形和热点区域，热点区域包括多个金属层图形：根据设计规则，获取线宽和间距同时满足金属层最小设计规则的图形为热点图形，以热点图形为中心确定热点区域；定义...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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