中科南京智能技术研究院专利技术

中科南京智能技术研究院共有228项专利

  • 本发明公开了一种交通信号灯控制技术领域的车道级交通灯的控制策略校错方法,旨在解决现有技术中缺乏交通灯背后的决策软件错误导致信号灯错误的纠错方法的问题,其包括对交叉口地图数据文件进行车道关系分析,建立车道交通灯时空逻辑切换网络模型,实时接...
  • 本发明提供一种图像压缩方法
  • 本发明公开了一种支持两种位宽计算的脉动阵列结构,包括多个脉动阵列单元,各脉动阵列单元均包括输入寄存器
  • 本发明公开了一种人脸数据的采集和存储方法及相关设备,涉及人脸识别领域,主要为解决目前人脸数据的采集和存储较为占用算力和存储空间的问题。该方法包括:基于校正人脸图像和人脸识别神经网络确定浮点型人脸特征数据;将所述浮点型人脸特征数据通过量化...
  • 本发明公开了一种用于risc
  • 本实用新型公开了一种非对称延迟控制电路、异步电路及异步电机控制装置,涉及电子电路技术领域,所述控制电路包括:输入线路、输出线路及公共延迟模块,所述公共延迟模块分别连接所述输入线路和输出线路,所述公共延迟模块用于延迟所述输入线路的电信号传...
  • 本实用新型公开了一种电压比较器,包括:电压比较模块,被配置为,对第一输入信号VN和第二输入信号VP进行轨到轨的输入电压比较,得到比较电压;锁存模块,被配置为,对比较电压进行锁存和输出,得到第一输出信号VON和第二输出信号VOP,以完成对...
  • 本实用新型公开了一种齿轮加载测试装置,包括齿轮组、用于驱动齿轮组转动的驱动机构和用于阻碍齿轮组转动的阻尼机构,驱动机构的输出轴与齿轮组的主动齿轮安装轴相接;所述齿轮组与所述阻尼机构之间设有用于传递转矩的转轴,转轴的两端分别与齿轮组的从动...
  • 本发明公开一种支持不同计算模式的单比特脉动阵列结构,包括选择电路和呈阵列排布的多个脉动阵列单元。每个脉动阵列单元由一个输入寄存器,一个权重寄存器,三个非门,三个三输入与门,一个三输入或门,一个累加器和一个部分和寄存器组成,所述选择电路与...
  • 本发明公开了一种多比特全数字存内计算电路、方法及存储器,涉及人工智能技术领域,存内计算电路包括移位加法模块、至少两个存储模块以及至少两个乘法电路,至少两个存储模块包括第一存储模块,至少两个乘法电路包括第一乘法电路,第一乘法电路包括:第一...
  • 本发明公开了汽车车牌的识别方法及装置,所述方法包括:获取待识别汽车图像;对所述待识别汽车图像进行处理,得到待识别车牌图像;将所述待识别车牌图像输入车牌字符识别网络进行识别,识别出汽车车牌字符和汽车车牌颜色;依据所述汽车车牌字符和所述汽车...
  • 本发明公开了支持四种单比特计算模式的脉动阵列结构及计算模式控制方法,属于脉动阵列结构技术领域,在原有脉动阵列的基础上进行了改进,使用不同逻辑门的组合,对单比特计算进行了处理,通过第一计算模式选择信号和第二计算模式选择信号的控制,实现不同...
  • 本发明公开了一种应用于存内计算电路的电流时间转换器,包括:初始化电路,用于:使数据线DL的电位被上拉至电源电压VDD、采样节点SAMPLE的电平由晶体管N0下拉至地VSS、电容C0中无电荷存在;电压采样电路,用于:使数据线DL的电平保持...
  • 本申请公开一种存内计算电路及控制方法,涉及存内计算技术领域,其中,存内计算电路包括:存储阵列,所述存储阵列包括多个存储单元;传输门阵列,所述传输门阵列包括多个传输门单元,所述传输门单元与所述存储单元一对一电连接;多个乘法器,每个所述乘法...
  • 本发明公开了一种17T CMOS全加器,包括晶体管(P0、P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8)、晶体管(N0、N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7)、输入信号A、输入信号B、求和输出信号SUM、进位输出信号CO、低位进位...
  • 本发明公开了一种基于7T分裂式字线的多比特全数字存内计算单元,属于存内计算领域。该单元中每个SRAM单元包括两个反相器和三个N型晶体管,两个反相器交叉耦合,三个N型晶体管与两个反相器相连且分别连接在位线BL、位线BLB上以及从Q端连接在...
  • 本发明公开了一种低功耗脉动阵列电路、芯片及电路控制方法,涉及集成电路技术领域,阵列计算电路,阵列计算电路用于计算矩阵脉动阵列;计算时钟电路,计算时钟电路的第一输入端接收系统时钟信号,当开始计算时,输入计算启动信号,计算时钟电路的第二输入...
  • 本发明公开了一种适用于权重复用神经网络的脉动阵列单元及脉动阵列结构,所述脉动阵列单元包括:权重寄存器,第一输入寄存器,第二输入寄存器,第一部分和寄存器,第二部分和寄存器,第一乘法器,第二乘法器,第一累加器,第二累加器;通过上述结构组合,...
  • 本发明公开了一种精度可配置的多比特全数字存内计算单元,其特征在于,包括至少一个存内计算单元,每个存内计算单元包括:4行、2列的SRAM存储单元,每一行为一级存储单元;每个SRAM存储单元连接一个精度控制模块;每行中的两个SRAM存储单元...
  • 本发明公开了一种存内2bit数据的乘累加计算电路及存储器,涉及集成电路技术领域,计算电路包括:第一存储模块和第二存储模块,第一存储模块存储或输出第一权重数据,第二存储模块存储或输出第二权重数据;第一计算电路、第二计算电路、第三计算电路和...