本发明提供一种超导薄膜及其制备工艺设备，工艺设备中溅射系统和基底系统在反应腔室内上下相对；工作气体进气通道位于反应腔室的壳体靠近靶材的位置，反应气体进气通道位于反应腔室的壳体靠近基底系统的位置，排气口位于反应腔室侧壁的壳体。本发明设置反...

本发明提供一种阴影掩膜结构及其制作方法，阴影掩膜结构包括：基底，所述基底包括相对设置的第一面和第二面；图形化窗口，自所述第一面朝第二面的方向形成在所述基底上；支撑结构窗口，自所述第二面朝第一面的方向形成在所述基底上，所述支撑结构窗口包括...

本发明提供一种微腔增强的光量子芯片，包括总线波导、耦合器、光学谐振器及光子学平台，光子学平台上形成有总线波导、耦合器及光学谐振器，其中，光学谐振器由量子光源波导和环形波导构成，量子光源波导形成在环形波导的直波导上，量子光源波导的光信号进...

本发明提供一种星地融合网络的网络切片功能部署方法，包括：获取星地融合网络的网络状态信息和网络切片部署需求；基于网络状态信息和网络切片部署需求，执行网络切片功能部署算法，获得网络切片实例的部署结果；网络切片功能部署算法是基于多种群粒子群和...

本发明提供一种基于聚类树的卫星通信系统用户分组方法，包括：设置聚类检测条件；设置聚类的聚类特征，聚类的聚类特征用于作为用户组的聚类特征和用来获取节点的聚类特征；初始化用户组和聚类树；为当前的一个待分组的用户，寻找和用户的特征属性相关性最...

本发明涉及一种基于共沉积法制备的高导电石墨烯/铜合金材料及其制备方法，以铜和气态碳源为原料，通过热蒸发的方法在获得铜蒸汽团簇的同时，在铜蒸汽团簇表面生长石墨烯，即获得高导电石墨烯/铜合金材料。本发明利用共沉积法制备的石墨烯/铜合金材料的...

本发明涉及一种低透气性轻质柔性光伏组件，所述柔性光伏组件自迎光面至背面依次由表面高透光阻水耐候膜、第一封装胶膜、太阳电池组阵、第二封装胶膜、柔性基板组成。本发明可以有效地的阻隔水汽和盐雾，不仅具有可弯曲、质量轻、厚度薄、良好的力学支撑等...

本发明涉及一种基于等离子体处理技术的高导电石墨烯/铜薄膜材料及其制备方法，包括依次层叠的绝缘衬底、铜薄膜和石墨烯薄膜；所述石墨烯薄膜具有通过等离子体处理技术制得的石墨烯缺陷。本发明通过调整等离子体刻蚀时间和射频电源功率来调控石墨烯缺陷，...

本发明涉及一种金属元素界面调控石墨烯/铜制备高导电金属材料的方法，包括以下步骤：S1.使用化学气相沉积法在铜薄膜表面沉积石墨烯，制得石墨烯/铜材料；S2.在步骤S1所述石墨烯/铜材料上沉积金属薄膜；S3.对步骤S2所得材料进行热处理，使...

本发明涉及一种高导电多晶铜线的制备方法，包括以下步骤：S1.将直径为50～2000μm的多晶铜线置于化学气相沉积系统中，在多晶铜线表面生长石墨烯薄膜，生长温度为350～650℃；S2.利用金属对生长有石墨烯薄膜的多晶铜线进行封装处理，形...

本发明涉及一种石墨烯增强单晶铜丝的制备方法，包括：在单晶铜丝表面原位生长石墨烯薄膜；所述单晶铜丝的直径为0.03～1.2mm；所述石墨烯薄膜的生长温度为1000～1070℃。本发明可提高单晶铜丝的电导率，保护铜丝免受外界环境的影响，以及...

本发明涉及一种硅薄膜转移的方法，包括如下步骤：优选SOI基片；在硅衬底表面涂覆光刻胶进行光刻；进行深反应离子刻蚀，刻蚀出通往埋氧层的沟道，刻蚀结束后去胶清洗；将SOI基片放入氢氟酸中，氢氟酸通过上述沟道进入埋氧层腐蚀SiO2；将柔性衬底...

本发明涉及一种利用固态碳源辅助共沉积生长制备石墨烯/铜复合材料的方法，所述方法包括：将衬底置于热蒸镀系统中预清洁并加热处理，随后向衬底表面热沉积金属铜，并利用固态碳源向衬底表面热沉积碳原子，使沉积金属铜的过程中同时在其表面生长石墨烯。本...

本发明涉及一种实时监测β细胞胰岛素分泌电化学传感器及其制备方法和应用，所述传感器为多维纳米材料修饰的电化学芯片，利用所述电化学芯片上的多维纳米材料捕捉β细胞释放出的多巴胺，并根据电化学信号确定多巴胺的释放数量。本发明通过以多巴胺作为示踪...

本发明涉及一种基于电子束辐照制备高导电石墨烯/铜复合材料的方法，包括如下步骤：S1.在铜箔表面通过化学气相沉积法生长石墨烯薄膜；S2.对石墨烯/铜箔进行电子束辐照处理。利用本发明方法制备的石墨烯/铜复合材料电导率可达109.3％IACS...

本发明涉及一种太赫兹光作用装置及作用方法，其中，装置包括：太赫兹激光源，用于输出太赫兹平行光束；可见光源，用于输出产生可见指引光束，所述可见指引光束作为所述太赫兹平行光束的指引光；光路调节系统，用于将所述太赫兹平行光束和所述可见指引光束...

本发明涉及一种太赫兹近场成像光路校准装置及方法，其中，装置包括：第一可见光光源、第二可见光光源、第一准直可见光光源、第二准直可见光光源、第一光路准直系统、第二光路准直系统、光路调节系统、圆形反射镜、太赫兹量子级联激光器、热探测阵列、太赫...

本发明涉及一种利用等离子体辅助生长制备高导电铜箔的方法，包括以下步骤：S1.将铜箔置于化学气相沉积系统中，通入还原气氛，设定加热程序对铜箔进行热处理；S2.热处理结束后，向化学气相沉积系统中通入气态碳源并打开等离子体发生装置，开始辅助生...

本发明涉及一种SOI晶圆的制备方法，包括以下步骤：S1.提供两片硅晶圆分别作为器件片和支撑片；S2.将器件片或器件片和支撑片进行热氧化，得到埋氧层；S3.对热氧化后的器件片进行离子注入；S4.对器件片进行键合前预退火处理，随后冷却至室温...

本申请提供微流控芯片系统及其芯片制作方法，包括细胞培养芯片、DNA逻辑门计算芯片、电化学传感芯片。本申请基于利用细胞培养芯片来培养细胞，利用DNA逻辑门计算芯片计算出DNA分子信号，利用电化学传感芯片将DNA分子信号转化为对应的电流信号...