本发明涉及一种异构设备间资源自适应多任务联邦学习方法、设备及介质，其中，方法包括：根据分布式角色切换策略选择最具综合资源能力的设备作为主机；主机初始化全局模型，根据模型规模调整机制将全局模型分割成不同规模的子模型，并在每个子模型的出口处...

本发明涉及一种MEMS热堆阵列芯片及多组分气体检测装置，包括硅基底，硅基底上阵列设置有若干热堆单元组，热堆单元组包括参比热堆和测试热堆，参比热堆和测试热堆均包括隔热空腔、三层支撑膜、若干多晶硅热偶对、环形加热器、匀热金属、加热电极以及输...

本发明涉及一种提高SiC MOSFET饱和电流平稳性的器件结构及其制备方法，所述器件结构包括衬底、漂移层、栅氧化层和栅多晶硅、场氧化层、源极以及漏极；所述漂移层包括第一N‑漂移区和第二N‑漂移区；所述第一N‑漂移区通过离子注入形成有P‑...

本发明涉及一种重复制备异质薄膜衬底的方法，包括以下步骤：S1.在原始功能衬底的抛光面外延，形成包含多层牺牲层和转移层的外延层，制得第一外延晶片；S2.将第一外延晶片的外延面和第一异质衬底的抛光面键合，制得第一键合结构；S3.剥离第一键合...

本发明涉及一种通信拒止场景长距离低功耗LoRa中继组网方法，包括：智能网关在公共信道固定广播问候帧，中继设备在收到所述问候帧后对所述问候帧进行解析，从问候帧中的设备可用标识码置0的通道中随机选择一个，并转换出对应频率，通过对应频率对应的...

本发明涉及一种氧化硅表面生长石墨烯薄膜的方法，其包括如下步骤：S1，提供氧化硅片衬底，其中，该氧化硅片衬底包括硅片和位于硅片表面的氧化硅薄膜，该氧化硅薄膜的厚度为90nm‑300nm；S2，在功率为20瓦‑50瓦的等离子辅助和380℃‑...

本发明涉及一种异质外延基板及其制备方法和异质外延薄膜的转移方法，所述异质外延基板用于生长和转移异质外延薄膜，自下而上包括支撑衬底、剥离辅助层和种子层；所述剥离辅助层为双层结构，包括靠近支撑衬底一侧的隔离层和靠近种子层一侧的牺牲层。本发明...

本发明涉及一种异质外延基板及其制备方法和外延薄膜转移方法，所述异质外延基板用于生长和转移外延薄膜，自下而上包括支撑衬底、转移牺牲层和种子层；所述异质外延基板内部包含图形化空腔结构。本发明引入图形化空腔结构加速了化学腐蚀剥离转移牺牲层的速...

本发明提供一种基于脑电图和脑磁图的相位幅值耦合分析方法及装置、存储介质与终端，其中方法包括获取待分析脑部信号对应的多频段信号，并提取多频段信号中的第一频率区间信号的相位信息和第二频率区间信号的幅值信息以作为预设信息；利用滑动时间窗口按时...

本发明提供一种体声波谐振器结构及其制备方法，包括衬底、压电层、第一负载层、第一电极层、介质层、第二负载层及第二电极层，其中介质层、衬底及第一电极层围合形成空腔结构，限制纵波传播范围，压电层上下两面分别设置第一负载层和第二负载层，有效抑制...

本发明涉及一种基于模糊层次分析法的可信路由决策方法、设备及介质，其中，方法包括：将链路节点信任、链路能量信任和跳数差作为路由决策考量因素，并确定各个路由决策考量因素的评估函数；基于层次分析法为每个路由决策考量因素分配权重；针对两条以上的...

本发明涉及一种基于超表面相控选择反射、透射模式的天线及探测系统。其中，天线包括：PIN尺寸梯度超表面，其PIN尺寸梯度超表面层划分为四个子单元，同一子单元中的梯度金属贴片尺寸大小沿一方向均匀线性增大；相位调控单元，用来获取模式控制信号，...

本发明涉及一种参数化三维人体姿态估计方法、装置、设备及介质，其中，方法包括：获取人体姿态图像；将人体姿态图像输入至人体姿态估计模型，得到人体姿态的形状参数和姿态参数；其中，人体姿态估计模型包括：图像编码器模块，用于对人体姿态图像进行特征...

本发明涉及一种基于图像增强和目标识别的低光动态SLAM方法，包括：将RGB‑D视频帧序列输入到图像增强模块，得到亮度增强的RGB‑D视频帧序列；将所述亮度增强的RGB‑D视频帧序列输入至目标检测网络模型，得到动态目标区域；对所述亮度增强...

本发明涉及一种卷积计算单元及传感器内处理电路，其中，卷积计算单元包括：吉尔伯特乘法电路，用于对经过处理后的图像像素值的差分电压与卷积核的权重的差分电压进行电压相乘；开关电容电路，用于对所述电压相乘的结果进行加权计算。本发明在吉尔伯特乘法...

本发明涉及一种进程数据检查点快速构建与恢复的方法、系统及装置。其中，方法包括：进程在非易失区创建进程信息存储文件后直接映射到进程的虚拟地址空间，并将映射映射地址转换为与检查点备份信息相同的结构体指针类型，以通过操作内存指针来直接读写进程...

本发明涉及一种多通道经颅磁刺激线圈阵列控制方法，包括：根据受试者的脑部结构数据和采用的多通道经颅磁刺激线圈阵列排布，求解各个线圈的导联场矩阵；计算各个线圈产生的感应电场分布，以最小化所述感应电场分布与目标电场分布的差值为目标，建立基于E...

本发明提供一种可调谐光学滤波器及其制备方法，其中可调谐光学滤波器包括：静止镜面部件和可动镜面部件；静止镜面部件包括第一镜面结构以及制动凹槽；可动镜面部件包括可动悬臂结构、压电驱动结构以及第二镜面结构；其中，可动悬臂结构的第一端连接第二镜...

本发明提供一种多量子比特控制系统，包括第一温区电路；其中，第一温区电路包括N个第一电路组，分别位于N个第一悬浮地上，N为大于1的自然数。第一电路组包括：控制模块，在偏置电流的作用下，基于接收的直流输入信号生成一路脉冲序列并输出；第一电流...

本发明涉及一种兼容于集成电路后道工艺的石墨烯薄膜的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供厚度为10nm‑50nm的金属薄膜衬底，该金属薄膜衬底选自铜，钴，钌或镍薄膜衬底中的一种；S2，在活性碳原子浓度增强场中，350℃‑400℃下，通入碳...