中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明涉及一种嵌入狭缝的一维光子晶体纳米束腔生物传感器,包括:硅波导;纳米束腔,所述纳米束腔位于硅波导上;所述纳米束腔上刻蚀有若干通孔,所述若干通孔关于硅波导中心对称,所述若干通孔开设有一狭缝,所述狭缝贯穿若干通孔。本发明能够获得癌症早...
  • 本发明的一种光学自对准极低温测试系统包括低温冷源模块、吸附式制冷模块及光学自对准模块,低温冷源模块与吸附式制冷模块横向并排排布,降低了极低温测试系统的高度,方便后续的拆卸安装;低温冷源模块的真空罩与吸附式制冷模块的吸附级真空罩相连通,通...
  • 本申请涉及一种柔性神经电极及其制备方法、脑机接口,该方法包括:获取硅衬底;于硅衬底上形成牺牲层;在第一旋涂工艺条件下,于牺牲层上形成第一聚酰亚胺层;于第一聚酰亚胺层上形成探测电极阵列;在第二旋涂工艺条件下,于探测电极阵列上形成第二聚酰亚...
  • 本发明提供了一种基于本体知识库和注意力生成对抗网络的图像生成方法,包括:基于图像数据集中的图像来构建本体知识库,使得构建出的本体知识库与图像具有对应关系;根据生成任务的条件,进行本体知识库的检索,并将检索到的信息进行向量化,得到语义词向...
  • 本发明提供一种通信网络中的终端计算业务资源请求方法,包括终端向节点发送计算业务调度请求消息;节点接收计算业务调度请求消息,节点将计算业务调度请求响应消息发送给终端;终端接收计算业务调度请求响应消息;根据计算业务调度请求响应消息的取值,将...
  • 本发明提供一种基于空中唤醒的LoRa
  • 本发明涉及微纳加工技术领域,特别涉及一种微镜结构及其制备方法。衬底晶圆包括相对的第一表面和第二表面,所述驱动电极层设置在所述第一表面;所述衬底晶圆和所述驱动电极层上设有通孔;所述第一绝缘层设置在所述驱动电极层的表面和所述通孔的内壁上;所...
  • 本发明提供一种低温测试系统,所述低温测试系统包括固定平台、真空罩、制冷装置及探测装置;所述制冷装置包括制冷机、一级冷头、二级冷头、一级制冷冷平台及二级制冷冷平台;所述探测装置包括:室温端面板、一级探测冷平台、二级探测冷平台、芯片放置台及...
  • 本发明公开一种多细胞链状培养装置及其在制备肝索结构中的应用,属于细胞培养装置领域,所述培养装置包括培养装置本体和设于所述培养装置本体的微孔阵列模块,所述微孔阵列模块包括至少两排微孔列,每排微孔列设有依次排列的多个微孔,相邻的两个微孔之间...
  • 本发明涉及一种分选单细胞的微流控芯片,包括:基底层,上表面设有第一金属电极对、第二金属电极对、阻抗识别区域,阻抗识别区域包括第一阻抗检测电极对和第二阻抗检测电极对,第一阻抗检测电极对与第一金属电极对连接,第二阻抗检测电极对与第二金属电极...
  • 本发明涉及一种超表面结构调控太赫兹量子级联激光器色散的方法,在所述太赫兹量子级联激光器的谐振腔的一端形成超表面,所述超表面作为所述太赫兹量子级联激光器的谐振腔体的有效端面;所述超表面为多个亚波长单元在二维平面上排列而成;通过对所述亚波长...
  • 本发明涉及一种相变存储单元及其制作方法,相变存储单元包括:衬底;至少一个下电极,所述下电极设置于衬底中,所述下电极的上接触面暴露于衬底外且与衬底上表面持平;相变材料层,所述相变材料层水平部分与下电极连接,所述相变材料层为L形;填充材料,...
  • 本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法,其中,锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底;N掺杂区,所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中;P掺杂区,所述P掺杂区设置于所述硅衬底中,其中,所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层,所述P掺杂区位于第一...
  • 本发明涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法,包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。本发明可以突破单层TCO薄膜的电学性能限制,兼顾了载流子的体纵向传输和表面横向传输,减少载流子复合,提升SHJ太...
  • 本申请涉及微电子器件技术领域,特别是涉及一种声波谐振器,包括:支撑衬底、单晶压电层和图案化电极组件;单晶压电层位于支撑衬底的上表面;图案化电极组件位于单晶压电层远离支撑衬底的表面或嵌入单晶压电层远离支撑衬底的表面;图案化电极组件用于连接...
  • 本发明涉及微电子器件技术领域,本发明提供一种声学谐振器及其制备方法。该声学谐振器由于在第一支撑层内设有弹性波陷阱结构;弹性波陷阱结构的弹性力学参数与支撑衬底的材料的弹性力学参数不相等,该弹性波陷阱结构可以阻碍谐振器工作模式向衬底的传播,...
  • 本申请涉及微电子器件技术领域,特别是涉及一种声波谐振器及其制备方法,方法包括:提供单晶压电层;对单晶压电层的上表面进行镀膜处理形成第一预设深度的缓冲层;在缓冲层的目标注入区域注入离子,以自单晶压电层的上表面至单晶压电层第二预设深度处形成...
  • 本申请涉及一种单片集成声波滤波阵列及其制备方法,单片集成声波滤波阵列包括:支撑衬底;支撑衬底包括多个支撑区域,多个支撑区域包括至少一个第一支撑区域,第一支撑区域对应的部分支撑衬底经过局部或整体改性处理;位于支撑衬底上表面的压电层;多个支...
  • 本发明涉及微纳器件制备技术领域,特别涉及一种微透镜阵列的制备方法、微透镜阵列、系统及设备。所述方法包括:获取柔性衬底;对所述柔性衬底进行预处理;在预处理后的所述柔性衬底上设置微透镜打印材料;将所述微透镜材料按照预设微透镜结构在所述柔性衬...
  • 本发明涉及一种面向分布式网络的多层连通支配集构建方法,包括以下步骤:构建一个随机的分布式网络;将所有低层支配节点标记为高一层的被支配节点,并更新所述低层支配节点的高层的度数和邻居;对于每一层的任意节点,若该节点及其邻居在当前层没有支配节...