一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法，包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。本发明专利技术可以突破单层TCO薄膜的电学性能限制，兼顾了载流子的体纵向传输和表面横向传输，减少载流子复合，提升SHJ太阳电池转化效率。提升SHJ太阳电池转化效率。提升SHJ太阳电池转化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池领域，特别涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅异质结(SHJ)太阳电池是一种带有本征薄层的异质结太阳电池，其以单晶硅(c
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Si)片作为主体，经过清洗和制绒处理，在正面第一受光面和背面第二受光面分别沉积氢化非晶硅(a
‑
Si:H)层和透明导电氧化物薄膜(Transparent Conductive oxide：TCO)，之后丝网印刷金属电极，得到完整的SHJ太阳电池。其中，本征氢化非晶硅薄层插入到掺杂氢化非晶硅层和单晶硅衬底之间，有效钝化了c
‑
Si/a
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Si界面缺陷，使之获得很高的开路电压。SHJ太阳电池因其超高的转化效率、双面发电、低温工艺和环境友好等特点，在产业化进程中具有很强的市场竞争力。2021年，隆基已将SHJ太阳电池的转换效率提高至26.3％，使其再次备受业内关注。
[0003]在SHJ太阳电池中，氢化非晶硅的横向导电性极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构，其特征在于：所述SHJ太阳电池的正面和/或背面包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述TCO薄膜材料为锡掺杂氧化铟、钛掺杂氧化铟、钨掺杂氧化铟、锆掺杂氧化铟、镓掺杂氧化铟、钼掺杂氧化铟及多种阳离子共掺杂氧化铟中的一种或几种。3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述柱状TCO层的晶粒呈现柱状生长模式，平行或近似平行于硅片表面的晶界数量远少于垂直或近似垂直于硅片表面的晶界数量。4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述等轴TCO层的晶粒呈现块状生长模式，平行或近似平行于硅片表面的晶界数量与垂直或近似垂直于硅片表面的晶界数量相近。5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述柱状TCO层中与硅片表面平行的晶界远少于等轴TCO层中与硅片表面平行的晶界。6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述柱状TCO层厚度为5
‑
90nm；所述等轴TCO层厚度为5
‑
90nm；所述双层TCO薄膜的总厚度为30
‑
150nm。7.根据权利要求1所述的结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟凡英，刘奕阳，刘文柱，石建华，刘正新，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：