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本发明涉及一种SHJ太阳电池双层TCO薄膜结构及其制备方法,包括与非晶硅层接触的柱状TCO层和与金属电极接触的等轴TCO层。本发明可以突破单层TCO薄膜的电学性能限制,兼顾了载流子的体纵向传输和表面横向传输,减少载流子复合,提升SHJ太阳电...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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