一种相变存储单元及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种相变存储单元及其制作方法，相变存储单元包括：衬底；至少一个下电极，所述下电极设置于衬底中，所述下电极的上接触面暴露于衬底外且与衬底上表面持平；相变材料层，所述相变材料层水平部分与下电极连接，所述相变材料层为L形；填充材料，所述填充材料设置于相变材料层竖直部分上方，并与相变材料层一同构成相变存储结构；上电极，所述上电极设置于相变材料层的上方。本发明专利技术能够有效缩小相变存储单元的的相变区域。变存储单元的的相变区域。变存储单元的的相变区域。

【技术实现步骤摘要】
一种相变存储单元及其制作方法


[0001]本专利技术涉及微电子
，特别是涉及一种相变存储单元及其制作方法。

技术介绍

[0002]相变存储器技术是基于Ovshinsky在20世纪60年代末(Phys.Rev.Lett.,21,14501453,1968)70年代初(Appl.Phys.Lett.,18,254257,1971)提出的相变薄膜可以应用于相变存储介质的构想建立起来的，是一种价格便宜、性能稳定的存储器件。相变存储器可以做在硅晶片衬底上，其关键材料是可记录的相变薄膜、加热电极材料11、绝热材料和引出电极材的研究热点也就围绕其器件工艺展开：器件的物理机制研究，包括如何减小器件料等。相变存储器的基本原理是利用电脉冲信号作用于器件单元上，使相变材料在非晶态与多晶态之间发生可逆相变，通过分辨非晶态时的高阻与多晶态时的低阻，可以实现信息的写入、擦除和读出操作。
[0003]相变存储器由于具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射等优点，被国际半导体工业协会认为最有可能取代目前的闪存存储器而成为未来存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相变存储单元，其特征在于，包括：衬底(1)；至少一个下电极(2)，所述下电极(2)设置于衬底(1)中，所述下电极(2)的上接触面暴露于衬底(1)外且与衬底(1)上表面持平；相变材料层(4)，所述相变材料层(4)水平部分与下电极(2)连接，所述相变材料层(4)为L形；填充材料，所述填充材料设置于相变材料层(4)竖直部分上方，并与相变材料层(4)一同构成相变存储结构；上电极(10)，所述上电极(10)设置于相变材料层(4)的上方。2.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述填充材料为依次填充的隔离材料(8)和OTS材料(9)。3.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，所述填充材料为加热电极材料(11)。4.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，还包括支撑结构(3)，所述支撑结构(3)设置于衬底(1)上、且位于下电极(2)的一侧，所述支撑结构(3)与所述相变存储结构连接。5.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，当所述下电极(2)个数为复数时，还包括隔离槽(6)，所述隔离槽(6)用于将相变材料层(4)进行分离。6.根据权利要求5所述的相变存储单元，其特征在于，还包括绝缘层(7)，所述绝缘层(7)填充于隔离槽(6)，并填充至与相变存储结构的上表面齐平。7.根据权利要求1所述的相变存储单元，其特征在于，还包括包覆层(5)，所述包覆层(5)覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡道林，宋志棠，朱敏，钟旻，冯高明，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：