本发明提供一种平衡式超导量子干涉器件微波放大器及其制备方法，该平衡式超导量子干涉器件微波放大器包括第一3dB正交定向耦合器、第一阻抗匹配网络、第二阻抗匹配网络、第一超导量子干涉器件、第二超导量子干涉器件、第三阻抗匹配网络、第四阻抗匹配网...

本发明提供催化剂活化能的测试方法，其中，依托集成式自加热谐振悬臂梁获得谐振频率变化量随时间的变化曲线，并转化为谐振频率随温度变化的曲线，以及转换为覆盖度随温度的变化曲线，并在进行一阶微分后，提取极小值时对应的相关参数，而后代入计算公式，...

本发明涉及生物传感器技术领域，特别涉及一种荧光原位杂交芯片及荧光原位杂交方法。包括：支撑衬底和功能结构层；功能结构层设置在支撑衬底上；功能结构层具有腔体结构；腔体结构包括分离区和捕获区；分离区中设置有确定性侧向位移阵列；捕获区与分离区通...

本发明提供一种开关器件及存储器，该开关器件包括下电极、上电极及夹设于下电极与上电极之间的开关材料层，其中：开关材料层包括Te、Se和S中的至少一种元素；开关器件处于开启状态时，开关材料层呈液态，且禁带宽度为0；开关器件处于关闭状态时，开...

本发明涉及一种信号数据融合方法和识别方法，其中，融合方法包括以下步骤：获取m个传感器在t～t+h时刻的数据；采用自适应经验模态分解对所述m个传感器在t～t+h时刻的数据进行分解，得到所有数据的本征模函数以及对应的残值；将各个传感器数据在...

本发明涉及一种新型马赫曾德尔电光调制器，包括第一和第二耦合器、第一波导臂、第二波导臂、第三波导臂、第四波导臂、第一和第二氮化硅波导；第一氮化硅波导和第二氮化硅波导均包括依次连接的第一弯曲部、直部和第二弯曲部；第一耦合器分别与第一波导臂的...

本发明提供一种同步热重

本发明提供一种具有大电感层的超导电路及其制备方法，该超导电路包括：衬底；形成于衬底上的旁路电阻；形成于旁路电阻上的约瑟夫森结；形成于约瑟夫森结上的大电感层；形成于大电感层上的配线层；绝缘材料层，分别将旁路电阻、约瑟夫森结、大电感层及配线...

本发明提供一种半导体衬底及其形成方法，形成方法通过形成第一多晶硅薄层和第二多晶硅薄层以分次形成总的多晶硅薄层，使得其具有更低的应力，及更随机的晶粒取向和更细小的晶粒尺寸，保持高的晶界密度，提高层间的电荷捕获能力；并且通过不同沉积温度下生...

本发明提供一种超导数字电路单元库的硬件行为描述方法，包括：定义全局变量并进行程序初始化；并行执行待开发的超导数字电路单元中各超导器件触发动作的规则，基于各超导器件的触发条件实现相应触发动作，每一条规则仅包含一个超导器件的触发动作，各超导...

本发明提供一种约瑟夫森结、超导电路及其制备方法，该方法通过对约瑟夫森结的下电极采用分步溅射沉积的方法，在制备超导材料层之前，先对不同条件下单次溅射薄膜的应力和粗糙度进行表征，得到不同溅射条件下薄膜应力和粗糙度的关系图；然后再选用合适的压...

本发明提供一种基于薄膜桥约瑟夫森结的SQUID探针及其使用方法，该结构包括：硅基底，硅基底的一端经过深硅刻蚀技术形成为针尖形状；器件探针端，包括形成在硅基底的针尖形状所在端上的一个第一SQUID；器件抵消端，包括形成在远离器件探针端的一...

本发明提供一种自旋劈裂

本发明涉及一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法。本发明通过控制快速热处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，具有良好的应用前景。应用前景。应用前景。

本发明提供一种MEMS陀螺正交误差校正系统，包括：MEMS陀螺敏感模态电极，用于生成位移信号；预处理组件，与所述MEMS陀螺敏感模态电极相连，用于将所述位移信号转换为数字电压信号；数字解调组件，与所述多位量化器和所述MEMS陀螺敏感模态...

本申请实施例所公开的一种混合集成光量子芯片的制备方法及其结构，其中制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构，待刻蚀结构包括量子点层，待转移结构包括待转移区域，进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理，使得在量子点层形成波导结构，之后利用聚合物拾取波导...

本申请实施例所公开的一种集成量子纠缠光源的光量子芯片的制备方法及其结构，制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构，该待刻蚀结构自下而上依次包括基底、牺牲层和待刻蚀层，待转移结构的上表面包括待转移区域和待刻蚀区域，进而对待刻蚀结构进行刻蚀处...

本发明涉及一种芯片基准电压温漂系数的晶圆级修调方法，包括：按预设方式在晶圆上选取若干测试晶粒，将选取的若干测试晶粒的码值烧写为各自零温漂系数对应的码值M，该码值可由芯片所选工艺的参数特性估算得来；对每个测试晶粒进行温度测试，得到每个测试...

本发明提供一种选通管材料及其选通管单元，该选通管单元包括选通管材料层、阻挡层、第一电极及第二电极，其中，所述选通管单元采用化学通式为(Ge

本发明涉及一种易加工的随机形状超原子生成方法、装置及存储介质。其中，方法包括：基于超原子平方反比生成函数生成超原子；基于最小线宽对生成的所述超原子进行筛选，得到符合加工条件的超原子。本发明生成的超原子边界平滑，没有任何倒角，而且这种方法...