本实用新型提供一种氦离子化检测器，包括衬底、激发电极对、进气管、偏置电极及收集电极；衬底中具有腔室，腔室包括激发电极沟道、进气沟道及出气沟道，激发电极沟道与出气沟道相连通构成第一交汇区，进气沟道与出气沟道相连通构成第二交汇区；激发电极对...

本发明涉及一种基于苝二酰亚胺的传感器材料的制备方法，其包括：四氯

本发明提供了一种硅纳米线FET传感器阻值的测量装置，包括：硅纳米线FET传感器，其上设有待测的目标物；电源装置，其正极和负极之间设有依次串联的限流电阻、硅纳米线FET传感器和负载电容，以对负载电容充放电；ASIC组件，其根据负载电容两端...

本发明的组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法，可应用于半导体制造中湿法刻蚀非导电性薄膜，其中组合型刻蚀液包括第一刻蚀液及第二刻蚀液，第一刻蚀液用于刻蚀非导电性薄膜，第二刻蚀液含有能够去除第一刻蚀液与非导电性薄膜刻蚀的反应产物的组分，或存在第...

本实用新型提供一种基于氮化硅光子晶体的光分路器，该光分路器包括：自下而上依次设置的硅层、氧化硅层及氮化硅波导层；氮化硅波导层的中间部分形成有二维氮化硅光子晶体波导，两端分别形成有光栅发射器；二维氮化硅光子晶体波导包括一列沿氮化硅波导层长...

本发明提供一种去饱和短路保护电路、功率器件短路保护电路及测试电路，用于保护功率器件，包括比较器、时间单元、短路检测单元和处理单元；比较器输出检测电压和参考电压的比较结果，时间单元的输入端连接比较器的输出端，将比较器的开关周期中检测电压小...

本发明提供一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法，电路结构包括衬底、超导结构和正常金属层；所述超导结构设置在所述衬底上，所述正常金属电连接所述超导结构的底电极，所述正常金属层用于抑制超导数字电路制造中产生的准粒子，所述准粒子...

本发明提供一种片上两比特门系统及其实现方法，包括两比特门、DC/SFQ转换器、分路器、控制单元和模计数单元；DC/SFQ转换器将微波信号转换输出为SFQ脉冲序列；分路器将SFQ脉冲序列复制成两路SFQ子脉冲序列；控制单元包括两个逻辑与门...

本发明公开了一种基于硅纳米线场效应生化传感器的靶标物浓度检测方法，包括制备免疫磁珠

本发明公开了一种基于检测试纸的靶标物半定量检测方法及检测试纸，包括通过共价修饰试剂，同时将探针一和pH酶的混合液共价修饰到二氧化硅纳米颗粒上，得到免疫硅纳米颗粒；将配对探针二与磁珠孵育，得到免疫磁珠；将免疫硅纳米颗粒、免疫磁珠与靶标物结...

本申请实施例所公开的一种头部姿态信息确定模型的训练方法、信息确定方法及装置，包括获取样本图像集，其中，样本图像集中每张样本图像携带有标注头部姿态信息，标注头部姿态信息是将对象的头部从正脸图位置转动至非正脸图位置得到的四元数信息，将样本图...

本申请实施例所公开的一种声波谐振器及其制备方法，声波谐振器包括衬底、压电膜和多个叉指电极，其中，衬底具有空气腔，压电膜设置在衬底的上表面，多个叉指电极设置在压电膜的上表面，多个叉指电极包括第一叉指电极集合，第一叉指电极集合中每个第一叉指...

本发明提供一种基于群时延调谐的功率合成电路及信号传输系统，包括：低噪声放大器，将电磁信号进行预防大；群时延调谐模块，通过外部电压调谐的方式来调整器件的群时延特性，从而改变功率放大电路的功率合成效果；峰值检波，连接在输出端用于检测信号输出...

本发明提供一种基于FIB设备定制AFM探针的方法及原子力显微镜。方法包括步骤：提供FIB设备，将针尖基底和悬臂梁基底固定于样品台上并置于FIB设备的工艺腔室内；利用聚焦离子束刻蚀从针尖基底上切取所需长度的针梢，且利用聚焦离子束刻蚀在悬臂...

本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝/碳化硅复合声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取支撑衬底；在支撑衬底上形成碳化硅单晶薄膜层；对碳化硅单晶薄膜层减薄，以使碳化硅单晶薄膜层形成超薄碳化硅单晶薄膜层；在超薄碳化硅单...

本发明提供一种压控群时延调节模块、数控调节电路及射频微波电路，包括：滤波器，接收输入信号，用于选择工作频段并滤除干扰信号；负群时延单元，连接于滤波器的输出端，用于传输信号并调整信号的负群时延特性；第一变容二极管，连接于负群时延单元的主路...

本发明提供一种用于透射电镜

本申请实施例涉及计算机视觉技术领域，公开了一种图像分割模型的训练方法、图像分割方法及装置，通过在图像分割模型的现有结构基础上增设对象轮廓确定模型来确定预测轮廓信息，可以引导特征提取子模型学习对象轮廓，可以提升图像分割模型的分割精度。升图...

本申请实施例所公开的一种身份信息的确定方法、装置、电子设备及存储介质，包括获取用户的待验证面部图像，若待验证面部图像与候选面部图像集合中的任一候选面部图像匹配，基于动态的目标生成第一图像序列；其中，第一图像序列中的每个第一图像包括目标，...

本发明涉及一种高性能相变存储器及其制备方法。该相变存储器包括：基底层，电极层，介质隔离层，底电极层，相变材料层，顶电极层，所述介质隔离层与底电极层之间设有介质缓冲材料层。该相变存储器可以有效避免底电极因氧化造成的性能衰退，确保电极的使用...