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中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术
中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利
一种胶体二氧化硅制备装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种胶体二氧化硅制备装置,包括反应釜、高温泵、过滤器和超滤器,所述反应釜和所述高温泵连接,所述高温泵和所述过滤器连接,所述过滤器和所述超滤器连接,所述超滤器和所述反应釜连接;所述反应釜的外壁设置有夹套,所述夹套用于反应釜在...
石墨烯连续膜的干法转移方法技术
本发明提供一种石墨烯连续膜的干法转移方法,采用CVD工艺生长出高质量且大面积连续的石墨烯层,并使用hBN层作为中间层对石墨烯层进行O3加UV光处理,以在两者形成的异质结外围产生缺陷环,最后基于该缺陷环及结合PVA/PDMS载玻片实现对异...
一种兰姆波器件及其制备方法技术
本发明涉及微电子器件技术领域,本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构;该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层;该叉指电极结构包括第一总线、第二...
一种声波器件及其制备方法技术
本发明涉及微电子器件技术领域,本发明公开了一种声波器件及其制备方法。该声波器件包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构;该支撑衬底上设有能量反射结构;该叉指电极包括第一汇流条、第二汇流条、第一叉指电极和第二叉指电极;该第一...
一种弹性波谐振器及其制备方法技术
本发明涉及微电子器件技术领域,本发明公开了一种弹性波谐振器及其制备方法。该弹性波谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构;该支撑衬底上设有孔;该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极;该第一总...
一种集液滴取样、样本处理、检测一体化的采样枪及其方法技术
本发明提供一种集液滴取样、样本处理、检测一体化的采样枪及其方法,该采样枪包括:采样枪体;自后端向前端依次布置于采样枪体内的负压产生结构、插入式检测芯片、温控模块以及油相储存腔,所述温控模块以及油相储存腔中设有用于输送样品液滴的样品通道;...
太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构制造技术
本实用新型提供一种太赫兹低温放大电路的芯片级封装结构,所述芯片级封装结构包括:封装下壳体、具有贯通开口的PCB线路板、太赫兹量子阱探测器、跨阻放大器、供电接头及输出接头,所述PCB线路板设于所述封装下壳体内,所述太赫兹量子阱探测器通过所...
一种基于TM0模吸收的超导纳米线单光子探测器制造技术
本实用新型提供一种基于TM0模吸收的超导纳米线单光子探测器,包括:定向耦合器,用于实现TE0模式至TE1模式的转换;偏振旋转器,与所述定向耦合器连接,用于实现TE1模式至TM0模式的转换;纳米线单光子探测器,与所述偏振旋转器连接,用于实...
RFMOS器件的在片测试结构的去嵌方法技术
本发明提供了一种RF MOS器件的在片测试结构的去嵌方法,包括如下步骤:在同一衬底上同时形成待测器件,以及相对应的引脚结构、开路结构、短路结构以及直通结构;分别对上述待测器件、引脚结构、开路结构、短路结构、直通结构进行S参数测试;利用电...
一种确定硅片导电类型的方法技术
本申请公开了一种确定硅片导电类型的方法。所述方法包括:测量所述硅片的电阻率,以得到第一电阻率;将所述硅片在空气中放置预设时间;放置预设时间之后再次测量所述硅片的电阻率,以得到第二电阻率;通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率,判断所述硅...
一种优化流体分布的微柱式多相位移通道制造技术
本发明涉及一种优化流体分布的微柱式多相位移通道。该通道设置多级减速/分流模块,所述模块包括三角形结构柱和通道两侧多相位段的微柱阵列,所述三角形结构柱处于进样通道中间,所述通道两侧的多相位段的微柱阵列包括不同数量的基于流体流动方向倾斜的水...
神经元网络单元、卷积运算模块以及卷积神经网络制造技术
本发明提供了一种神经元网络单元,包括静态随机存储单元、正向读出隔离支路、以及反向读出隔离支路;所述静态随机存储单元包括电学串联的第一传输晶体管和第二传输晶体管,以及并联在第一和第二传输晶体管之间的两个对置互锁的第一和第二反相器,所述正向...
栅极寄生电容建模方法技术
本发明提供了一种栅极寄生电容建模方法,包括如下步骤:根据栅极面积和周长提取栅极电容最低点的电容分量;提取电容变化量;提取电容变化斜率;提取偏移量;反馈验证。本发明针对栅极寄生电容的物理特性结合数学公式建立细致提取流程,提供可靠的器件建模...
超导集成电路的布局方法技术
本发明提供一种超导集成电路的布局方法,包括:基于标准单元库建立以器件管脚为数据主体的数据库,数据库包括时序及物理信息;基于数据库进行静态时序分析,得到每个管脚的时序信息;基于各管脚的时序信息及器件的逻辑深度确定各管脚的优先级,对优先级高...
超导集成电路布局优化方法和装置、存储介质和终端制造方法及图纸
本发明公开了一种超导集成电路布局优化方法和装置、存储介质和终端,其中方法包括:对待布局网表进行模块化处理获取分割模块,并对所有分割模块进行布局优化得到优化电路布局;其中,对分割模块进行布局优化包括:确定分割模块所需布局空间大小;对分割模...
固态装配型横向振荡声波谐振器制造技术
本发明提供一种固态装配型横向振荡声波谐振器,所述声波谐振器包括:小散射角支撑衬底;压电层,形成于所述小散射角支撑衬底的上表面,所述压电层包括:横向谐振结构及凹槽结构,所述凹槽结构形成于所述横向谐振结构的两侧;少数量/小占空比图案化电极,...
一种基于微流控的细胞检测芯片及其应用制造技术
本发明涉及细胞检测技术领域,本发明公开了一种基于微流控的细胞检测芯片及其应用。细胞检测芯片包括油相导流单元、分散相导流单元和检测腔;油相导流单元与检测腔的进口连通;分散相导流单元包括第一分散相进液口、第二分散相进液口和混合通道;混合通道...
一种微小型激光雷达接收装置制造方法及图纸
本发明涉及一种微小型激光雷达接收装置,包括球形基体,所述球形基体的表面设有微纳光电探测阵列,所述微纳光电探测阵列由若干均匀排列的微纳光电探测单元组成。本发明的激光雷达接收装置能够检测光的方向和距离,且运算复杂程度低,同时具有小尺寸、轻量...
一种双层Si3N4锥形结构辅助的边缘耦合器制造技术
本发明涉及一种双层Si3N4锥形结构辅助的边缘耦合器,包括双层的Si3N4锥形结构、Si倒锥形结构、Si波导。本发明结构实现了借助双层Si3N4锥形结构的边缘耦合,可与单模光纤耦合,降低端面模式失配,避免增加底部氧化物厚度或者局部衬底刻...
一种图像传感器和陀螺仪的时间同步标定装置及方法制造方法及图纸
本发明涉及一种图像传感器和陀螺仪的时间同步标定装置及方法,装置包括:摆锤,与连杆的一端刚性相连,用于安装图像传感器和陀螺仪;旋转轴,与连杆的另一端相连,与摆锤配合形成平面单摆;弧形刻度盘,放置时使其圆心与旋转轴重合;数据采集模块,用于记...
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