RFMOS器件的在片测试结构的去嵌方法技术

本发明专利技术提供了一种RF MOS器件的在片测试结构的去嵌方法，包括如下步骤：在同一衬底上同时形成待测器件，以及相对应的引脚结构、开路结构、短路结构以及直通结构；分别对上述待测器件、引脚结构、开路结构、短路结构、直通结构进行S参数测试；利用电磁仿真模型仿真一个金属条阻抗，算出实际短路结构引入的阻抗；利用所获得的实际短路结构引入的阻抗，将S参数转换为Y参数。本发明专利技术通过对一个金属条进行电磁仿真其阻抗来模拟实际用于去嵌的短路结构中用于共地互连的那部分金属块的阻抗，并在去嵌过程中将该阻抗去除，从而在更高频率的时候也能获得更好的去嵌精度。也能获得更好的去嵌精度。也能获得更好的去嵌精度。

【技术实现步骤摘要】
RF MOS器件的在片测试结构的去嵌方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种RF MOS器件的在片测试结构的去嵌方法。

技术介绍

[0002]随着MOS晶体管的特征尺寸不断减小，器件的功耗在不断减小，射频性能也有很大的提升，截止频率和最大振荡频率已高达几百G赫兹。射频性能的提高使得MOS器件的应用领域变得更加广泛，例如60GHz局域网、雷达(77GHz)等。因此，为了更好的表征器件在较高频范围内的特性以及提高集成电路的设计速度，器件的测试方法论、MOS的电学模型都需要提高。
[0003]在片晶体管测试需要将待测器件通过金属互联线连到引脚,然后通过射频探针以及相关仪器测得器件的S参数。但是引脚和金属互联线会引入寄生阻抗，影响DUT的实际性能，所以要将其去除，即去嵌。
[0004]现有技术中最常用的去嵌方法是open
‑
short去嵌，但是当频率大于50GHz之后。该方法的精度下降。而且随着频率的升高，尤其到毫米波范围内，器件的增益下降，互联线产生的寄生的影响会变得更大，因此就需要一个更加精确的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种RF MOS器件的在片测试结构的去嵌方法，其特征在于，包括如下步骤：在同一衬底上同时形成待测器件，以及相对应的引脚结构、开路结构、短路结构以及直通结构；分别对上述待测器件、引脚结构、开路结构、短路结构、直通结构进行S参数测试，得到S参数；利用电磁仿真模型仿真一个金属条阻抗，该金属条用于模拟所述短路结构中用于共地互连的金属阻抗，得到该金属条的Z参数以及长度为L的金属条的阻抗值Z
L
，算出实际短路结构引入的阻抗Z
s
＝L1/L*Z
L
；利用所获得的实际短路结构引入的阻抗Z
s
，将S参数转换为Y参数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S参数包括待测器件的S参数S
mea
、引脚结构的S参数S...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，谢甜甜，王青，吕迎欢，葛浩，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：