本实用新型提供一种二维封闭式表面波光子晶体结构，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以...

本申请公开了一种检测半导体材料中缺陷的方法，所述方法包括：通过HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗，以去除所述半导体材料表面的氧化层；对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻，以显现所述半导体材料中的缺陷；对蚀刻后的所述半导体材料的水平...

本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法，所述体声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，所述压电层中形成有基于刻蚀孔定义的图案化有源区，所述刻蚀孔暴露出所述支撑衬底的上表面；一对顶电极，形成于所述压电层的上表面，且至...

本发明涉及一种基于锗硅电吸收调制器的硅光收发模块，包括电芯片部分和光芯片部分，所述光芯片部分包括发射模块和接收模块；所述发射模块包括激光器、锗硅电吸收调制器、第一转换器和第一耦合器；所述锗硅电吸收调制器与所述电芯片部分相连，用于将所述激...

本发明涉及一种相变存储单元布尔逻辑的图像处理装置及方法，装置包括：相变存储阵列和写电路，所述相变存储阵列中的每个相变存储单元均串联一个选通管，所述相变存储单元的一端与位线相连，另一端与所述选通管的漏端相连，所述选通管的栅端与字线相连，源...

本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法，该光分路器包括：自下而上依次设置的硅层、氧化硅层及氮化硅波导层；氮化硅波导层的中间部分形成有二维氮化硅光子晶体波导，两端分别形成有光栅发射器；二维氮化硅光子晶体波导包括一列沿氮化硅...

为了解决现有技术中竖直型纳米空气沟道晶体管的栅极电压高的技术问题，本发明提出了一种纳米空气沟道晶体管，晶体管包括：阳极，阳极设有阳极支点；栅极，栅极的第一侧与阳极支点连接，栅极的第二侧设有栅极支点；阴极，阴极与栅极支点连接，阴极的靠近栅...

本发明提供一种弹性波谐振器及其制备方法，所述弹性波谐振器至少包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电层的上表面；反射增强结构，至少形成于所述叉指电极的左右两侧，且形成于所述压电层的上表面及/或所述压电...

本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽，凹槽的深度为5‑50μm，凹槽的宽度为10‑100μm，凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种，凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状，...

本发明涉及一种手部3D关键点的标注方法，包括：构建通用手部3D骨架模型；获取待标注手部每根手指均伸直的初始帧图像，构建待标注手部3D骨架模型；获取在不同手势下的若干待标注手部3D骨架姿态；获取待标注手部的当前帧图像以及当前帧图像的初始3...

本发明涉及一种光功率分束器的锥形波导区设计方法，包括：将锥形波导区的初始二维几何形状数字化为若干个几何参数点；根据光功率分束器不同的光功率分配比，以多个预设波长点的传输效率作为目标优化函数，对所述若干个几何参数点进行多次迭代来优化锥形波...

本发明涉及一种亚波长天线，其特征在于，包括谐振器和金属衬底，所述谐振器设置于所述金属衬底上，所述谐振器为设有开口的C形环。本发明还涉及一种波长可控的超透镜，包括若干所述的亚波长天线，若干所述亚波长天线基于振幅相位分布物理模型进行空间排列...

本发明提供一种磁强计空间姿态标定方法及系统，方法至少包括：S1：基于总场磁力仪标定线圈装置的误差模型中的正交度、线圈系数和零偏；S2：将待测磁强计放置在已完成误差模型标定的线圈装置的均匀磁场区中，在所述待测磁强计空间姿态未知的前提下标定...

本发明涉及一种相变存储器时序可重构布尔逻辑电路、方法及装置，其中电路包括相变存储单元和选通器件，所述相变存储单元的第一端与第一输入电极相连，第二端与所述选通器件的漏端相连，所述选通器件的源端与第二输入电极相连，栅端与控制端相连；通过控制...

本发明提供一种氦离子化检测器及其制备方法，包括衬底、激发电极对、进气管、偏置电极及收集电极；衬底中具有腔室，腔室包括激发电极沟道、进气沟道及出气沟道，激发电极沟道与出气沟道相连通构成第一交汇区，进气沟道与出气沟道相连通构成第二交汇区；激...

本发明涉及一种用于微流控芯片中磁珠精准自动化操纵的磁控装置，包括：微流控芯片固定机构，用于固定微流控芯片；永磁体装载台，用于放置永磁体；位移平台，用于控制所述永磁体装载台在所述微流控芯片的一面进行移动，使得所述永磁体在所述位移平台的带动...

本发明提供一种声表面波谐振器及其制备方法，所述声表面波谐振器包括：衬底结构；压电薄膜，形成于所述衬底结构上表面；叉指电极，嵌埋于所述压电薄膜中；其中，所述压电薄膜的厚度大于所述叉指电极的厚度，且所述压电薄膜的电极嵌入面与所述衬底结构接触...

本发明提供一种超导单磁通量子电路的测试系统，在设计好的电路进行制版流片时，将该选片电路与待测电路放置在同一个芯片上，在测试时，就可以先对选片电路进行一个快速的测试，得到选片电路的测试结果，这样就可以反映出这一个芯片的质量，从而测试人员可...

本发明提供一种气液两用热式流量传感器及其制备方法。传感器包括单晶衬底、隔热介质膜、支撑柱、加热电阻、热敏电阻和环境测温电阻，单晶衬底内形成有隔热腔体，隔热介质膜覆盖隔热腔体，隔热介质膜包括氮化硅层；支撑柱位于隔热腔体内，且一端与单晶衬底...

本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种钻石晶体的异质键合方法及异质结构。本申请提供的该异质键合方法通过在钻石晶体表面引入键合介质层，继而可以采用亲水键合或者SAB键合等键合方法，绕过了钻石晶体不易抛光和键合的缺点，上述键合方法具有键...