本发明公开了一种多层同质的压电结构及制备方法，包括单晶压电层、设置于所述单晶压电层上表面的图案化电极换能器组件，以及位于所述单晶压电层中预设深度处的至少一层反射层；所述反射层与所述单晶压电层为同质材料，并且所述反射层由所述单晶压电层通过...

本发明公开了一种增强散热的悬空谐振器及制备方法，包括导热支撑衬底、位于导热支撑衬底上方的单晶压电层、设置于单晶压电层上的图案化电极换能器组件；导热支撑衬底中设置位于单晶压电层下方的悬空腔体，悬空腔体的形状通过图案化离子注入形成，图案化电...

本申请实施例所公开的一种弹性波谐振器及多通带滤波器，弹性波谐振器包括衬底、第一电极层、压电薄膜和第二电极层。其中，压电薄膜包括多个刻蚀区域和多个非刻蚀区域，刻蚀区域的深度与压电薄膜厚度的比值在区间[0.4,1)内，相邻两个刻蚀区域间的中...

本发明提供一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法，通过将两种金属源配置成前驱体溶液，在将前驱体溶液涂覆在衬底表面后，采用CVD法，即可获得界面锐利的MoX2/WX2横向异质结；本发明不需要预先将金属源在空间上进行分离，也无需在实验过程...

本实用新型提供一种多通道液滴采样装置以及包括其的光学分析系统，该装置包括：主管道，其包括同轴延伸的外层主管道和内层主管道，二者之间充满油相；以及与主管道连接的多个液滴采样单元，每个液滴采样单元包括：同轴延伸的外层分支管道和内层分支毛细管...

本实用新型提供一种集液滴取样、样本处理、检测一体化的采样枪，该采样枪包括：采样枪体；自后端向前端依次布置于采样枪体内的负压产生结构、插入式检测芯片、温控模块以及油相储存腔，所述温控模块以及油相储存腔中设有用于输送样品液滴的样品通道；可操...

本实用新型提供一种新型液滴采样枪头以及包括其的采样系统，该液滴采样枪头包括：轴向延伸的外层管道；固定于外层管道内的与外层管道同轴延伸的内层毛细管；将内层毛细管相对外层管道固定的支架；固定于外层管道前端的亲水过滤结构，与内层毛细管的前端保...

本发明提供一种基于物联网的社区消防风险管理系统，包括感知设备、现场显控端、云端和通讯网络；所述通讯网络包括无线通信单元；所述感知设备、所述现场显控端和所述云端通过无线通信单元进行相互通信；所述感知设备用于采集社区内各区域的消防数据，并将...

本发明提供一种基于液滴微流控的单细胞分泌物高通量检测方法和系统，通过微流控芯片技术将能够结合细胞分泌物的捕获微球、荧光标记分子与单个待检测细胞共同包裹在单个微液滴中，所述待检测细胞所分泌的目标分子可以同时结合所述捕获微球和所述荧光标记分...

本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取氮化铝单晶晶片；对氮化铝单晶晶片进行离子注入，得到离子注入氮化铝单晶晶片；获取支撑衬底；将离子注入氮化铝单晶晶片与支撑衬底键合，得到异质键合...

本发明提供一种SOI晶圆及其最终处理方法，其对第一晶圆进行快速热退火得到第二晶圆；其中第一升温过程在氩气和氢气混合气氛中进行，且氢气的体积比例小于10％；第一退火过程在氩气和可任选的氢气气氛中进行，且可任选的氢气体积比例不大于10％；对...

本发明涉及一种太赫兹量子级联激光器双光梳完全锁相系统，包括第一太赫兹量子级联激光器光频梳、第二太赫兹量子级联激光器光频梳、环形器、滤波装置和锁相装置，所述第一太赫兹量子级联激光器光频梳与第一射频注入装置相连，所述第一射频注入装置用于锁定...

本发明提供一种SOI晶圆的表面处理方法，包括以下步骤：提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括背衬底、顶层硅和绝缘埋层，绝缘埋层位于背衬底和顶层硅之间，顶层硅的表面粗糙度大于在第一目标温度下，通过长时间热退火工艺对顶层硅的表面进行第一次平坦化处...

本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的外延缺陷；对所述外延层的表面进行光散射扫描，获取窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果；基于所述...

本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的一级外延缺陷；对所述外延层的表面进行刻蚀，以将所述一级外延缺陷放大形成二级外延缺陷；通过显...

本发明涉及一种用于电源管理芯片的软启动及漏电防护电路，包括：功率管，其源极和漏极到阱区之间分别寄生了第一二极管和第二二极管，其源极或漏极作为输入节点，漏极或源极作为输出节点；第一开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输入节点相连...

本发明提供一种SOI晶圆的表面处理方法，包括以下步骤：提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括背衬底、顶层硅和绝缘埋层，绝缘埋层位于背衬底和顶层硅之间，且顶层硅的表面粗糙度大于在第一目标温度下，通过第一恒温退火工艺去除顶层硅的表面自然氧化层，第...

本发明涉及糖酵解检测领域，特别是涉及碳氮荧光量子点在制备有氧糖酵解检测产品中的用途，所述碳氮荧光量子点为N掺杂石墨烯量子点、C3N4量子点、C2N量子点或C3N量子点中的一种或几种；所述有氧糖酵解检测产品为试剂，以试剂的终体积为基准，所...

本发明公开了一种超导集成电路的功耗分析方法和装置、存储介质和终端，其中方法包括：获取原理图数据和版图数据，基于原理图数据对待分析电路中的耗能器件进行仿真获取耗能器件的功耗数据，并获取所有耗能器件与对应时间功耗的映射关系；基于版图数据对版...

本发明提供一种透射电镜