一种声学谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及微电子器件技术领域，本发明专利技术提供一种声学谐振器及其制备方法。该声学谐振器由于在第一支撑层内设有弹性波陷阱结构；弹性波陷阱结构的弹性力学参数与支撑衬底的材料的弹性力学参数不相等，该弹性波陷阱结构可以阻碍谐振器工作模式向衬底的传播，将能量约束在衬底上方压电薄膜上表面处，从而减少了声波能量向衬底的泄漏，可以提高器件的品质因数，并拓宽了谐振器工作模式的选择范围，提高了工作频率和带宽。作频率和带宽。作频率和带宽。

【技术实现步骤摘要】
一种声学谐振器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及微电子器件
，特别涉及一种声学谐振器及其制备方法。

技术介绍

[0002]一般，声学谐振器能够利用压电薄板中具有较高声速和较大机电耦合系数的板波模式，可制备高频大带宽的声学滤波器，因此受到了广泛关注。但现有技术中的声学谐振器一般包括依次层叠设置的衬底、压电薄膜和叉指电极结构，在声波传导过程中，易造成声波能量向衬底泄露的情况，降低了器件的品质因数Q。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的是现有技术中声学谐振器中的声波能量向衬底泄露，进而造成器件品质因数Q低的技术问题。
[0004]为解决上述技术问题，本申请于一方面公开了一种声学谐振器，其包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；
[0005]支撑衬底包括叠层的第一支撑层和第二支撑层；
[0006]第一支撑层与压电薄膜连接；
[0007]第一支撑层内设有弹性波陷阱结构；弹性波陷阱结构的弹性力学参数与支撑衬底的材料的弹性力学参数不相等。
[0008]可选的，弹性波陷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声学谐振器，其特征在于，包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；所述支撑衬底包括叠层的第一支撑层和第二支撑层；所述第一支撑层与所述压电薄膜连接；所述第一支撑层内设有弹性波陷阱结构；所述弹性波陷阱结构的弹性力学参数与所述支撑衬底的材料的弹性力学参数不相等。2.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述弹性波陷阱结构用于将所述声学谐振器产生的弹性波约束在所述弹性波陷阱结构的缺陷能带中。3.根据权利要求2所述的声学谐振器，其特征在于，所述弹性波陷阱结构包括子缺陷结构；所述子缺陷结构的分布密度为650个/平方厘米～105个/平方厘米。4.根据权利要求3所述的声学谐振器，其特征在于，所述子缺陷结构包括微管缺陷；或者，所述子缺陷结构包括六方空洞缺陷；所述六方空洞缺陷的横截面积与第一支撑层的横截面积之比大于等于8.2％且小于20％。5.根据权利要求3所述的声学谐振器，其特征在于，所述子缺陷结构包括多个晶格损伤区，所述多个晶格损伤区中的每个晶格损伤区的宽度为0.1
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10微米。6.根据权利要求1所述的声学谐振器，其特征在于，所述叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条和叉指电极对；所述叉指电极对包括第一电极和第二电极；所述第一电极与所述第一汇流条...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧欣，姚虎林，张师斌，郑鹏程，吴进波，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：