本发明专利技术公开了一种体声波谐振器组、体声波滤波器及通信器件。该体声波谐振器组包括：至少两个体声波谐振器，每个体声波谐振器包括第一电极、压电层和第二电极的叠层结构；相邻两个体声波谐振器呈正立的V字型结构或者呈倒立的V字型结构。本发明专利技术实施例提供的技术方案降低了体声波谐振器组的尺寸，进而实现了体声波谐振器组、体声波滤波器和通信器件的小型化。体声波滤波器和通信器件的小型化。体声波滤波器和通信器件的小型化。
【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器组、体声波滤波器及通信器件
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种体声波谐振器组、体声波滤波器及通信器件。
技术介绍
[0002]随着无线通讯技术的不断发展，高性能、小尺寸的通信器件的应用越来越广泛。
[0003]体声波谐振器组包括至少一个薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator)又称之为体声波谐振器(Bulk Acoustic Wave)，由于体声波谐振器具有尺寸小、工作频率高、功耗低、品质因数高、与CMOS工艺兼容等特点，目前已成为通信器件领域重要的器件被广泛应用。
[0004]现有的体声波谐振器组的尺寸太大，不利于体声波谐振器组、体声波滤波器和通信器件的小型化。图1为现有技术中的一种体声波滤波器的结构示意图。参见图1，该体声波滤波器包括基板001，基板001的第一表面101包括由体声波谐振器21、体声波谐振器22以及体声波谐振器23构成的体声波谐振器组。每个体声波谐振器包括第一电极20a、压电层20b和第二电极20c的叠层结构。第一方面，由于体声波谐振器21、体声波谐振器22以及体声波谐振器23平铺在基板10的第一表面101，导致体声波滤波器在垂直于基板10的厚度方向的尺寸太大，不利于体声波滤波器和通信器件的小型化。第二方面，由于体声波谐振器21、体声波谐振器22以及体声波谐振器23平铺在基板10的第一表面101，为了降低体声波滤波器的声波损耗，需要在基板10的表面或者内部给体声波谐振器21、体声波谐振器22以及体声波谐振器23中的每一个设置声反射结构40，导致制备工艺繁琐，制备成本较高，尤其当声反射结构40包括空腔结构40a或者背面凹槽时，还会降低体声波滤波器的结构稳定性。需要说明的是，平行于基板001的厚度方向为XOY平面直角坐标系中的Y方向，垂直于基板001的厚度方向为XOY平面直角坐标系中的X方向。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种体声波谐振器组、体声波滤波器及通信器件，以降低体声波谐振器组的尺寸，进而实现体声波谐振器组、体声波滤波器和通信器件的小型化。
[0006]本专利技术实施例提供了一种体声波谐振器组，包括：至少两个体声波谐振器，每个所述体声波谐振器包括第一电极、压电层和第二电极的叠层结构；
[0007]相邻两个所述体声波谐振器呈正立的V字型结构或者呈倒立的V字型结构。
[0008]可选的，相邻两个所述体声波谐振器相互支撑呈倒立的V字型结构；
[0009]或者，相邻两个所述体声波谐振器在支撑层的支撑下呈倒立的V字型结构；
[0010]或者，相邻两个所述体声波谐振器通过支撑层支撑，且相邻两个所述体声波谐振器相互支撑呈正立的V字型结构。
[0011]可选的，所述V字型结构的V字型边构成的角度大于或等于0
°
，且小于或等于90
°
。
[0012]可选的，相邻两个所述体声波谐振器的电极通过中间导电部电连接；
[0013]或者，相邻两个所述体声波谐振器的电极直接接触以实现电连接；
[0014]或者，相邻两个所述体声波谐振器的电极绝缘设置。
[0015]可选的，所述体声波谐振器还包括温度补偿层，所述温度补偿层包括正频率漂移系数材料。
[0016]可选的，所述温度补偿层位于所述压电层内、所述压电层邻近所述第一电极的表面、所述压电层邻近所述第二电极的表面、所述第一电极内、所述第一电极背离所述压电层的表面、所述第二电极内以及所述第二电极背离所述压电层的表面中的至少一个位置。
[0017]本专利技术实施例还提供了一种体声波滤波器，包括至少一个基板，所述基板包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面，所述基板的第一表面设置有至少一个如上述技术方案任意所述体声波谐振器组；
[0018]所述基板和所述基板支撑的所述体声波谐振器组的体声波谐振器之间呈预设夹角。
[0019]可选的，所述基板包括相邻的第一基板和第二基板；
[0020]所述第一基板的第一表面设置有至少一个体声波谐振器组，所述第二基板的第二表面设置有至少一个体声波谐振器组，所述第一基板和所述第二基板之间的体声波谐振器组呈叉指状分布。
[0021]可选的，还包括导电互连结构；
[0022]所述导电互连结构用于将所述体声波谐振器组的电信号引至最上层基板的第一表面侧，和/或，所述导电互连结构用于将所述体声波谐振器组的电信号引出至位于最下层基板的第二表面侧。
[0023]可选的，还包括晶圆盖板，所述晶圆盖板位于所述最上层基板的第一表面侧；
[0024]所述导电互连结构用于将所述体声波谐振器组的电信号引至所述晶圆盖板背离所述最上层基板的表面。
[0025]可选的，邻近所述导电互连结构的体声波谐振器的第一电极或者第二电极通过导电连接部与所述导电互连结构连接。
[0026]可选的，所述第一基板的第一表面设置有第一体声波谐振器组，所述第一体声波谐振器组包括第一体声波谐振器、第二体声波谐振器、第三体声波谐振器和第四体声波谐振器；
[0027]所述第一体声波谐振器和所述第二体声波谐振器呈倒立的V字型设置，所述第三体声波谐振器和所述第四体声波谐振器呈倒立的V字型设置，所述第二体声波谐振器和所述第三体声波谐振器呈正立的V字型设置。
[0028]可选的，所述第二基板的第二表面设置有第二体声波谐振器组，所述第二体声波谐振器组包括第五体声波谐振器和第六体声波谐振器，所述第五体声波谐振器和所述第六体声波谐振器呈正立的V字型设置；
[0029]所述第五体声波谐振器和所述第六体声波谐振器相连接的部分位于所述第二体声波谐振器和所述第三体声波谐振器呈正立的V字型空间内。
[0030]可选的，在平行于所述基板的厚度方向上，相邻所述基板之间的间距小于相邻所述基板之间呈叉指状分布的体声波谐振器组的高度之和。
[0031]可选的，在水平方向上，呈叉指状分布的两体声波谐振器组之间间隔预设间距。
[0032]本专利技术实施例还提供了一种通信器件，包括上述技术方案任意所述的体声波滤波器；
[0033]所述通信器件包括滤波器、双工器以及多工器中的至少一种。
[0034]本专利技术实施例提供的技术方案，第一方面，相邻两个体声波谐振器呈正立的V字型结构或者呈倒立的V字型结构，减少了体声波谐振器组在水平方向的尺寸，有助于形成小型化的体声波谐振器组。且随着V字型结构的V字型边构成的角度的减小，体声波谐振器组在水平方向的尺寸随之减小。第二方面，相邻两个体声波谐振器呈V字型结构设置，V字型结构构成了空气隙结构，故可以将声波反射回相邻的两体声波谐振器，从而减小声波的损耗，提高了体声波谐振器组的品质因数。第三方面，在本专利技术实施例中不用在基板上通过挖槽方式设置声反射结构，简化了制备工艺，降低了制备成本，还起到了提高体声波谐振器组的结构稳定性的效果。
附图说明
[0035]图1为现有本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器组，其特征在于，包括：至少两个体声波谐振器，每个所述体声波谐振器包括第一电极、压电层和第二电极的叠层结构；相邻两个所述体声波谐振器呈正立的V字型结构或者呈倒立的V字型结构。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器组，其特征在于，相邻两个所述体声波谐振器相互支撑呈倒立的V字型结构；或者，相邻两个所述体声波谐振器在支撑层的支撑下呈倒立的V字型结构；或者，相邻两个所述体声波谐振器通过支撑层支撑，且相邻两个所述体声波谐振器相互支撑呈正立的V字型结构。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器组，其特征在于，所述V字型结构的V字型边构成的角度大于或等于0
°
，且小于或等于90
°
。4.根据权利要求1所述的体声波谐振器组，其特征在于，相邻两个所述体声波谐振器电极通过中间导电部电连接；或者，相邻两个所述体声波谐振器电极直接接触以实现电连接；或者，相邻两个所述体声波谐振器电极绝缘设置。5.根据权利要求1所述的体声波谐振器组，其特征在于，所述体声波谐振器还包括温度补偿层，所述温度补偿层包括正频率漂移系数材料。6.根据权利要求5所述的体声波谐振器组，其特征在于，所述温度补偿层位于所述压电层内、所述压电层邻近所述第一电极的表面、所述压电层邻近所述第二电极的表面、所述第一电极内、所述第一电极背离所述压电层的表面、所述第二电极内以及所述第二电极背离所述压电层的表面中的至少一个位置。7.一种体声波滤波器，包括至少一个基板，所述基板包括第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面，其特征在于，所述基板的第一表面设置有至少一个如权利要求1
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6任一所述体声波谐振器组；所述基板和所述基板支撑的所述体声波谐振器组的体声波谐振器之间呈预设夹角。8.根据权利要求7所述的体声波滤波器，其特征在于，所述基板包括相邻的第一基板和第二基板；所述第一基板的第一表面设置有至少一个体声波谐振器组，所述第二基板的第二表面设置有至少一个体声波谐振器组，所述第一基板和所述第二基板之间的体声波谐振器组呈叉指状分布。9.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁焱昆，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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