一种频率片及谐振器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种频率片，包括基部、位于基部末端的连接部、位于连接部末端的两个音叉臂，连接部两侧壁为两段逐级扩大式结构，包括第一台阶和第二台阶；连接部和基部之间设置有向内凹陷的开口部，开口部靠近连接部的侧壁为第一曲面结构；两个音叉臂之间设置有叉臂中间连接部，叉臂中间连接部的一侧壁或两侧壁为第二曲面结构；基部与音叉臂厚度为121微米；频率片的X轴方向切割角度为0

【技术实现步骤摘要】
一种频率片及谐振器


[0001]本技术涉及频率片
，尤其是涉及一种频率片及谐振器。

技术介绍

[0002]伴随着通讯技术的发展，智能手机、智能穿戴等电子产品的小型化，高集成度要求越来越高，相应的电子器件也必须微型化、薄型化。作为通讯
的关键器件石英晶体谐振器通过近年技术发展，湿法光刻腐蚀音叉型频率片工艺逐渐成熟，但是随小型化、高信赖性需求提升，现有设计在等效阻抗CI 值(Crystal Impedance)、抗跌落特性、品质稳定性等方面急需改良。另一方面，现有技术都仅仅对各项尺寸设计的大致优化范围进行指定，在关键的腐蚀残留形状控制、减少发振能量流出、以及特定切割厚度、角度时的最优化设计等方面仍有极大改进空间。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种频率片及谐振器，以解决现有技术中存在的上述技术问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供了以下技术方案：
[0005]本技术提供的一种频率片，包括基部、位于所述基部末端的连接部、位于所述连接部末端的两个音叉臂，所述连接部两侧壁为两段逐级扩大式结构，包括第一台阶和第二台阶。
[0006]作为本技术的进一步改进，所述第一台阶和所述第二台阶衔接处为弧形过度结构。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述连接部和所述基部之间设置有向内凹陷的开口部，所述开口部靠近所述连接部的侧壁为第一曲面结构。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述第一曲面结构为向所述基部突起的曲面结构。
[0009]作为本技术的进一步改进，两个所述音叉臂之间设置有叉臂中间连接部，所述叉臂中间连接部的一侧壁或两侧壁为第二曲面结构。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述第二曲面结构为向所述音叉臂外侧突起的曲面结构。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述基部和所述音叉臂的厚度相等，均为 121微米。
[0012]作为本技术的进一步改进，所述频率片的X轴方向切割角度为0
°ꢀ
40
′
。
[0013]作为本技术的进一步改进，所述第一台阶宽度L1为400
‑
510微米；所述第二台阶宽度L2为500
‑
520微米；所述开口部底部宽度L3为200
‑
300微米。
[0014]本技术提供的一种陶瓷封装音叉型谐振器，包括陶瓷基座、封装封盖、导电胶粘剂和所述频率片；所述频率片通过所述导电胶粘剂固定在所述陶瓷基座上，所述封装封
盖盖设在所述陶瓷基座顶部；所述导电胶粘剂为双点点胶结构。
[0015]本技术与现有技术相比具有如下有益效果：
[0016]本技术提供的频率片，通过将频率片的音叉臂与基部之间的连接部从传统的整体结构分解为两段逐级扩大式构造，可以阶梯性减轻传递速率及分布，减少起振时能量流出，从而提高品质稳定性；
[0017]本技术提供的频率片，在进一步改进方案中，应力最为集中的叉臂中间连接部，由于小型化的要求须提高正面电极配置时的尺寸余量，通常该部采用斜面扩大法；本技术中将斜面优化为曲面，在确保侧面电极面积的前提下进一步优化与斜面连接部分的由于腐蚀残留造成的应力集中；
[0018]本技术提供的频率片，在进一步改进方案中，连接部与基部相连接部分设置开口部，通过开口部宽度一定程度控制能量流出，并在连接部往开口部过度时也就是开口部朝向连接部的侧壁优化为曲面，减少各直线连接部的应力集中；
[0019]本技术提供的频率片，在进一步改进方案中，考虑频率片刚性强度、温度特性等要求，充分考虑特定封装尺寸的要求前提下，本技术将频率片厚度提高到121微米，切割角度优选为X方向0
°
40
′
，在此前提基础下，通过上述各项改进后，确定该特定频率片的各部关键尺寸，从而实现该特定条件下的低阻抗、高抗跌落特性、高安定性的频率片生产。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本技术频率片的俯视图；
[0022]图2是本技术频率片的局部结构示意图一；
[0023]图3是本技术频率片的局部结构示意图二；
[0024]图4是本技术陶瓷封装音叉型谐振器的装配结构示意图；
[0025]图5是本技术陶瓷封装音叉型谐振器一种实施例的结构示意图；
[0026]图6是本技术频率片的水晶原石切割角度示意图。
[0027]图中1、基部；11、开口部；12、第一曲面结构；2、连接部；21、第一台阶；22、第二台阶；3、音叉臂；31、叉臂中间连接部；32、第二曲面结构；4、陶瓷基座；5、封装封盖；6、导电胶粘剂；7、频率片。
具体实施方式
[0028]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本技术的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本技术所保护的范围。
[0029]如图1所示，本技术提供了一种频率片，包括基部1、位于基部1末端的连接部2、位于连接部2末端的两个音叉臂3，连接部2两侧壁为两段逐级扩大式结构，包括第一台阶
21和第二台阶22。
[0030]本技术提供的频率片，通过将频率片的音叉臂与基部之间的连接部从传统的整体结构分解为两段逐级扩大式构造，可以阶梯性减轻传递速率及分布，减少起振时能量流出，从而提高品质稳定性。
[0031]如图2所示，进一步的，第一台阶21和第二台阶22衔接处为弧形过度结构。
[0032]作为本技术的进一步改进，连接部2和基部1之间设置有向内凹陷的开口部11，开口部11靠近连接部2的侧壁为第一曲面结构12。
[0033]本技术提供的频率片，连接部与基部相连接部分设置开口部，通过开口部宽度一定程度控制能量流出，并在连接部往开口部过度时也就是开口部朝向连接部的侧壁优化为曲面，减少各直线连接部的应力集中。
[0034]具体的，开口部11为两个，位于连接部2两侧。
[0035]进一步的，第一曲面结构12为向基部1突起的曲面结构。
[0036]如图2所示，作为本技术的进一步改进，两个音叉臂3之间设置有叉臂中间连接部31，叉臂中间连接部31的一侧壁或两侧壁为第二曲面结构32。
[0037]本技术提供的频率片，应力最为集中的叉臂中间连接部，由于小型化的要求须提高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种频率片，其特征在于，包括基部、位于所述基部末端的连接部、位于所述连接部末端的两个音叉臂，所述连接部两侧壁为两段逐级扩大式结构，包括第一台阶和第二台阶。2.根据权利要求1所述的频率片，其特征在于，所述第一台阶和所述第二台阶衔接处为弧形过度结构。3.根据权利要求1或2所述的频率片，其特征在于，所述连接部和所述基部之间设置有向内凹陷的开口部，所述开口部靠近所述连接部的侧壁为第一曲面结构。4.根据权利要求3所述的频率片，其特征在于，所述第一曲面结构为向所述基部突起的曲面结构。5.根据权利要求1所述的频率片，其特征在于，两个所述音叉臂之间设置有叉臂中间连接部，所述叉臂中间连接部的一侧壁或两侧壁为第二曲面结构。6.根据权利要求5所述的频率片，其特征在于，所述第二曲面结构为向所述音叉臂外侧突起的曲面结构。7.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雪明，
申请(专利权)人：周雪明，
类型：新型
国别省市：