本发明涉及一种双目图像的立体匹配方法，包括以下步骤：获取双目图像；采用立体匹配模型对所述双目图像进行分析获得视差估计；所述立体匹配模型包括：视差估计网络，用来提取所述双目图像的多尺度双目融合特征，并根据所述双目融合特征预测视差估计；光谱...

本发明涉及一种基于多层级分类分支的目标检测方法及系统。其中的目标检测方法包括以下步骤：获取待测样本；利用基于多层级分类分支的目标检测模型对所述待测样本进行检测，获得目标检测结果；所述基于多层级分类分支的目标检测模型包括：特征提取模块，用...

本申请实施例涉及一种钽酸锂‑氮化硅光电芯片的制备方法及光电芯片，制备方法包括：提供绝缘体上钽酸锂材料；绝缘体上钽酸锂材料包括上下分布的钽酸锂薄膜层和衬底层；采用晶圆键合法在钽酸锂薄膜层上制备氮化硅薄膜层；去除部分氮化硅薄膜层，形成图案化...

本发明提供一种太赫兹频段的零差探测系统，该零差探测系统包括太赫兹光源、第一和二分束器、第一和二反射镜、待测物及太赫兹透镜和探测阵列，其中，第一分束器位于太赫兹光源的光路上并将太赫兹光束分成透/反射光；第二分束器位于透射光光路上，透过第二...

本发明涉及一种悬空型的兰姆波器件，通过使用非极化a面氮化铝(AlN的C轴位于器件平面)，基于声表面波的电极结构激发S0模式即可达到与传统FBAR结构相近的机电耦合系数，可实现由光刻尺寸定义的谐振频率，且由于AlN的高声速能够形成高频器件...

本发明涉及一种PDMS微流控芯片宏微结构一次成型的铸造方法，包括如下步骤：在所述弹性腔(1)中倒入PDMS预聚物后，盖上所述刚性板(2)，所述弹性腔(1)上的限位框(12)引导弹性锥(11)对准刚性通孔(21)，在压力和弹性体形变的引导...

本发明涉及一种声表面波谐振器、声表面波滤波器和双工器，其中，声表面波谐振器包括：衬底；压电薄膜，设置在所述衬底上；叉指换能器，形成在所述压电薄膜上；还包括：电场施加装置，用于对所述压电薄膜的晶体施加电场，在所述叉指换能器的孔径边界处形成...

本发明提供一种纳米线宽金属图形的制作方法，包括：提供衬底，于衬底上形成电子束抗蚀剂层；图形化电子束抗蚀剂层形成开口，开口贯穿电子束抗蚀剂层，开口呈漏斗状，开口包括底垂直部及位于底垂直部上方的顶倾斜部；于电子束抗蚀剂层上形成金属层，金属层...

本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种光子结构的形成方法、光子结构及光子芯片。通过提供一异质结构；所述异质结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的钽酸锂层；在所述钽酸锂层上形成类金刚石掩膜；利用干法刻蚀工艺对所述钽酸锂层进行刻蚀，并去...

本发明涉及一种二维材料的平面制样方法，本发明通过对机械手/样品/铜网三者进行一定的角度变换，就可以避免现有技术中需要更换样品底座或破真空手动垂直铜网两种方法来实现薄膜材料的平面制样，同时也可以按照正常步骤实现样品截面TEM的制备。

本申请涉及半导体光电技术领域，尤其涉及一种光学频率梳产生装置、光学系统及光电设备。光学频率梳产生装置包括：泵浦光源和集成光子芯片；泵浦光源用于产生泵浦光；集成光子芯片包括钽酸锂器件层；钽酸锂器件层中形成有耦合波导和环形谐振腔；耦合波导靠...

本申请提供一种基于钽酸锂的电光调制器件及制备方法，所述电光调制器件包括：衬底；位于所述衬底上的光学器件层；所述光学器件层为对形成在所述衬底上的钽酸锂薄膜层进行刻蚀得到；位于所述光学器件层上的保护层；位于保护层上的槽型电极层；其中，所述槽...

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种单片集成电光调制器及制备方法。电光调制器包括：衬底、电光材料层、折射率调控结构和电极层；电光材料层集成在衬底上，电光材料层中形成有光传输波导；折射率调控结构包括介电材料层，介电材料层设置在电光材料层...

本发明提供一种磁场信号降噪方法、磁场测量系统及磁场探测器，包括：采集同一时刻下的待测磁场的第一轴方向、第二轴方向以及第三轴方向的磁场信号，以及，各轴方向上的振动信号；基于各轴方向上的磁场信号以及对应的振动信号计算得到各轴方向上的磁场信号...

本发明提供一种相变存储单元及其制备方法，方法包括：于基底层上设置石墨烯层，于石墨烯层上设置封装层，石墨烯层的第一边界面设置第一电极层，相变材料层一端与石墨烯层的第二边界面形成电连接，另一端设置第二电极层。本发明通过石墨烯作为电极与相变材...

本发明涉及一种薄膜转移装置及方法，装置包括：包括容器、限位罩、托架和转移工装，所述限位罩固定在所述容器上，所述限位罩限定一两端开口的限位腔；所述托架包括托板，托板上设有多个贯穿所述托板的通孔和多个支撑柱，多个支撑柱上可拆卸固定有用于吸附...

本发明提供一种二维阻性阵列读出方法、读出电路及传感器，包括：基于输出电压的范围设定多个档位，并设定待测阻性单元在各档位的阻值变化范围；通过各档位的输出电压范围以及对应的待测阻性单元的阻值范围计算得到各档位对应的偏移值、输入电压的电压值以...

本发明涉及一种单片集成高速调制硅基光芯片及制备方法，从下至上依次包括硅基光电子层(I)、中间层(II)、铌酸锂层或钽酸锂层(III)；所述硅基光电子层(I)从下至上包括衬底(1)、绝缘层(2)、硅波导(3)、InP激光器(4)、硅锗光电...

本发明涉及一种基于扩散模型的单目深度估计与视觉里程计方法，包括：接收目标图像和源图像；将目标图像和源图像输入至预测模型中，得到目标图像的深度图以及目标图像和源图像之间的相对位姿；其中，预测模型中的基于扩散模型的深度预测网络包括：特征提取...

本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种光子芯片的制备方法及光子芯片。通过提供一光子结构；所述光子结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的钽酸锂层；在所述钽酸锂层上形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对所述钽酸锂层进行刻...